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[发明专利]准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法-CN201910485826.4有效
发明人：徐申;赵思宇;齐从明;张森;史小雨;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
谐振激变同步整流控制系统方法

[发明专利]碳化硅晶圆湿法腐蚀方法-CN201711444142.7有效
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法，该湿法腐蚀方法包括：获取碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层，所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料；在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，所述耐腐蚀的保护膜用于在湿法腐蚀操作过程中保护所述金属材料；对设置于所述碳化硅晶圆正面的待腐蚀层进行湿法腐蚀操作。通过在与碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜，可以在湿法腐蚀操作过程中保护该金属材料，使得该金属材料在湿法腐蚀过程不被破坏，从而使得腐蚀操作更便捷，并且覆盖于金属材料表面的保护膜不会对机械手臂造成污染。
碳化硅湿法腐蚀方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201711460617.1有效
发明人：程诗康;顾炎;齐从明;杨万青;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，在耗尽型器件的形成过程中，通过形成介质岛作为掩膜进行自对准离子注入来形成沟道，通过控制注入能量和剂量，可以精确控制沟道区的深度以及掺杂浓度，实现高稳定性的夹断电压，这样可以节省进行阈值电压调整离子注入中需要使用的光刻版和进行光刻工艺提供离子注入掩膜的步骤，减少了工艺流程，降低了工艺成本；在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得半导体器件在开态下的击穿可靠性大大提高。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种集成电路芯片及其制作方法、栅驱动电路-CN201710779965.9有效
发明人：顾力晖;张森;齐从明 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路芯片及其制作方法、栅驱动电路，该集成电路芯片包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有用于制作高压栅驱动电路的高压岛；高压结终端，所述高压结终端包围所述高压岛，所述高压结终端包括形成在所述高压岛周围的耗尽型MOS器件，所述耗尽型MOS器件的栅极和漏极短接，所述耗尽型MOS器件的源极与高侧电源端连接；双极晶体管，所述双极晶体管的集电极和基极短接并与低侧电源端连接，所述双极晶体管的发射极与所述耗尽型MOS器件的栅极连接。该集成电路芯片可以使得形成自举电路时无需使用外接自举二极管，提高了芯片的集成度，简化了外围电路，从而降低了成本，提高了可靠性。该集成电路芯片的制作方法和栅驱动电路具有类似的优点。
一种集成电路芯片及其制作方法驱动电路

[发明专利]势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法-CN201711451462.5在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法，包括：第一金属钛层，设于所述衬底上；金属氮化钛层，设于所述第一金属钛层上；第二金属钛层，设于所述金属氮化钛层上；铝金属层，设于所述第二金属钛层上。上述势垒金属结构，由于在金属氮化钛层和铝金属层之间设有第二金属钛层，可阻止铝金属层和金属氮化钛层在常温下反应生成氮化铝(AlN)，采用湿法腐蚀时，能有效稳定金属氮化钛层的腐蚀速率，保证金属氮化钛层能被完全腐蚀掉，保证了SiC JBS器件最终的性能；该势垒金属结构支持使用湿法腐蚀，可有效解决干法刻蚀过程中带来的过刻和刻蚀完成后金属侧壁形貌较为陡直，不利于后续的钝化层覆盖的问题。
势垒金属金属氮化金属钛层钛层铝金属层湿法腐蚀腐蚀形貌干法刻蚀过程氮化钛层结构支持金属侧壁稳定金属有效解决常温下氮化铝钝化层衬底刻蚀制造保证覆盖

[发明专利]SiC晶圆在线加工方法-CN201711432420.7在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。
晶圆在线加工非透光淀积背面晶圆片光线传感器加工工序加工效率正面设置定位边有效地透光保证加工