“冀子武”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]利用能带剪裁提高发光效率的AlGaN/AlGaN多量子阱基LED结构及其制备方法-CN202310180001.8在审
发明人： 冀子武;邓建阳;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用能带剪裁提高发光效率的AlGaN/AlGaN多量子阱基LED结构及其制备方法，属于微电子技术领域，LED结构自下而上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、n型AlzGa1‑zN层、脉冲型AlGaN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、p型AlGaN层和P型GaN盖帽层；多量子阱有源区的每个阱层都含有若干个具有某一厚度的阱内势垒AlaGa1‑aN，其中0＜x＜z＜1，0＜x＜a＜y≤1。本发明不仅在低激发下可以抑制载流子的空间分离从而降低量子限制斯塔克效应，而且在高激发下由于阱内势垒的作用减弱或消失，因而不会加剧载流子的泄露，从而提高了紫外LED的发光效率。
利用能带剪裁提高发光效率 algan 多量子阱基 led 结构及其制备方法

[发明专利]一种防蓝光室内有机光伏器件结构及其制备方法-CN202210896039.0在审
发明人：殷航;吴宗豪;郝晓涛;冀子武 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种防蓝光室内有机光伏器件结构及其制备方法，包括由下自上依次生长的衬底、阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层及阴极；活性层中添加PC71BM。本发明选取PC71BM作为第三元材料，平衡IOPV对LED光谱的光吸收，降低透射谱中蓝光比例同时提升了器件性能。
一种防蓝光室内有机器件结构及其制备方法

[发明专利]一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法-CN202010806206.9在审
发明人： 冀子武;屈尚达;李睿;时凯居;徐明升;王成新;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的生长过程如下：①680～710℃下，使三甲基铟流速由0逐渐增加至600～700sccm，生长第一子层；②温度及步骤①中最大的三甲基铟流速不变，生长第二子层；③降温20～30℃，生长第三子层；(3)依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层。本发明提高了自发辐射效率，增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
一种 ingan gan 多量子阱基红光 led 结构制备方法

[发明专利]一种碲化锌同质外延层的制备方法-CN201310018217.0无效
发明人： 冀子武;黄树来;张磊;郭其新;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种碲化锌（ZnTe）同质外延层的制备方法，属半导体材料制备技术领域，采用低压金属有机化学气相外延工艺，以二甲基锌和二乙基碲为金属有机源，用氢气作为载气，用低压金属有机化学气相外延设备在ZnTe（100）衬底上生长碲化锌外延层。本发明方法制备的ZnTe同质外延层具有窄的带边激子峰和窄的XRC半高宽，并且没有出现氧束缚激子及与位错有关的Y线等深能级发射，这些结果表明外延层有很好的结晶质量。本发明方法制备的ZnTe同质外延层，可用于绿光LED和LD以及太赫兹发射器等光电器件的制备，具有广泛的应用前景。
一种碲化锌同质外延制备方法

[发明专利]一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法-CN201210205142.2无效
发明人： 冀子武;黄树来;赵雪琴;张磊;郭其新;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种碲化锌/砷化镓（ZnTe/GaAs）异质外延层的制备方法，属半导体材料制备技术领域，采用金属有机化学气相外延工艺，以二甲基锌和二乙基碲为金属有机源，用氢气作为载气，用金属有机化学气相外延设备在砷化镓衬底上生长碲化锌外延层。本发明方法制备的ZnTe/GaAs外延层具有窄的带边束缚激子峰和较大的发光强度，并且没有出现深能级发射及与位错有关的Y线，这些结果表明外延层有很好的结晶质量。本发明方法制备的ZnTe/GaAs外延层，可用于绿光LED和太赫兹发射器等光电器件的制备，并可实现与GaAs基器件的集成，具有广泛的应用前景。
一种碲化锌砷化镓异质外延制备方法

[发明专利]消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法-CN200910230077.7无效
发明人： 冀子武;郑雨军;赵雪琴;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：消除ZnSe/BeTe II量子阱中内秉电场的方法，属光电材料制备技术领域，用分子束外延工艺制备II型量子阱材料，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱-势垒-势阱层等；本发明所生长界面结构的量子阱材料具有质量高、界面处晶格匹配好、II型能带结构特点。材料界面处有大的能带落差，使电子、空穴很容易发生空间分离。两异质结界面具有多个Zn-Te和Te-Zn化学键结构，与传统的II型能带结构相比有更长的空间间接复合发光寿命，更有利于观察、研究高密度凝聚现象，能削弱结构中的内秉电场，使导带和价带结构变得平坦，避免了隧道效应，利于光电器件对正负电荷的独立控制。本发明可用于高密度现象的观察、光电器件的研制等领域。
消除 znse bete 量子阱中内秉电场方法

[发明专利]用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置-CN200910020719.0无效
发明人： 冀子武;郑雨军;赵雪琴;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光谱仪等组成，反射镜、透镜、棱镜组成光路放置在激光器之前；棱镜前面放置光低温恒温器，经棱镜转向的激光可入射到光低温恒温器中；另一透镜放置在棱镜的后面，可会聚来自光低温恒温器内硒化锌/碲化铍样品的辐射光(即荧光PL)；该透镜后面放置光纤和光谱仪，光谱仪带有CCD检测器，两者连接在计算机上，能自动完成光谱检测任务。本发明方法简单，实验条件宽松，不影响晶体的结构质量。
用光激发掺杂量子产生带电激子方法装置

[发明专利]用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备-CN200910020717.1无效
发明人： 冀子武;郑雨军;赵雪琴;李炳生;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层；使用的设备为双生长室分子束外延系统，包括III-V族和II-VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维可调样品架、四极质谱仪以及反射式高能电子衍射仪等；两生长室之间用超高真空传输管道连接以便样品的传送；超高真空传输管道备有抽气装置，且与两端所连接的两个生长室分别用插板阀隔开；样品架和固体源蒸发器都分别接有加热丝。本发明可用于光通信、量子信息存储和处理及半导体激光器等光电器件领域。
分子外延工艺制备量子方法设备

1
共 8 条