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[发明专利]衬底处理方法-CN202110917675.2在审
发明人：金显哲;崔丞佑;W.S.辛;K.H.金;具盻炫 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种能够填充间隙结构而不在间隙中形成空隙或接缝同时最小化对间隙结构的损坏的衬底处理方法，包括：通过多次执行第一循环在结构上形成第一薄膜，第一循环包括将第一反应气体供应到包括间隙的结构上并吹扫残留物；通过改变第一薄膜的化学成分形成第二薄膜；以及在填充间隙的同时，在第二薄膜上形成具有与第二薄膜相同成分的第三薄膜。
衬底处理方法

[发明专利]基板处理方法-CN202110410051.1在审
发明人：李承泫;崔丞佑;金显哲;具盻炫 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种防止损坏下部图案化结构的基板处理方法包括：通过多次执行第一循环来形成具有一定厚度的第一薄膜，该第一循环包括将第一反应物供应到结构上并吹扫残留物；以及通过改变具有一定厚度的第一薄膜的化学成分来形成第二薄膜。
处理方法

[发明专利]用于处理基板的方法-CN202110410054.5在审
发明人：李承泫;崔丞佑;金显哲;具盻炫 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种调节膜应力的方法。在一实施例中，通过在第一步骤中顺序且交替地供应第一反应物和第二反应物来在基板上形成第一膜，并且通过在第二步骤中向第一膜供应第三反应物来将第一膜转化为第二膜。通过控制第一步骤和第二步骤的比率来调节第二膜的膜应力。
用于处理方法

[发明专利]基底处理方法-CN201910250125.2有效
发明人： 崔丞佑 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种能够均匀地维持对基底上形成的薄膜下方的图案结构的损害的基底处理方法包含：将源材料供应到其上形成有与反应物发生反应的图案结构的基底；以及在等离子体气氛中通过供应单元的至少一个中心进气口供应反应物，其中，在反应物的供应期间，与反应物不同的阻挡材料通过与供应单元的中心进气口隔开的额外进气口供应，且基底的边缘处的阻挡材料的流量增加，从而增加基底的中心附近的反应物的自由基密度。
基底处理方法

[发明专利]衬底支撑设备、包含其的衬底处理设备以及衬底处理方法-CN201910098776.4有效
发明人： 崔丞佑;李承桓;朴柱赫 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底支撑设备、包含其的衬底处理设备以及能够在不考虑反应空间的压力变化的情况下稳定地装载衬底的衬底处理方法，所述方法包含：供应惰性气体；以及通过依次且反复地供应源气体、供应反应气体以及使反应气体活化来形成薄膜，其中衬底的中心部分与基座的中心部分彼此间隔开以形成分隔空间，衬底上方的反应空间与分隔空间经由一个或多个通道彼此连通，在惰性气体的供应期间通过一个或多个通道将惰性气体引入到分隔空间，且惰性气体防止在薄膜沉积工艺期间分隔空间与反应空间之间的压力不平衡。
衬底支撑设备包含处理以及方法

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201910573585.9在审
发明人：李万洙;姜成圭;李殷淑;金民洙;崔丞佑 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种在半导体衬底及图案结构上进行沉积薄膜的方法包括：第一操作，通过将第一循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的一部分，所述第一循环包括(a1)源气体供应操作、(b1)反应物气体供应操作及(c1)等离子体供应操作；第二操作，通过在所述第一操作之后将第二循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的其余部分，所述第二循环包括(a2)源气体供应操作、(b2)反应物气体供应操作及(c2)等离子体供应操作，其中所述源气体供应操作(a1)的供应时间比所述源气体供应操作(a2)的供应时间长。所述薄膜改善下部膜的损耗量及损耗均匀性的同时具有期望的蚀刻特性的薄膜。
源气体薄膜等离子体供应反应物气体循环重复沉积沉积薄膜蚀刻特性图案结构均匀性时间比损耗量衬底半导体期望

[发明专利]衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备-CN201710158646.6有效
发明人：刘龙珉;孙宗源;崔丞佑;姜东锡 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备。所述衬底支撑板可防止衬底的后表面上的沉积且可易于卸载所述衬底。所述衬底支撑板可包含：衬底安装部分；以及外围部分，其围绕所述衬底安装部分，且所述衬底安装部分的顶部表面的边缘部分可经阳极氧化，且所述衬底安装部分的所述顶部表面的中心部分可不经阳极氧化。
衬底支撑包含薄膜沉积设备

[发明专利]半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备-CN201510696224.5在审
发明人：沈载仁;宋尚烨;河宗勋;金起范;崔丞佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备。该半导体发光器件可包括：发光结构，其包括具有被划分为第一区和第二区的上表面的第一导电类型的半导体层、按顺序设置在第一导电类型的半导体层的第二区上的有源层和第二导电类型的半导体层；第一接触电极，其设置在第一导电类型的半导体层的第一区上；第二接触电极，其设置在第二导电类型的半导体层上；第一电极焊盘，其电连接至第一接触电极，并且具有设置在第二接触电极上的至少一部分；第二电极焊盘，其电连接至第二接触电极；以及多层反射结构，其介于第一电极焊盘与第二接触电极之间，并且包括具有不同的折射率并且交替地堆叠的多个介电层。
半导体发光器件具有设备

[发明专利]晶片对准装置和方法-CN201310071226.6无效
发明人： 崔丞佑;朴庆善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片对准装置和方法，所述晶片对准装置包括：第一晶片保持器和第二晶片保持器，分别支撑第一晶片和第二晶片；保持器运动单元，被构造成使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一个运动，从而使第一晶片和第二晶片彼此预对准并彼此面对；一个或更多个观测单元，相对于预对准的第一晶片和第二晶片沿水平方向布置，并被构造成在第一晶片和第二晶片通过保持器运动单元彼此预对准的状态下观测第一晶片和第二晶片的边缘部分；控制单元，被构造成基于由所述一个或更多个观测单元观测到的信息控制保持器运动单元，以当第一晶片和第二晶片的边缘部分在期望的对准状态之外时使第一晶片和第二晶片再对准。
晶片对准装置方法

[发明专利]制造半导体发光器件的方法-CN201210306242.4无效
发明人：金起范;许元九;崔丞佑;李承宰;李时赫;金台勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。
制造半导体发光器件方法

[发明专利]半导体发光装置-CN201210008356.0无效
发明人：金台勋;崔丞佑;张泰盛 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：在此公开了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：导电基底；p型半导体层，设置在导电基底上；活性层，设置在p型半导体层上；n型半导体层，设置在活性层上；n侧电极，设置在n型半导体层上并包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。
半导体发光装置

[发明专利]制造半导体发光器件的方法-CN201110350755.0有效
发明人：许元九;申永澈;金起范;崔丞佑 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：通过在基底上顺序地生长n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层来形成发光结构；通过溅射工艺在p型氮化物半导体层上形成透明电极；在溅射工艺之前或者在溅射工艺过程中，在执行溅射工艺的反应室的内部形成氮气气氛。在根据本发明的实施例获得的半导体发光器件的情况下，可以在通过溅射工艺制造透明电极的过程中，使因氮空位造成的电极特性的劣化现象最小化，从而能够提供具有明显改善的电学特性的透明电极。
制造半导体发光器件方法

[发明专利]晶片键合装置-CN200910169035.7无效
发明人：申宰奉;李炳俊;石承大;崔丞佑;金重铉;洪相一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的一方面提供一种晶片键合装置，该晶片键合装置具有被构造成压迫被固定在固定装置中的晶片的压迫装置，其中，固定装置被构造成允许压迫装置在不形成抵触的情况下压迫晶片。该晶片键合装置可包括：支撑构件，被构造成支撑上晶片和下晶片；推动构件，在上晶片上；固定装置，被构造成将推动构件固定到支撑构件上，其中，推动构件包括从上晶片的外周向外延伸的固定部分，固定装置结合到固定部分。本发明的一方面还在于提供一种用于键合晶片的方法。
晶片装置

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