“川端优”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]车辆的物标检测装置-CN201880075343.0有效
发明人： 川端优;池之内孝仁;古山贯一;森谷贵行 -专利权人：马自达汽车株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G08G1/16 文献下载
摘要：一种车辆的物标检测装置，具备：用于检测存在于车辆的周边区域的物标的检测部；输出与以预定的基准从检测到的物标之中选定的物标有关的物标数据的检测控制部；基于从被输出的物标数据控制车辆的中央控制部；存储表示预先分割周边区域而生成的多个分割区域的分割区域信息的存储部；以及，进行辅助车辆的驾驶的控制的驾驶辅助控制部，其中，检测控制部，优先于第二物标选定第一物标，其中，第一物标是在根据驾驶辅助控制部的动作状况而设定的多个分割区域之中的一个以上的第一分割区域检测到的物标，第二物标是在第一分割区域以外的第二分割区域检测到的物标。
车辆检测装置

[发明专利]图像处理方法和图像处理装置-CN201710288252.2有效
发明人： 川端优;中野贵司;夏秋和弘;泷本贵博;山崎信夫;本田大辅;玉井幸夫 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图像处理方法和图像处理装置，图像处理方法包括：亮度值信息获取步骤，从被摄体获取有效辐射亮度值；和图像生成步骤，从上述有效辐射亮度值中去除上述被摄体的表面的正反射光成分的至少一部分而得到亮度值，生成拍摄图像，该拍摄图像为具有该亮度值的单位区域的集合。
图像处理方法装置

[发明专利]拍摄装置-CN201780024488.3在审
发明人：本田大辅;中野贵司;川端优;泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代;内桥正明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)，在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中，形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。
偏振片层拍摄装置形成材料狭缝方向周期性偏振滤光器电介质层偏振特性布线层受光部偏振合金

[发明专利]非易失性半导体存储器设备-CN201110292340.2有效
发明人： 川端优;山崎信夫;石原数也;大西润哉;粟屋信义;玉井幸夫 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
非易失性半导体存储器设备

[发明专利]半导体存储设备-CN201110285501.5有效
发明人：名仓滿;石原数也;山崎信夫;川端优 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。
半导体存储设备

[发明专利]半导体存储器设备-CN201110285490.0有效
发明人：名仓满;石原数也;山崎信夫;川端优 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
半导体存储器设备

[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法-CN201110198320.9有效
发明人：山崎信夫;太田佳似;石原数也;名仓满;川端优;粟屋信义 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。在具有存储元件的半导体存储装置的改写中，从公用线侧也施加电压脉冲，故无法高速动作。半导体存储装置具有：存储单元阵列（100），矩阵状排列多个将二端子型的存储元件R和选择用的晶体管Q串连而成的存储单元；第一电压施加电路（101），对位线施加改写电压脉冲；第二电压施加电路（102），对位线及公用线施加预充电电压，其中在存储单元改写时，第二电压施加电路（102）预先将存储单元两端预充电为同一电压后，第一电压施加电路（101）将改写电压脉冲经位线施加在改写对象的存储单元的一端，并且在施加该改写电压脉冲期间，维持第二电压施加电路（102）经公用线对该存储单元另一端施加该预充电电压。
半导体存储装置及其驱动方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201110064421.7有效
发明人： 川端优;山崎信夫;太田佳似;石原数也;栗屋信义;北川章夫;中山和也 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人金泽大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法-CN201010135831.1无效
发明人： 川端优;石原数也;太田佳似 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法。本发明提供能够对多个存储器单元的非易失性可变电阻元件同时进行成型处理、能够缩短成型时间的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置在存储器单元阵列(501a)和第二选择线(位线)解码器(508)之间配置成型感测电路(510)，成型感测电路(510)在对连接于同一第一选择线(字线)的多个成型处理对象的存储器单元同时经由第二选择线施加成型处理用的电压脉冲时，通过对第二选择线的电位变动或流过该第二选择线的电流量进行测定来感测各存储器单元的成型处理的完成，进行控制使得停止向与感测到该成型处理的完成的存储器单元连接的上述第二选择线的电压施加。
非易失性可变电阻元件成型处理控制电路控制方法

1
共 9 条