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[发明专利] 存储器装置的形成方法 -CN201810667484.3 有效
发明人：
卓旭棋 ;杨政达
- 专利权人：
华邦电子股份有限公司
申请日：
2018-06-26
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公布日：
2023-08-08
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主分类号：
H10B41/35 文献下载
摘要： 本发明提供一种存储器装置的形成方法。存储器装置的形成方法包括在衬底上形成浮栅极，以及在浮栅极上形成控制栅极。存储器装置的形成方法也包含在控制栅极上形成遮罩层，以及在遮罩层的侧壁上形成间隙物，其中间隙物覆盖控制栅极的侧壁和浮栅极的侧壁。存储器装置的形成方法还包括实施离子注入工艺以将掺质注入间隙物的上部，以及实施湿法腐蚀工艺以暴露出控制栅极的侧壁。本发明具有防止湿法腐蚀液沿着氧化物中的孔隙和孔洞向下刻蚀，每一个控制栅极暴露出的侧壁部分具有大抵相同的高度，以及实施离子注入工艺并不会对控制栅极和浮栅极的电性造成影响的有益效果。存储器 装置 形成 方法
[发明专利] 存储器装置 -CN202210093465.0 在审
发明人：
赖志强
- 专利权人：
华邦电子股份有限公司
申请日：
2022-01-26
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公布日：
2023-08-04
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主分类号：
G11C8/08 文献下载
摘要： 本发明提供了一种存储器装置，其耦接一存储器控制器，存储器装置包括一存储单元以及一存取电路。存储单元包括多个存储胞。每一存储胞耦接一字线。存取电路配置于存储器控制器与存储单元之间，并与存储器控制器及存储单元耦接。在一正常模式下，当存储器控制器发出一自动刷新指令时，存取电路对至少一字线所耦接的存储胞进行一刷新操作。在一待机模式下，存取电路每隔一特定时间，选择字线的一者，并根据所选择的字线的保持数据能力，决定是否对所选择的字线所耦接的存储胞进行刷新操作。在本发明中，存储器对数据保存能力较好的存储胞进行较少次的刷新操作，故可减少存储器于待机模式下的功耗。存储器 装置
[发明专利] 字节编程方法以及页面编程方法 -CN201710783560.2 有效
发明人：
林宏学
- 专利权人：
华邦电子股份有限公司
申请日：
2017-08-31
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公布日：
2023-08-04
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主分类号：
G06F12/02 文献下载
摘要： 本发明公开了一种字节编程方法以及页面编程方法，字节编程方法用以将储存于页面暂存器的数据编程至非挥发性存储器阵列，包括：读取页面暂存器的选定的字节的数据，用以编程至选定的栏位址所对应的非挥发性存储器阵列中的存储器单元；判断是否依据选定的栏位址更新阵列栏位址，包括：判断选定的字节的数据是否符合特定内容；当选定的字节的数据符合特定内容时，不更新阵列栏位址；以及当选定的字节的数据不符合特定内容时，根据选定的栏位址更新阵列栏位址；以及判断选定的栏位址是否为最后栏位址。根据本发明，当页面暂存器的某一字节符合特定内容时，即不更新阵列栏位址，以减少位元线位址不必要的切换过程的电流损耗。字节 编程 方法 以及 页面
[发明专利] 电源启动读取电路 -CN202210036798.X 在审
发明人：
陈宗仁
- 专利权人：
华邦电子股份有限公司
申请日：
2022-01-13
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公布日：
2023-07-25
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主分类号：
G11C16/30 文献下载
摘要： 本发明提供一种电源启动读取电路。电源启动读取电路包括电源电压检测器、第一升压器、电压选择器、参考电压产生器以及读取电压产生器。电源电压检测器检测电源电压以产生控制信号。第一升压器根据控制信号以产生第一升压电压。电压选择器选择电源电压或第一升压电压以产生选中电压。参考电压产生器接收选中电压以作为操作电源，基于选中电压以根据控制信号来产生参考电压。读取电压产生器根据参考电压以及频率信号以产生第二升压电压，基于第二升压电压以根据控制信号来产生读取电压。其中读取电压被提供至存储单元阵列以执行数据读取动作。电源 启动 读取 电路
[发明专利] 半导体结构及其形成方法 -CN201811450645.X 有效
发明人：
倪志荣 ;周全启 ;蔡耀庭
- 专利权人：
华邦电子股份有限公司
申请日：
2018-11-30
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公布日：
2023-07-14
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主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括基板、栅极结构、以及第一间隔物。上述栅极结构包括浮动栅极结构、栅极间介电层、及控制栅极结构。上述浮动栅极结构设置在基板上。上述栅极间介电层设置在浮动栅极结构上。上述控制栅极结构设置在栅极间介电层上，且包括电极层、接触层及盖层。电极层设置在栅极间介电层上。接触层设置在电极层上。盖层设置在接触层上。上述第一间隔物设置在上述控制栅极结构的侧壁上，并覆盖电极层、接触层、及盖层，且第一间隔物的底面介于电极层的底面及顶面间。本发明可避免制造半导体结构时所发生的扩散现象，防止发生字线漏电的问题，减轻在沉积牺牲多晶硅时所产生的孔洞或缝隙，从而增加工艺良率。半导体 结构 及其 形成 方法
