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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910179123.5有效
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及川贵弘
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三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
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2009-09-29
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2010-05-26
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H01L23/482
- 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其目的为抑制半导体器件在使用时因为热所导致的翘曲，以提升半导体器件的可靠性。本发明的半导体器件是在构成纵型MOS晶体管的半导体衬底(10)的表面上，形成有与源极区域连接的源极电极连接部(18)。在源极电极连接部(18)形成有通过镀覆法所形成的表面电极(23)。在表面电极(23)连接有凸块电极(31)，而表面电极(23)由露出凸块电极(31)的保护膜(26)所覆盖。另一方面，在半导体衬底(10)的背面上，形成有与漏极区域连接的背面电极(30)。表面电极(23)与背面电极(30)由具有相同线膨胀系数的金属所构成，较佳为铜所构成。此外，表面电极(23)与背面电极(30)较佳为具有相同厚度，或大略相同厚度。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710101040.5有效
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及川贵弘
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三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
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2007-04-23
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2008-04-02
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H01L21/28
- 本发明涉及一种具有通路孔的半导体装置及其制造方法，其目的在于，能够同时实现防止通路孔内的阻挡层覆盖不足和控制通路电阻这两种功能。准备其表面上具有焊盘电极(3)的半导体衬底(1)。然后从半导体衬底(1)的背面向表面方向进行蚀刻，形成使焊盘电极(3)露出的通路孔(8)。接着，用溅射法或者PVD法以及反向溅射法(蚀刻)在通路孔(8)内形成第一阻挡层(11)。通过进行该反向溅射，除去通路孔(8)底部的阻挡层，使焊盘电极(3)露出。然后，在通路孔内露出的焊盘电极(3)上形成第二阻挡层(12)。通过只调节第二阻挡层(12)的膜厚来控制通路电阻。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]紫外线照射装置-CN200610087688.7无效
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堀江健嗣;中下直哉;及川贵弘;饭田雄介;井上宏之
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欧姆龙株式会社
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2006-05-31
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2006-12-06
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G01B11/00
- 本发明提供一种正在照射紫外线时能够轻易地监视工件的状态的紫外线照射装置。照射部(2)对基体材料(24)上的照射点照射紫外线。然后，摄像部(20)配置在基体材料(24)的垂直上方，并拍摄照射点附近。图像处理部(16)基于从摄像部(20)接收到的图像信号来生成图像，进而，从生成的图像中抽取工件的位置，并计测工件的移动量。控制部(4)从图像处理部(16)接收到所生成的图像以及计测到的工件的移动量，并显示在显示部(8)上。然后，控制部(4)判断所计测到的工件的移动量是否超出规定的阈值，若超出规定的阈值，则对显示部(8)或音频输出部(18)通知超出了规定的阈值。
- 紫外线照射装置
- [发明专利]紫外线照射装置-CN200610073869.4有效
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饭田雄介;中下直哉;井上宏之;及川贵弘;堀江健嗣
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欧姆龙株式会社
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2006-04-06
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2006-10-18
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B05D3/06
- 本发明提供一种具有能够以高精度进行寿命管理的指标的紫外线照射装置。控制部(4)接受从光源用电源部(6)供给到各个照射部(2)的电流值，并按照所规定的每个控制周期进行积算。然后，控制部(4)对积算了的电流值乘以UV光源(16)的电压降，来计算UV光源(16)的照射能量。并且，控制部(4)在从照射部(2)的存储部(18)中读出的照射能量的累积值上加上所计算出的照射能量，并用该合计后的值更新存储部(18)存储的照射能量的累积值。另外，控制部(4)将计算出的UV光源(16)的照射能量以及照射能量的累积值等显示在显示部(8)上。
- 紫外线照射装置
- [实用新型]光电传感器-CN03205328.2无效
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及川贵弘;千贺匡
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欧姆龙株式会社
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2003-08-05
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2005-03-16
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G01D5/26
- 一种长距离型的光电传感器，可以提高有关投射光束各个方面的设定自由度。该光电传感器一体或者分体地具有向检测对象区域投射检测媒体光的投射光部和接收来自前述检测对象区域的反射光或者透射光的接收光部，前述投射光部中包含有产生检测媒体光的光源和投射光透镜，前述投射光透镜用于使来自前述光源的检测媒体光平行化或者聚光，并将射束光点或者聚焦点形成在前述检测对象区域内。前述投射光部中还包含有偏角调整装置，可微调从投射光部向检测对象区域投射的检测媒体光的光轴偏角。
- 光电传感器
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