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[发明专利]一种有色转换LED芯片及其制备方法-CN202210820464.1在审
发明人： 付小朝;庄文荣 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED制备技术领域，公开了一种有色转换LED芯片及其制备方法，制备方法包括：在透明衬底上依次形成发光结构和电极结构，形成LED晶圆；在硅衬底上形成多孔结构层，向多孔结构层内填充量子点材料，形成色转换器件；键合LED晶圆和色转换器件，形成色转换组合器件；去除色转换组合器件中的硅衬底，形成有色转换LED芯片。本发明提供能够代替现有技术的红光LED芯片以应用于LED显示屏中，有利于提高有色转换LED芯片的制备良率和效率，进而降低有色转换LED芯片的生产成本。此外，所保留的透明衬底能够增强有色转换LED芯片的结构强度，提高其可靠性，且透明衬底能够扩大有色转换LED芯片的光斑，进而增强了发光效果。
一种有色转换 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种提升转移良率的芯片转移方法-CN202110228522.7有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种提升转移良率的芯片转移方法，其采用设有压力检测件的转移结构，通过该转移结构拿取待转移的芯片并承载该芯片朝转接板运动预设距离，并通过其上的压力检测件检测该芯片与转移结构之间的压力来确认芯片是否正常转移至转接板，若感测到预设压力值，驱使转移结构回原；反之，通过转移结构承载该芯片继续朝转接板运动进行距离补偿直至压力检测件感测到预设压力值；然后，将转接板上的芯片的电极与基板上的焊盘电极对位并焊接固定。本发明可以有效避免因转接板翘曲、芯片厚度差异或者蓝膜变形导致转移至转接板上的芯片阵列出现漏芯等问题，从而避免基板漏芯的等情形，提高了芯片转移良率。
一种提升转移芯片方法

[发明专利]一种LED器件返修方法-CN202110398697.2有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种LED器件返修方法，LED器件包括基板和焊接在基板上的若干芯片。LED器件返修方法包括步骤：(1)将基板上的故障芯片移除；(2)采用压头压在基板移除故障芯片后的残留焊料上，并加热残留焊料整平残留焊料的焊接面；(3)拿取新的芯片，使新芯片的电极对准相应的焊料区域后放下新芯片，并给新芯片施以朝向基板的压力；(4)熔化焊料以使新芯片与基板焊接固定，待焊料重新固化后，释放新芯片。本发明可以避免新焊接的芯片倾斜或位置偏移，返修效果稳定、可靠。
一种 led 器件返修方法

[发明专利]一种精准稳定的芯片巨量转移方法-CN202110651485.0有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种精准稳定的芯片巨量转移方法，包括步骤：S1，提供第一基板，第一基板上设有多个芯片；以及，提供第二基板，第二基板上设有多个用于与第一基板上的芯片对应焊接的焊盘，焊盘上覆有焊料；S2，将第二基板与第一基板靠近并使第一基板上的芯片与第二基板上的对应焊盘对准；S3，使第一基板上的芯片抵压第二基板上的焊料，并利用图像采集装置采集第二基板上的压痕，若压痕达到目标要求，进入步骤S4；S4，将第一基板上的芯片与第二基板上的对应焊盘焊接。本发明可以避免因为焊接过程中芯片与焊盘过压或芯片与焊盘接触不足而导致芯片发生偏移、虚焊等问题，实现精准稳定转移芯片。
一种精准稳定芯片巨量转移方法

[发明专利]LED显示模组、LED显示屏及制作方法-CN201911396420.5有效
发明人：刘丹丹;刘权锋;付小朝;卢敬权 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种LED显示模组、LED显示屏及制作方法，LED显示模组包括：n型半导体衬底、发光层、电子阻挡层及p型半导体层；沟槽，贯穿p型半导体层、电子阻挡层及发光层，以隔离出多个发光单元；反射层，形成于p型半导体层表面及沟槽表面，反射层中具有通孔；p电极，形成于通孔；量子点槽，形成于n型半导体衬底中；量子点层，填充于量子点槽中；保护层，覆盖于量子点层上；共用n电极，形成于n型半导体衬底上。本发明可以避免LED晶圆的翘曲，从而保证模组内LED发光波长具有窄的分布及LED显示模组的转移和帮定的稳定性。本发明具有共阴极设计，在制作显示屏时，可以大大减小驱动板所需连线，极大减小驱动板的设计及制作难度。
led 显示模组显示屏制作方法

[发明专利]剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法-CN202110884603.2有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法，本发明在通过激光剥离方式将LED芯片从生长衬底上转移至第一转移载板的过程中，将LED芯片埋入第一转移载板的粘胶层，通过粘胶层保护LED芯片，避免LED芯片与生长衬底剥离时，LED芯片破裂的问题，提高了LED芯片转移良率；在此基础上，在将LED芯片与生长衬底剥离后，进行后续倒膜将LED芯片由第一转移载板上转移至第二转移载板之前，去除LED芯片周侧、以及LED芯片与第一转移载板之间的部分粘胶，只剩下部分粘胶粘接在LED芯片与第一转移载板之间，以此，便于将LED芯片由第一转移载板转移至第二转移载板的过程中将LED芯片与第一转移载板分离。
剥离良率高方便 led 芯片巨量转移方法

[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片-CN202210765246.2在审
发明人： 付小朝;庄文荣 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光芯片制作方法，包括提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的生长衬底进入所述量子点色转换层。同时，本发明还提供一种采用该制作方法制成的发光芯片。与现有技术相比，本发明工序简单，成品率高且可保证量子点的色转换效率。
发光芯片制作方法

[实用新型]锡膏印刷机-CN202220317977.6有效
发明人：吕玉龙;朱发明;林长树;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种锡膏印刷机，包括机台、印刷装置、锡膏检测装置、添加装置、外罩，印刷装置、锡膏检测装置、添加装置设于机台上，外罩罩设在机台，通过锡膏检测装置检测锡膏，当锡膏随着使用时间的加长，锡膏状态改变时，可以利用添加装置往锡膏中添加调节剂，控制锡膏的状态保持不变，可以提高锡膏的使用品质，从而在一定程度上解决固晶过程中出现的固晶品质差的问题；通过外罩隔离锡膏和空气，并可通过通入保护气体排出外罩内的空气，降低锡膏的使用环境氧值，来降低锡膏被氧化的程度，提高锡膏的使用品质和利用率。
印刷机

[发明专利]一种LED芯片巨量转移方法-CN202110398696.8有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯片巨量转移方法，包括提供转接板、基板及压重结构，转接板具有粘胶表层，基板表面具有焊盘；将多个待转移的芯片转移至转接板的粘胶表层上；将压重结构压在转接板各芯片上，使转接板上各芯片背离粘胶表层的一面平齐；移开压重结构；将转接板上的各芯片的电极与基板上的焊盘对位并焊接固定。本发明在将转接板上的芯片与基板的焊盘对位焊接之前，利用压重结构给芯片施以压力使各芯片背离转接板的一面齐平(转接板上所有芯片的电极末端平齐)，后续将转接板上的芯片与基板上的焊盘对位焊接时，可以确保各芯片的电极均能够有效接触基板的焊盘，避免芯片虚焊，提高了芯片转移良率。
一种 led 芯片巨量转移方法

[发明专利]LED芯片及混晶方法-CN202010260145.0有效
发明人： 付小朝;刘权锋;卢敬权 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及混晶方法，LED芯片包括LED本体、第一电极及第二电极，其中，第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。混晶方法包括步骤：1)提供一混晶基板，混晶基板上具有规则排列的磁性单元；2)将具有各种波长的如上的LED芯片混合后分散于混晶基板，通过磁性单元吸附LED芯片的具有磁性的电极，使LED芯片规则排列于混晶基板，移除未被磁性单元吸附的LED芯片；3)将混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上。本发明通过简单高效的方式实现LED芯片的混晶，避免需要对LED芯片进行巨量的分选，大大提升LED芯片的利用率。
led 芯片方法

[实用新型]一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件-CN202122239555.X有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于LED芯片巨量转移焊接制程的组件，包括转移焊接载板、取放结构以及压合结构。转移焊接载板包括基底和贴设在基底的一表面的粘贴膜，粘贴膜用于粘附LED芯片。取放结构用于拿取转移焊接载板。压合结构用于向转移焊接载板背离粘贴膜的一面施加压力，使所有的LED芯片均能够与目标基板充分接触，以避免由于目标基板板厚不均匀导致的部分LED芯片与目标基板没有接触到位，从而提高LED芯片的转移焊接良率。且，压合结构包括压合块和贴设在压合块面向转移焊接载板的一表面的缓冲膜，缓冲膜起到一次缓冲作用，使压合结构与转移焊接载板为柔性接触，避免过压压坏LED芯片或目标基板。粘贴膜起到二次缓冲作用，进一步提高LED芯片的转移焊接良率。
一种用于 led 芯片巨量转移焊接组件

[发明专利]LED显示屏模组的制作方法-CN202010208689.2有效
发明人：庄文荣;孙明;付小朝;黄志强;高梓原;卢敬权 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明提供一种LED显示屏模组的制作方法，包括步骤：1)将Mini LED芯片倒装于PCB或玻璃基板上；2)提供一离型膜，于离型膜上涂覆压膜材料，压膜材料的呈分散式涂覆于离型膜上；3)将离型膜的涂覆区域与槽体对准，以PCB或玻璃基板具有Mini LED芯片的一面朝向涂覆区域将离型膜压入槽体中，使离型膜共形贴合压槽体，压膜材料向四周铺装开并包覆Mini LED芯片；4)固化压膜材料以形成压膜层。本发明通过新颖的压膜材料的涂覆方法，使压膜材料在压膜前尽可能分散，压膜时压膜材料分散在一小块区域上，最终使得压膜层不管在厚度还是组分上都具有较高的均匀性，从而使得LED显示屏模组具有较高的墨色一致性。
led 显示屏模组制作方法

[发明专利]LED芯片、显示屏模块及显示屏-CN202010724849.9在审
发明人：刘权锋;胡现芝;付小朝;庄文荣;孙明;卢敬权 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片、显示屏模块及显示屏，LED芯片包括：N型半导体；发光层，位于N型半导体层上方；P型半导体层，位于发光层上方；减反射层，覆盖于P型半导体层上方，用于吸收由所述发光层出射并最终射向所述减反射层的光线；第一电极及第二电极，分别位于P型半导体层及N型半导体层上方并分别与P型半导体层及N型半导体层电连接。本发明可以有效减少来自LED芯片背面的光的反射，从而减少光线出射，降低LED芯片的亮度，使LED芯片可以工作于线性区而不会出现亮度过大的问题；同时，本发明可以降低应用于LED显示屏模块时黑色膜层的厚度，使显示屏模块具有更好的墨色一致性。
led 芯片显示屏模块

[实用新型]一种转移载板-CN202121204517.4有效
发明人：薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种转移载板，包括基底、第一光阻层以及膨胀材料。其中，基底可透光，其包括相对的第一表面和第二表面。第一光阻层覆于第二表面，第一光阻层具有若干贯穿其厚度的通孔。膨胀材料填充于对应的通孔并于受激光照射时膨胀，将芯片顶至位于其下方的PCB板/另一载板，可以实现芯片的精确转移。同时，由于第一光阻层的设置，使得基底的第二表面侧在通孔以外的区域不透光，避免激光透射至邻近的膨胀材料，进一步提高了芯片转移的准确性。
一种转移

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202080007265.8在审
发明人：庄文荣;孙明;付小朝;卢敬权 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：第一型层(101)、发光层、第二型层(104)和电极层；第一型层(101)包括第一型氮化镓；发光层位于所述第一型层(101)之上；所述发光层包括量子点(1031)；第二型层(104)位于所述发光层之上；所述第二型层(104)包括第二型氮化镓或氧化铟锡；电极层(105)位于所述第二型层(104)之上。
发光二极管及其制备方法