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[发明专利]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201510756113.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，所述增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，所述耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201520890627.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[发明专利]双向阻断型浪涌保护器件-CN200910199068.6有效
发明人：苏海伟;张关保;张婷;吴兴农;李星 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H02H3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连
双向阻断浪涌保护器

[发明专利]一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法-CN202010158695.1在审
发明人：诸葛福伟;俞世文;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于整流器领域，并具体公开了一种基于二维材料的场效应整流器及其制备方法。该场效应整流器包括从下至上依次设置的衬底、沟道层和耗尽层，同时还包括设置在耗尽层两侧的源极和漏极，其中沟道层由二维二硫化钼制成，以此降低场效应整流器的器件尺寸，耗尽层用于耗尽沟道层的载流子，用于提高场效应整流器的场效应调控能力本发明采用二维二硫化钼材料作为场效应整流器的沟道层，使得器件尺寸得到了极大的降低，有利于实现更大的集成度，同时本发明通过增设耗尽层，用于耗尽沟道层的载流子，能够有效提升电场对于沟道层的调控性能，使得基于二维材料的场效应整流器获得较大的整流比
一种基于二维材料场效应整流器及其制备方法

[发明专利]一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110105996.9无效
发明人：陈万军;魏进;汪志刚;张竞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结场效应晶体管的栅极与MOS管的源极互连；MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管之间采用介质隔离槽隔离。本发明通过控制与耗尽型GaN异质结场效应晶体管相串联的低压MOS管的开关状态实现了将耗尽型GaN异质结场效应晶体管向增强型GaN异质结场效应晶体管的转变，不仅具有低压MOS器件的常关型特性，而且具有耗尽型GaN异质结场效应晶体管的高耐压、低导通电阻等优点，具有良好的频率特性和输出功率密度，适用于高频、大功率领域。
一种基于 mos 控制增强 gan 异质结场效应晶体管

[实用新型]一种断电快速放电的X电容放电电路-CN202221225757.7有效
发明人：黄子田 -专利权人：东莞市石龙富华电子有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种断电快速放电的X电容放电电路，涉及X电容放电技术领域，包括X电容C1、耗尽型P沟道场效应管Q3、第一放电负载、第二放电负载和第三放电负载，第一放电负载和第二放电负载串联后与X电容C1的两端连接，耗尽型P沟道场效应管Q3的门极连接在第一放电负载与第二放电负载之间，耗尽型P沟道场效应管Q3的漏极和耗尽型P沟道场效应管Q3的源极连接在与X电容C1的两端，其中，第三放电负载位于耗尽型P沟道场效应管Q3的漏极与X电容C1之间或位于耗尽型P沟道场效应管Q3的源极与X电容C1之间，结构简洁、设计合理，充分利用耗尽型P沟道场效应管的有电关闭，无电导通的特性，既实现了快速放电功能又满足功耗要求，安全性更好
一种断电快速放电电容电路

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211653461.X在审
发明人：钱振华;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，屏蔽栅场效应晶体管包括一定数目的电极结构，一定数目的电极结构中存在第一电极结构，第一电极结构包括：栅极、氧化层和P型辅助耗尽层；栅极设置于P型辅助耗尽层的上方；栅极被氧化层包围，P型辅助耗尽层与氧化层相离。本发明提出的屏蔽栅场效应晶体管中将部分屏蔽栅去除，并在深槽间区域引入了P型辅助耗尽层进行电荷平衡效应的补偿，实现了缓变的耗尽效果，从而使屏蔽栅场效应晶体管具备缓变的输出电容，改善了屏蔽栅场效应晶体管输出电容的非线性程度，降低了屏蔽栅场效应晶体管在实际应用中产生的电压震荡和电磁干扰，提高了屏蔽栅场效应晶体管的性能。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]阻断型浪涌保护器件-CN200910199069.0有效
发明人：苏海伟;张关保;张婷;吴兴农;李星 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H02H3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。
阻断浪涌保护器

[发明专利]基于差分结构的GaAs逻辑单元及其串并转换电路-CN201510051935.7有效
发明人：陈普锋 -专利权人：天津中科海高微波技术有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H03M9/00 文献下载
摘要：所述的逻辑单元包括差分输入逻辑门以及由耗尽型场效应管D1、耗尽型场效应管D2、电阻R1、电阻R2组成的负载；其中，耗尽型场效应管D1和D2的漏极分别接地，耗尽型场效应管D1和D2的源极分别与所述电阻R1和电阻R2的一端连接，所述电阻R1另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D1的栅极，所述电阻R2另一端分别接所述差分输入逻辑门和耗尽型场效应管D2的栅极。
场效应管耗尽型电阻逻辑单元串并转换电路输入逻辑门差分结构电源电压一端连接接地功耗漏极源极

[发明专利]深耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法-CN201210150813.X有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种深耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法，将传统深耗尽沟道场效应晶体管形成在衬底中的沟道区改为设置于衬底上的垂直型结构，并优化了深耗尽沟道场效应晶体管的结构，在降低器件功耗，解决FET阈值电压变异的同时，可增大FET沟道内的电流密度，提高半导体的响应速度，提升半导体器件性能，且由于沟道区垂直型结构的设计，因此，不需要制作传统深耗尽沟道场效应晶体管中的穿通阻止区和屏蔽区，进而简化了工艺步骤并节省了成本。
耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]电子电路、电子电路装置和制造电子电路的方法-CN200610081881.X有效
发明人： C·鲁斯;T·舒尔茨;N·乔哈里 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：电子电路具有带有至少一个多栅极功能场效应晶体管的功能电路和带有至少一个多栅极ESD保护场效应晶体管的ESD保护电路。多栅极功能场效应晶体管被构造为完全耗尽型场效应晶体管，而多栅极ESD保护场效应晶体管被构造为部分耗尽型场效应晶体管。
电子电路装置制造方法

[实用新型]一种过流过压保护恒流源电路-CN200820203188.X无效
发明人：吴俊纬 -专利权人：广州南科集成电子有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型包括直流电源(1)、负载(3)，所述过流过压保护恒流源电路还包括一个耗尽型场效应晶体管(4)，所述直流电源(1)、所述负载(3)、所述耗尽型场效应晶体管(4)相串联构成回路，所述耗尽型场效应晶体管(4)的漏极为一接点，所述耗尽型场效应晶体管(4)的源极与栅极相短接构成另一接点。
一种流过保护恒流源电路

[实用新型]全自动固态断路器-CN201120104648.5无效
发明人：盛况 -专利权人：盛况
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：它包括相互电连接的耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻，所述耗尽型晶体管为耗尽型结型场效应晶体管JFET或耗尽型金属场效应晶体管MOSFET，增强型晶体管为增强型结型场效应晶体管JFET或增强型金属场效应晶体管MOSFET或双极性晶体管，所述耗尽型晶体管有至少有一个，增强型晶体管至少有两个，电阻至少有两个。
全自动固态断路器

[实用新型]一种恒流电路-CN202223299165.2有效
发明人：李建华;洪浩;闫军政 -专利权人：贵州振华群英电器有限公司（国营第八九一厂）
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种恒流电路，该电路包括耗尽型场效应管V1、电阻R1和电流采集电阻R2，所述耗尽型场效应管V1的漏极作为恒流电路的一输入端，用于电源正接入；所述电阻R1的一端连接在所述耗尽型场效应管V1的栅极，所述电流采集电阻R2的一端连接在所述耗尽型场效应管V1的源极；所述电阻R1的另一端和所述电流采集电阻R2的另一端连接在一起作为恒流电路的另一输入端，用于电源负接入；所述电流采集电阻R2上通过电流的最大值所形成的电压与所述耗尽型场效应管
一种流电

[发明专利]一种场效应管和反向二极管组成的二极管等效电路-CN201610551967.8在审
发明人：吴为 -专利权人：吴为
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应管和反向二极管组成的二极管等效电路，包括用于等效二极管的电路和用于驱动二极管等效电路的驱动电路，所述二极管等效电路由N沟道耗尽型场效应管M1、反向二极管D1，驱动电路及二极管等效电路的新阳极DA、新阴极DK构成，其中N沟道耗尽型场效应管M1的源极 S连接反向二极管D1 的阳极，N沟道耗尽型场效应管M1的漏极D连接新阴极DK，反向二极管D1 的阴极连接新阳极DA，驱动电路生成MOSG控制信号来控制N沟道耗尽型场效应管M1的栅极G。本发明的有益之处是：门限电压非常低，几乎只要大于0V就可以开始将交流转换成直流；增加耗尽型场效应管来修正反向二级管双向导通问题；不需要额外的电压源来驱动；可以通过增加一个倍压电路或者其他类似的交流转直流整流电路来更好的驱动场效应管
一种场效应反向二极管组成二极管等效电路

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