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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双存储单元读取和写入技术-CN02802252.1有效
发明人： 劳尔－阿德利安·瑟尼 -专利权人：三因迪斯克公司
申请日： 2002-05-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储单元阵列的存储单元是成对地进行编程的。这些对至少由一个存储单元分开，从而减少了编程期间对之间相互干扰的可能性。存储单元是通过向每个存储单元的其中一个位线施加相对较高的电压来单独地进行编程的，不管存储单元是否将要被编程，而向第二个位线施加较小的电压，具体情况取决于是否要对存储单元进行编程。这种编程电压分配提高了编程的速度。此外，成对的编程方案将所需要的高电压以只有以前的方案的一半的频率对阵列的所有存储单元进行编程，从而提高了存储系统的寿命。
存储单元读取写入技术

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共 1 条

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