[发明专利]一种具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结功率器件

摘要

本发明涉及的高耐压低比导的超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规超结结构中引入分段P型埋层，该P型埋层位于漂移区和衬底之间。引入的分段P型埋层辅助耗尽N型漂移区，降低开态时器件的比导通电阻，在关态时调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压。从源到漏长度渐变的P型埋层可以优化漂移区内的电荷分布，在源端减少漂移区对于超结层的电荷补偿而在漏极一侧增加漂移区对超结层的电荷补偿，实现超结层的电荷平衡。采用本发明可获得各种性能优良的具有分段P型埋层的高耐压低比导横向超结半导体功率器件。

主权项

1.高耐压低比导的分段P型埋层超结器件，其特征在于：其元胞结构包括P型衬底（1）、N型漂移区（21）、P型体区（31）、第一N型重掺杂区（23）、第一P型重掺杂区（32）、第二N型重掺杂区（24）、N型掺杂条（22）、P型掺杂条（33）、源极电极（51）、多晶硅（52）、栅氧化层（41）、漏极电极（53）、衬底电极（54）；所述P型衬底（1）上表面设置N型漂移区（21）；所述N型漂移区（21）中设置有P型体区（31），其上表面与N型漂移区（21）部分上表面相接，其下表面与P型衬底（1）的部分上表面相接；所述P型体区（31）内部设置有N型重掺杂区（23）和P型重掺杂区（32）；所述源极电极（51）设置在P型重掺杂区（32）和第一N型重掺杂区（23）的上表面，其右端覆盖部分的第一N型重掺杂区（23），所述栅氧化层（41）设置在P型体区（31）上表面，其左端覆盖部分的第一N型重掺杂区（23），其上表面与多晶硅（52）的下表面接触；所述N型漂移区（21）中设置有第二N型重掺杂区（24），其上表面与N型漂移区（21）部分上表面相接，其右表面与N型漂移区（21）部分右表面相接，其上表面设置有漏极电极（53）；所述N型漂移区（21）中沿Z轴方向交替设置有N型掺杂条（22）和P型掺杂条（33），其左表面延伸入到P型体区（31）中，并且与第一N型重掺杂区（23）相互独立，其右表面与第二N型重掺杂区（24）相接触，其上表面与N型漂移区（21）上表面相接，其下表面不与P型衬底（1）上表面相接触。