专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]升压以控制非易失性存储器的编程-CN200580019388.9有效
  • 丹尼尔·古特曼;尼玛·穆赫莱斯;方玉品 - 桑迪士克股份有限公司
  • 2005-04-20 - 2007-05-30 - G11C16/10
  • 本发明揭示一种用于以较高精确度编程非易失性存储器的系统。在一个实施例中,所述系统包含:将一升压信号的一第一相位施加到一NAND串集合的一个或一个以上未选定字线;在施加所述升压信号的所述第一相位的同时,将一编程电平施加到所述NAND串的选定位线;和在施加所述升压信号的所述第一相位的同时,将一抑制电平施加到所述NAND串的未选定位线。随后,将所述升压信号的一第二相位施加到所述一个或一个以上未选定字线,且通过将所述抑制电平施加到所述选定位线来改变所述选定位线上的信号,使得与所述选定位线关联的NAND串将由所述升压信号的所述第二相位升压。将一编程电压信号施加到一选定字线以便编程连接到所述选定字线的存储元件。
  • 升压控制非易失性存储器编程
  • [发明专利]用于非易失存储器的高效数据验证操作的方法和结构-CN01822223.4有效
  • 凯文·M·康利;丹尼尔·古特曼;卡洛斯·冈萨雷斯 - 三因迪斯克公司
  • 2001-12-28 - 2005-05-25 - G11C16/34
  • 基于改进快擦写EEPROM存储器的存储子系统包含一或多个快擦写存储器阵列,其中每个快擦写存储器阵列具有3个数据寄存器和一个控制器电路。在快擦写编程操作期间,一个数据寄存器被用来控制编程操作,第二寄存器被用来保存目标数据数值,第三寄存器被用来加载下一扇区数据。在快擦写编程操作之后,扇区的数据被从快擦写存储器阵列读取到第一数据寄存器,并且与第二寄存器中存储的目标数据相比较。当数据验证成功时,来自第三寄存器的数据被复制到第一和第二寄存器以便进行下一编程操作。这产生了性能改进的系统,该系统在编程操作没有数据传送延迟,其中在编程操作完成之后需要数据验证。可选实施例使用2寄存器实现和单寄存器实现执行比较。写后检验可以被重复,并且使用不同偏置条件以该取数据。过程可以自动执行,或根据可以规定读取条件的命令执行。
  • 用于非易失存储器高效数据验证操作方法结构

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