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[发明专利]一种场效应管及其制备方法-CN202210132173.3在审
发明人：何志强;蔡文必;陶永洪;张中华;李立均;吴怡清 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：第一器件结构包括衬底和设置在衬底上的外延层，先后形成第一介质层、多晶硅层和第二介质层；去除部分多晶硅层和第二介质层，在掺杂区上方界定出第一窗口，第一窗口的底部露出第一介质层；保留第一窗口侧壁的第三介质层，界定出第二窗口，第二窗口底部露出外延层；在第二窗口底部的表面形成欧姆金属层，形成第四器件结构；在第四器件结构远离衬底的表面形成正面金属层。
一种场效应及其制备方法

[实用新型]一种自动涂刷设备-CN202220737633.0有效
发明人： 吴怡清;冯骥龙;张雪 -专利权人：广汽本田汽车有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B05C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动涂刷设备，包括：第一机器人、涂刷单元、加工单元以及防护层，第一机器人包括能够移动以及转动的第一机械臂，涂刷单元包括涂刷头，所述涂刷头安装在所述第一机械臂的末端，加工单元包括加工面，所述加工面分为第一区域和第二区域，所述第一机械臂能够带动所述涂刷头在第一区域进行涂刷作业，防护层设置在所述第二区域上，所述防护层将所述第二区域覆盖，第一机械臂带动涂刷头在第一区域进行涂刷作业，通过在第二区域设置防护层，能够避免涂刷头产生飞溅至第二区域，能够提高加工质量，减少不良品的产生。
一种自动涂刷设备

[发明专利]一种改性聚乙二醇-聚癸二酸(PEGS)可注射生物弹性体及其制备方法和应用-CN201811613977.5有效
发明人：袁媛;王佳琪;吴怡清;顾雨冬;金抒晗;孙丽丽 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C08G81/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可体温、原位固化的改性聚乙二醇‑聚癸二酸甘油酯(PEGS)可注射生物弹性体的制备及其应用。本发明的生物弹性体是以聚乙二醇‑聚癸二酸甘油酯(PEGS)为基体，对其主链或侧链的羟基分别进行巯基化和丙烯酰化的反应，两种改性后的PEGS可以混合后注射至体内，在体温下固化。本发明中的生物弹性体，其力学强度、亲疏水性、降解行为、细胞行为以及生物相容性可通过聚乙二醇的含量以及羧羟基的配比进行调控和优化。我们成功的将这种生物弹性体制备成可注射的水凝胶材料用以骨修复和组织再生方面。这些研究结果表明：修饰后聚乙二醇‑聚癸二酸甘油酯(PEGS)的生物弹性体是一种极具临床应用前景的组织修复材料。
一种改性聚乙二醇聚癸二酸 pegs 注射生物弹性体及其制备方法应用

[发明专利]一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件-CN201810863748.2在审
发明人：吴丽娟;黄也;朱琳;雷冰;吴怡清;张银艳 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有双纵向场板的分离栅槽型功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入分离栅，增加栅极和漏极之间栅氧化层的厚度来降低栅漏电荷Q_GD，同时优化体电场分布，提高器件的击穿电压；在介质槽内引入双纵向场板，源纵向场板减小了栅漏之间的接触面积，进一步降低了器件的栅漏电荷Q_GD，并且辅助耗尽漂移区降低器件的导通电阻，进一步调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压；利用纵向RESURF技术在介质槽右侧引入纵向P柱，进一步调制器件的体内电场，提高器件击穿电压。最终达到降低栅漏电荷、提高器件耐压以及降低比导通电阻的目的。
纵向场栅漏电荷分离栅调制器件功率器件击穿电压介质槽漂移区槽型引入体内功率半导体技术器件击穿电压比导通电阻电场导通电阻电场分布降低器件栅氧化层体电场减小漏极耐压栅漏耗尽优化

[发明专利]一种具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结功率器件-CN201810727298.4在审
发明人：吴丽娟;吴怡清;朱琳;黄也;雷冰;张银艳 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的高耐压低比导部分超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明是在常规部分超结结构中引入变k埋层，在开态时，部分超结提供电流的低阻通道，降低器件的比导通电阻；关态时，低k埋层可以提高器件的纵向电场从而提高器件的耐压。本发明从源到漏浓度增加的超结中的N条可以抑制超结的衬底辅助耗尽效应，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结半导体功率器件。
超结埋层半导体功率器件功率器件比导通电阻超结结构低阻通道电荷平衡耗尽效应降低器件浓度增加纵向电场超结层衬底关态开态耐压引入

[发明专利]一种具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结功率器件-CN201810727522.X在审
发明人：吴丽娟;吴怡清;朱琳;黄也;张银艳;雷冰 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及的高耐压低比导的超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规超结结构中引入分段P型埋层，该P型埋层位于漂移区和衬底之间。引入的分段P型埋层辅助耗尽N型漂移区，降低开态时器件的比导通电阻，在关态时调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压。从源到漏长度渐变的P型埋层可以优化漂移区内的电荷分布，在源端减少漂移区对于超结层的电荷补偿而在漏极一侧增加漂移区对超结层的电荷补偿，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结半导体功率器件。
分段超结层漂移区半导体功率器件电荷补偿功率器件横向超结漂移比导通电阻超结结构电场分布电荷分布电荷平衡调制器件击穿电压引入渐变超结衬底关态开态漏极源端耗尽体内优化

[发明专利]一种带有双栅的变K槽型LDMOS-CN201810695355.5在审
发明人：吴丽娟;朱琳;黄也;吴怡清;张银艳;雷冰 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及的带有双栅的变K槽型LDMOS属于功率半导体器件技术领域。本发明相对于传统结构具有以下三个特点：（1）在N型漂移区引入双介质槽以折叠漂移区，提高器件的耐压。（2）利用双RESURF技术在双槽之间引入的垂直P柱可以将等势线延伸至漂移区底部从而充分利用器件漂移区，调制器件体内电场可进一步提升器件的击穿电压还可大幅提高漂移区浓度降低比导通电阻。（3）当器件开启时双栅会给电流提供双导通沟道，从而降低器件的比导通电阻。本发明的有益效果为，具有比导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，尤其适用于超低比导通电阻的横向高压半导体功率器件。
比导通电阻漂移区双栅槽型耐压半导体功率器件功率半导体器件传统结构电流提供调制器件横向高压击穿电压降低器件浓度降低提升器件电场等势线双介质引入折叠导通沟道双槽垂直体内延伸

[发明专利]一种具有阶梯埋氧层的超结横向高压器件-CN201810727327.7在审
发明人：吴丽娟;张银艳;朱琳;雷冰;黄也;吴怡清 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种具有阶梯埋氧层的超结横向高压器件。本发明的具有阶梯埋氧层的横向高压器件在N型漂移区和P型衬底之间引入阶梯型的埋氧层，并且按照从源到漏逐渐增加，较好优化了漂移区内电荷分布，屏蔽衬底辅助耗尽效应，从而使得超结层达到了电荷平衡增加了器件的横向击穿电压。另外阶梯型的埋氧层也起到了固定空穴的作用使得埋层上界面空穴浓度大大增加，从而使得埋层电场得到了增加，提高器件的纵向击穿电压。本发明的有益效果为，具有耐高压，同时降低了工艺难度。
埋氧层横向高压器件空穴阶梯型超结衬底埋层半导体功率器件横向击穿电压纵向击穿电压漂移电场电荷分布电荷平衡工艺难度耗尽效应逐渐增加超结层耐高压屏蔽引入优化

[发明专利]带控制装置的挖穴机及控制方法-CN201210324402.8有效
发明人：王海建;马海鹏;陈晓平;吴怡清;林嘉俊;邓正俊;李震;朱余清;洪添胜 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： A01C5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带控制装置的挖穴机，包括汽油机和钻头，钻头上端与汽油机连接，还包括供电单元、继电器单元、霍尔传感器检测单元、超声波检测单元、直流电机、单片机、电机驱动单元和传动机构，所述供电单元同时与继电器单元、霍尔传感器检测单元、超声波检测单元、单片机、直流电机连接，继电器单元分别与直流电机和单片机连接，霍尔传感器检测单元和超声波检测单元同时连接于单片机，直流电机通过传动机构与汽油机连接，电机驱动单元与单片机连接，同时电机驱动单元通过继电器单元与直流电机连接。本带控制装置的挖穴机通过利用控制装置对钻头的升降及升降速度进行控制，从而令操作人员在挖穴过程省力、安全，且工作效率高。
控制装置挖穴机方法

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