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[发明专利]机器学习管道骨架实例化-CN202210138131.0在审
发明人： 吉田浩章;穆库尔·R·普拉萨德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本公开涉及机器学习管道骨架实例化。操作包括获得机器学习ML管道骨架模型，其被配置成生成ML管道骨架，该管道骨架指示用来处理新ML项目的新数据集的一组第一功能块。对于所述一组第一功能块中的每个相应第一功能块，所述操作包括识别由ML管道骨架模型使用的训练数据以确定管道骨架的相应第一功能块。所述操作还包括识别现有ML管道的与训练数据相关联的代码片段。此外，所述操作包括基于与用来确定第一功能块的训练数据相关联的代码片段来选择用于相应第一功能块的实例化的代码片段。
机器学习管道骨架实例

[发明专利]软件程序修复示例的生成-CN202111153873.2在审
发明人： 吉田浩章;臧志强;穆库尔·R·普拉萨德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：公开了软件程序修复示例的生成。操作可以包括生成软件程序的源代码的有漏洞版本的第一图形表示以及生成该源代码的修复版本的第二图形表示。有漏洞版本可能包括错误，并且该错误已经在修复版本中被纠正。操作还可以包括将彼此匹配的第一图形表示的第一节点和第二图形表示的第二节点识别为匹配节点。另外地，操作可以包括将相同的约简同时应用于第一节点和第二节点，以生成源代码的约简的有漏洞版本和源代码的约简的修复版本。此外，操作可以包括生成关于纠正错误的修复示例，其中，修复示例基于约简的有漏洞版本和约简的修复版本。
软件程序修复示例生成

[发明专利]静态分析违规的修复策略的自动改善和半自动改善-CN202010806722.1在审
发明人： 吉田浩章;穆库尔·普拉萨德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F8/77 文献下载
摘要：根据实施方式的一个方面，操作可以包括检索修复模式的集合和软件程序的第二违规集合。操作还可以包括：从所检索的第二违规集合中选择未修正的违规，并且从修复模式的集合中选择修复模式。操作还可以包括执行第一操作集合，用于改善修复模式。第一操作集合可以包括对所选择的未修正的违规应用所选择的修复模式，基于确定修复结果对应于违规来从修复模式的集合中移除所应用的修复模式。第一操作集合还可以包括重新选择下一修复模式作为所选择的修复模式。操作还可以包括通过针对修复模式的集合迭代地执行第一操作集合来获得改善的修复模式的集合。
静态分析违规修复策略自动改善半自动

[发明专利]解释性且可执行的修复示例的生成-CN202010886813.0在审
发明人： 吉田浩章;穆库尔·R·普拉萨德 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06F8/72 文献下载
摘要：本发明提供的方法包括获得第一软件程序的第一部分中的第一违例以及获得用以修补第一违例的第一提议补丁。方法包括识别具有包括第二违例的第二部分的第二软件程序。方法可以包括通过去除第二部分中被识别为不必要的一个或更多个元素来简化第二软件程序的第二部分。方法可以包括将第一违例的第一提议补丁应用于简化第二部分以生成经修复的简化第二部分。方法可以包括由修复的简化第二部分获得可执行的经修复简化第二部分。方法可以包括将第二违例和可执行的经修复简化第二部分提供为第一提议补丁将如何影响第一违例和第一软件程序的示例。
解释性可执行修复示例生成

[外观设计]温水清洗便座用遥控器-CN201830063415.2有效
发明人： 吉田浩章 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：温水清洗便座用遥控器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为对温水清洗便座的操作进行遥控的器件。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计温水清洗便座遥控器遥控图片

[外观设计]带有局部清洗器的便座-CN201830063554.5有效
发明人： 吉田浩章;吉田尚史;来田充弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： 23-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：带有局部清洗器的便座。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为具有设置在西式便器上而从主体壳体的喷嘴喷出温水来进行便后局部清洗的功能的卫生设备。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计局部清洗器便座卫生设备局部清洗西式便器主体壳体喷嘴喷温水图片

[外观设计]人感应器-CN201830063411.4有效
发明人： 吉田浩章 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：人感应器。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于作为检测人的存在与否的感应器。3．本外观设计产品的设计要点：如立体图所示的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．在“表示透光部的参考图”中，灰色部位具有透光性。
外观设计感应器透光性透光检测图片

[外观设计]暖风机-CN201730035217.0有效
发明人： 吉田浩章;山本哲也;重浦朝大 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称暖风机。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于吹出暖风，提高房屋温度。3．本外观设计产品的设计要点如立体图所示的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图1。
暖风机

[发明专利]具有保护膜的复合衬底和制造半导体器件的方法-CN201280003355.5无效
发明人：佐藤一成;吉田浩章;山本喜之;八乡昭广;松原秀树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有保护膜的复合衬底(2Q)，其包含支持衬底(10)、布置在所述支持衬底(10)上的氧化物膜(20)、布置在所述氧化物膜(20)上的半导体层(30a)、和保护膜(40)，所述保护膜(40)通过覆盖作为所述氧化物膜(20)的一部分且未被所述支持衬底(10)和所述半导体层(30a)覆盖的部分(20s、20t)来保护所述氧化物膜(20)。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的步骤；和在所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的所述半导体层(30a)上外延生长至少一层功能半导体层的步骤，所述至少一层功能半导体层使得呈现半导体器件的必要功能。由此，提供了一种具有保护膜的复合衬底，其具有其中可以外延生长高品质功能半导体层的大的有效区域；和一种制造半导体器件的方法，其中使用所述具有保护膜的复合衬底。
具有保护膜复合衬底制造半导体器件方法

[发明专利]III族氮化物复合衬底-CN201180025487.3无效
发明人：佐藤一成;吉田浩章;山本喜之;八乡昭广;松原秀树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种III族氮化物复合衬底(1)，其包含支持衬底(10)；在所述支持衬底(10)上形成的氧化物膜(20)；和在所述氧化物膜(20)上形成的III族氮化物层(30a)。所述氧化物膜(20)可以为选自由TiO2膜和SrTiO3膜组成的组中的膜，并且在所述氧化物膜中可添加有杂质。因此，提供其中支持衬底和III族氮化物层之间的结合强度高的III族氮化物复合衬底。
iii 氮化物复合衬底

[发明专利]发光器件制造方法-CN201110251381.7无效
发明人：藤原伸介;吉田浩章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光器件制造方法，其特征在于，在III族氮化物晶体衬底上形成至少单层的III族氮化物层，所述III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm-2至3×106cm-2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。优选地，所述螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.9以上。所制得的发光器件具有高发光强度。
发光器件制造方法

[发明专利]生长GaN晶体的方法-CN200980127791.1无效
发明人：上松康二;吉田浩章;森下昌纪;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
生长 gan 晶体方法

[发明专利]PON系统、PON系统中的站侧装置及其控制方法-CN200980100342.8有效
发明人： 吉田浩章;横本徹哉;重留広二 -专利权人：富士通网络通讯株式会社
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： H04L12/44 文献下载
摘要：本发明一个实施方式的OLT(10)具有：分配请求接收部(54)，从1G-ONU(16)和10G-ONU(18)分别接收频带分配请求；分配执行部(56)，按照基于时间分配的公平性的分配规则或基于传输量分配的公平性的分配规则向各ONU分配用于使之发送数据的时隙；以及分配结果通知部(58)，将时隙的信息通知给各ONU。
pon 系统中的装置及其控制方法

[发明专利]生长Ⅲ族氮化物晶体的方法-CN200880110221.7无效
发明人：上松康二;吉田浩章;弘田龙;藤原伸介;田中晴子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。
生长氮化物晶体方法

[发明专利]第Ⅲ族氮化物晶体衬底、发光器件及其制造方法-CN200810178828.0无效
发明人：藤原伸介;吉田浩章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了适用于发光器件中的可用的第III族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm²的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×10⁴cm^-2至3×10⁶cm^-2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。
氮化物晶体衬底发光器件及其制造方法

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