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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器件及其制造方法-CN202110432423.0在审
  • 陈达;白田理一郎 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-21 - 2022-10-21 - H01L27/11524
  • 本发明提供一种存储器件及其制造方法，存储器件包括：衬底、堆叠结构、沟道层以及电荷存储结构。堆叠结构位于所述衬底上，包括交替堆叠的多个绝缘层与多个导电层，且所述堆叠结构中具有孔。沟道层位于所述孔中，包括第一部分与第二部分。所述第二部分的晶界数低于所述第一部分的晶界数。电荷存储结构位于所述第一部分与所述多个导体层之间，且所述电荷存储结构与所述第二部分将所述第一部分夹于其中。
  • 存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110432438.7在审
  • 庄哲辅;廖修汉 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-21 - 2022-10-21 - H01L21/28
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底的周边区的第一区与第二区上形成第一栅介电层，并在衬底上形成第一导体层以及第一硬掩模层；在所述第一区的所述第一硬掩模层上形成第一掩模层；移除所述第一区以外的所述第一硬掩模层；移除所述第一掩模层；以所述第一硬掩模层为掩模，进行湿式刻蚀工艺，移除所述第一区以外的所述第一导体层以及所述第一栅介电层；移除所述第一硬掩模层与所述第一导体层；于所述第二区形成第一栅介电层；以及于所述第一区形成第一栅极导体层，并于所述第二区形成第二栅极导体层。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体存储器结构-CN202110422428.5在审
  • 张皓筌;杨峻昇 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-20 - 2022-10-21 - H01L23/538
  • 一种半导体存储器结构，包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、以及设置于位线一侧的电容接触件。电容接触件包含设置于半导体基板上的半导体插塞、设置于半导体插塞上的金属插塞、沿着金属插塞的侧壁和底部延伸的金属硅化物衬层、以及设置于金属硅化物衬层上的氮化物层。金属硅化物衬层的顶表面低于金属插塞的顶表面。氮化物层围绕金属插塞的顶部。
  • 半导体存储器结构
  • [发明专利]低压差稳压器以及调节低压差稳压器的方法-CN202011239801.5有效
  • 金正雄 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-11-09 - 2022-10-21 - G05F1/565
  • 本发明提供一种调节低压差(LDO)稳压器的方法。方法包含：通过从低压差稳压器的输出节点接收反馈来产生反馈电压；通过接收反馈电压和参考电压来产生用以驱动传输元件的控制信号；通过检测电路来检测第一节点的电压且根据检测结果来控制第一开关的切换操作。当低压差稳压器在主动模式下操作时，第一开关接通以使第一节点与传输元件的控制端连接，且当低压差稳压器在待机模式下操作时，第一开关断开以使第一节点与传输元件的控制端断开连接。还提供一种低压差(LDO)稳压器。
  • 低压稳压器以及调节方法
  • [发明专利]半导体内存装置-CN202110388130.7在审
  • 伊藤豊 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-12 - 2022-10-18 - G11C11/406
  • 本发明提供一种半导体内存装置。半导体内存装置包括温度传感器、多个内存区块以及刷新控制器。温度传感器检测半导体内存装置内部的装置温度，以产生相对应的温度信号。每一个内存区块包括具有多个易失性内存单元的内存单元阵列以及多个字线。刷新控制器监视对于多个字线的存取，对在规定期间内出现规定次数的存取进行检测，并且将对应于刷新操作命令的刷新操作，分配成第一刷新操作或第二刷新操作。
  • 半导体内存装置
  • [发明专利]半导体装置及擦除方法-CN202210124034.6在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-02-10 - 2022-10-18 - G11C16/34
  • 本发明提供一种半导体装置及擦除方法，可控制擦除脉冲的施加次数。本发明的闪速存储器的擦除方法是先以不同的写入电平对区块内的多个牺牲存储单元进行编程，在响应于擦除命令而对选择区块进行擦除时，将监视用擦除脉冲(R1)施加至阱，然后，对多个牺牲存储单元进行检验(S_EV)，当检验不合格时，增加监视用擦除脉冲的电压之后施加监视用擦除脉冲(R2)，直至多个牺牲存储单元的检验合格为止，当检验合格时，基于监视用擦除脉冲(R2)的电压，将通常的擦除脉冲(Q1)施加至阱(Well)来对选择区块进行擦除。
  • 半导体装置擦除方法
  • [发明专利]半导体装置及读出方法-CN202210126910.9在审
  • 妹尾真言;冈部翔 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-02-11 - 2022-10-18 - G11C16/24
  • 本发明提供一种半导体装置以及读出方法，能够实现高速读出的效能。本发明的NAND型快闪存储器包含选择偶数位线或奇数位线的位线选择电路、以及连接于位线选择电路的页面缓冲器/读出电路。快闪存储器的读出方法包含：通过连接于位线选择电路的虚拟电源(VIRPWR)来对选择位线进行预充电的步骤(步骤#1)；以及与选择位线的预充电并行地通过电压供给节点(V1)进行锁存电路(L1)的初始化(步骤#1_2)以及通过电压供给节点(V1)进行页面缓冲器/读出电路(170)的初始化(步骤#1_3)。
  • 半导体装置读出方法
  • [发明专利]存储器组件及其制造方法-CN202110400165.8在审
  • 王琮玄 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-14 - 2022-10-18 - H01L27/11524
  • 本发明提供一种存储器组件及其制造方法，存储器组件包括：衬底、多个第一堆叠结构以及多个第二堆叠结构。衬底包括阵列区与周边区。第一堆叠结构配置在阵列区的衬底上。每一个第一堆叠结构依序包括：第一穿隧介电层、第一浮置栅极、第一栅间介电层、第一控制栅极、第一金属层、第一顶盖层以及第一停止层。第二堆叠结构配置在周边区的衬底上。每一个第二堆叠结构依序包括：第二穿隧介电层、第二浮置栅极、第二栅间介电层、第二控制栅极、第二金属层、第二顶盖层以及第二停止层。第一堆叠结构的图案密度大于第二堆叠结构的图案密度。
  • 存储器组件及其制造方法
  • [发明专利]静电防护电路-CN202110371354.7在审
  • 吴乃圣;王昭龙 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-07 - 2022-10-14 - H02H9/04
  • 本发明提供一种静电防护电路，包括可控硅整流元件以及晶体管。可控硅整流元件包括第一端、第二端及第三端。可控硅整流元件的第一端耦接至第一焊垫。可控硅整流元件的第二端耦接至第二焊垫。晶体管包括第一端、第二端及控制端。晶体管的第一端耦接至第一焊垫。晶体管的第二端耦接至第二焊垫。晶体管的控制端耦接至可控硅整流元件的第三端。
  • 静电防护电路
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110360937.X在审
  • 张峰荣 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-04-02 - 2022-10-11 - H01L27/108
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括一基底以及设置于基底内的一埋入式栅极结构。埋入式栅极结构是包含栅极介电层、第一功函数层、一阻障层以及第二功函数层。栅极介电层是位于基底中的沟槽的侧壁和底面上。第一功函数层位于沟槽中，且接触前述栅极介电层的侧壁和底面。阻障层位于第一功函数层的顶面上。第二功函数层则位于前述阻障层的上方，且第二功函数层的侧壁是与栅极介电层之间相隔一距离。半导体结构更包括位于沟槽中且位于第二功函数层上的一绝缘层。本发明中，第二功函数层的功函数小于第一功函数层的功函数，可以减少第二功函数层于基底中引发的电场，进而调整栅极通道的宽度以抑制栅极引发漏极漏电流。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及连续读出方法-CN202210121583.8在审
  • 冈部翔 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-02-09 - 2022-10-04 - G11C16/24
  • 本发明提供一种半导体装置及抑制由预充电时间增加引起的预充电电压的变动的连续读出方法。本发明的NAND型闪速存储器的连续读出方法包括以下步骤：向与位线连接的晶体管(BLCLAMP)的栅极施加第一电压(VCLMP1+Vth)，经由晶体管(BLCLAMP)向位线供给电压而开始位线的预充电；以及在施加第一电压引起的预充电时间经过了一定时间时，向晶体管(BLCLAMP)的栅极施加比第一电压低的第二电压(VCLMP1+Vth‑α)。
  • 半导体装置连续读出方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110332090.4在审
  • 许博砚;吴伯伦;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-03-29 - 2022-10-04 - H01L45/00
  • 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110339425.5在审
  • 林育祈 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-03-30 - 2022-10-04 - H01L23/48
  • 本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：衬底、栅极、源极/漏极区、第一介电层、蚀刻停止层、第二介电层、附加介电层、导电接触件以及位线。栅极位于衬底上。源极/漏极区在衬底中位于栅极侧边。第一介电层位于栅极上方。蚀刻停止层位于第一介电层上。第二介电层位于蚀刻停止层上。附加介电层位于第二介电层及蚀刻停止层中。导电接触件穿过第一介电层且电性连接至源极/漏极区。位线穿过第二介电层、蚀刻停止层以及附加介电层，且与导电接触件电性连接。
  • 半导体装置及其形成方法
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