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[发明专利]一种为Lotus数据库备份数据的方法-CN200910136530.8有效
发明人：黄喆;堵玉洁;刘斌 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种为Lotus数据库备份数据的方法，首先在需要做备份的数据库中建立设定档，设定相关路径；其次选中需要做备份的数据库中所有需要做备份的文档，通过运行事先写好的代理程式将这些文档搬移到设定档中设定的路径下，则整个备份过程结束。本发明方法适用于数据量大、数据增长快、资料重要性高，备份需求高的数据库和系统。
一种 lotus 数据库备份数据方法

[发明专利]一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法-CN200910131045.1有效
发明人：初曦;曾令旭 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法，包括：在接触孔蚀刻后，使用氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2的混合物对基底进行清洗；沿与基底基本垂直的方向，利用原子化清洗的方法对基底再次进行清洗。其中步骤1中使用氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2的混合物进行清洗，氢氧化铵NH4OH产生的[OH-]离子蚀刻硅基底表面，使缺陷与基底表面产生轻微脱离。再利用硅基底表面和缺陷带不同的电荷，利用正负电荷排斥力将缺陷带走。随后用原子化清洗的方法再进行一次清洗。从而消除簇状缺陷。本发明能够通过氢氧化铵NH4OH+过氧化氢H2O2+原子化清洗清洗消除簇状缺陷，从而提高产品的良品率。
一种降低接触蚀刻后簇状缺陷方法

[发明专利]一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法-CN200910133903.6有效
发明人：何荣;曾令旭;朱作华;李煦 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一具有半导体衬底的晶片，该半导体衬底上方至少具有依次沉积的阻挡氧化层和氮化物层；步骤2，蚀刻形成浅沟槽绝缘结构，并对该浅沟槽绝缘结构进行填充，形成填充氧化层；步骤3，对该晶片进行化学机械剖光，平整填充氧化层；步骤4，去除氮化物层，并沉积第三氧化层；步骤5，沉积一层多晶体，而后利用干蚀刻的方式去除表面的多晶体；步骤6，在半导体衬底中植入离子形成阱区。本发明通过改善STI边缘缺陷的深度，减少了STI边缘的漏出程度，避免了栅氧化层在STI边缘处的厚度薄的现象，提高了所制成的晶片的性能。
一种通过改善沟槽绝缘结构边缘形成晶片方法

[发明专利]一种改善MOSFET STI差排的方法-CN200910133938.X有效
发明人：初曦;刘光;高永亮 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善MOSFET STI差排的方法，提供一具有浅沟槽绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有SiN层；在SiN层上生长牺牲氧化物层，生长的同时在一段预定时间内通入预定温度的氮气进行回火处理。采用本发明方法可以显著降低差排现象，提高合格率，并降低成本和缩短工艺周期。
一种改善 mosfet sti 方法

[发明专利]一种控制刀圈以防止显影液残留的方法-CN200910133660.6无效
发明人：陈俊秀 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-04-13 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制刀圈以防止显影液残留的方法，在该方法中该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。本发明的方法既可防止显影液流入晶背中心又可以彻底清洗晶背，解决了晶背显影液残留问题，从而能够提高产品合格率。
一种控制防止显影液残留方法

[发明专利]一种去除光阻的方法-CN200910130070.8无效
发明人：郁新举;黄志刚 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种去除光阻的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，提供一层衬底；步骤2，在不需要植入离子的部位涂覆光阻并进行光照处理；步骤3，在步骤2所得到的结构中植入离子，此时，未被光阻覆盖的部分中具有被植入的离子，同时光阻表面也因为植入大量离子而产生硬化，形成硬壳；步骤4，降低温度后，去除硬壳部，而后升高温度，去除光阻；或者利用紫外光照射，使得光阻全部硬化，而后升高温度，去除光阻。本发明的有益效果在于，通过对光阻进行处理，降低了光阻内外差异，从而减小了光阻喷溅的危险性，提高产生的晶片的质量。
一种去除方法

[发明专利]一种降低W缺失效应的方法和半导体结构-CN200910133318.6无效
发明人：初曦;胡成仕;高永亮 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低钨缺失效应的方法及半导体结构，该方法包括提供一半导体基板，该半导体基板中具有通孔结构，该通孔结构贯通该半导体基板，该通孔结构中填充钨W，而后在通孔结构中掺杂活性比钨强的金属或者在该通孔结构上方沉积一层活性比钨强的金属，而后再沉积上金属层。利用本发明的方法和半导体结构，能降低W缺失的效应。
一种降低缺失效应方法半导体结构

[发明专利]一种防止异丙醇洗涤器堵塞的系统-CN200910118791.7有效
发明人：彭涛 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种防止异丙醇洗涤器(IPAscrubber)堵塞的系统。该系统包括：与异丙醇洗涤器连通的用于流入待洗涤流体入口以及与异丙醇洗涤器连通的用于流出待洗涤流体的出口；与异丙醇洗涤器中的联喷头连通的、用于稀释流入异丙醇洗涤器的稀释用流体的供液端；用于根据需要排出异丙醇洗涤器内的流体的排出端。本发明的优点在于取消了洗涤器内的内循环，将纯水直接供应至联喷头来稀释IPA，从而防止了IPA生菌，避免了产生的菌落堵塞供应泵，从而导致IPA停止供应，致使大量产品报废。
一种防止异丙醇洗涤器堵塞系统

[发明专利]一种PECVD薄膜沉积的自动化制程控制方法-CN200910119149.0有效
发明人：于佰华 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提出一种PECVD薄膜沉积的自动化制程控制方法，其特征在于，包括：测机流程，生产流程；上述测机流程包括：步骤1：确定沉积厚度与沉积秒数的关系式；步骤2：用PECVD机台根据指定厚度在测机控片上进行沉积；步骤3：沉积完成后，对测机控片进行厚度测量得到测机厚度；步骤4：将测机沉积秒数、测机厚度上传至自动化制程控制系统；上述生产流程包括：步骤1：确定产品沉积厚度；步骤2：自动化制程控制系统利用上述测机流程步骤1所述关系式，根据测机厚度、测机秒数及产品沉积厚度，计算出沉积秒数；步骤3：将上述沉积秒数反馈给沉积机台，完成沉积过程。本发明可以准确的沉积指定厚度，提高制程能力，以及达到节省测机所需成本的目的。
一种 pecvd 薄膜沉积自动化程控方法

[发明专利]一种检测正光阻曝光门槛能量的方法-CN200910119116.6无效
发明人：张宜松 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，该方法包括以下步骤：步骤1，在晶片上涂覆光阻层；步骤2，用无图形的光罩对该晶片进行能量递进式曝光，以从晶片的一端向另一端曝光能量逐渐减小或增大的方式曝光该晶片，分区化该晶片形成曝光区；步骤3，将晶片表面按曝光区大小进行分区；步骤4，按曝光能量递增的方向量测各分区的平均光阻厚度；步骤5，如果从某一分区开始光阻厚度小于预定值，则判定该光阻的曝光门槛能量为该分区的光阻相对应的曝光能量。与现有技术相比，本发明实现简单，测量准确，能避免人为地判断失误，且利于数据的保存及SPC管控，能够相对灵敏地反应出正光阻的曝光门槛能量，从而使得正光阻的ETH探测简便快捷。
一种检测正光曝光门槛能量方法

[发明专利]一种实现浅沟槽结构的方法-CN200910126311.1无效
发明人：何荣;曾令旭;张建伟;曾海;洪文田 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种实现浅沟槽结构的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底中具有芯片所需的结构；蚀刻形成浅沟槽结构；沉积氧化物层；进行化学机械研磨，在半导体衬底上沉积氧化物；将进行了化学机械研磨的半导体衬底在高温下放入调温炉管，并通入氧气进行氧化反应，持续预定时间后取出。本发明可以改善浅沟槽转角栅氧化层的厚度，从而提高栅氧化层的品质。
一种实现沟槽结构方法

[发明专利]探针装置-CN200910007857.5有效
发明人：刘刚;程光中;刘涛;储著飞 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种探针装置，包括针头组件，其中针头组件包括多探针、与多探针电连接的第一电路板，以及通过导线与该第一电路板上的焊点电连接的第一圆形DIN连接器；机械臂；将针头组件连接到机械臂上并调整针头组件在机械臂上的高度和松紧度的连接装置；固定在机械臂上的第二电路板，该第二电路板上的焊点与控制端通过导线接驳；第二圆形DIN连接器，与上述第二电路板上的焊点电连接；上述针头组件通过第一圆形DIN连接器与第二圆形DIN连接器旋转电连接，并借助连接装置固定在上述机械臂上。当需要更换针头组件时，只需要旋开圆形DIN连接器的公/母头，使其连同针头组件一并拆下更换即可。从而避免了多针连接器母头断针脚或接触不良而给工程师造成困扰。
探针装置

[发明专利]一种晶片结构及其制造方法-CN200910007298.8无效
发明人：何荣;林志光;曾令旭;朱作华 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶片结构的制造方法，包括以下步骤：提供一种具有半导体基底、阻挡层和介电层的结构；在上述结构上提供图案化的光阻；以该光阻为光罩层进行蚀刻，形成浅沟槽结构，而后去除该图案化的光阻；沉积第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖包括浅沟槽结构的基底表面；再沉积一层氮化物层；在该结构的预定的低压区沉积一层光阻，而后以该光阻为光罩层蚀刻该结构的预定的高压区，去除预定的高压区的氮化物层，再去除光阻；在预定的高压区和预定的低压区生长第二氧化物层。本发明增加的一道工序，既可以提高STI线性氧化物层的厚度，解决高压区STI弯角氧化物变薄的问题，又不会遇到氮化硅黄光制程中产生的稳定性能力的问题。
一种晶片结构及其制造方法

[发明专利]金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法-CN200910006933.0无效
发明人：高新立;孙自军;李雪林 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容结构及其制作方法。金属-绝缘体-金属电容结构，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；由第二金属层沉积形成的上电极；上、下两个电极之间的绝缘电介质。金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法在制作MIM时，先蚀刻出电容凹槽及生长一层METAL(如Ti/TiN)作为电容下电极，上电极采用铜制程工艺作出。与传统MIM结构电容器相比，本发明的三维的MIM结构电容器在相同分布面积下，增加了电容器的有效面积，进而增大MIM结构电容器的电容。
金属绝缘体电容结构及其制作方法

[发明专利]侦测化学机械研磨机台水槽上/下位置的装置及方法-CN200910005192.4有效
发明人：陈佳;周曙华;夏俊东;黄大洲;杨斌 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种侦测化学机械研磨机台水槽上/下位置的装置及方法，该装置包含：一个用于为研磨晶片提供无污染环境的水槽；一个用于控制上述水槽上下运动的气缸；一个安装于上述气缸的磁璜开关；一个用于实现侦测目的互锁信号电路；上述磁璜开关串联接入上述互锁信号电路中。当水槽处于上方位置时，磁璜开关导通，互锁信号回路导通，从而使得机台开始工作；当水槽处于下方位置时，磁璜开关不导通，互锁信号不满足，机台手臂无法归位继续生产，使得机台停止正常的生产状态。从而保证在操作人员没有升起水槽的状态下，机台无法工作，可以避免因水槽没有升起而导致产品的污染，以及机械手臂的刀片背面粘片造成的拖片掉片风险。
侦测化学机械研磨机台水槽位置装置方法

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