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[发明专利]涂料组合物制备方法、用于生成该组合物系统的制备方法及用于制备该组合物的温度调节剂-CN201410532544.2有效
发明人： G·W·尼克尔;R·J·凯利;黄永清;S-H·马;B·E·罗德里格斯-道格拉斯 -专利权人：涂料外国IP有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C09D133/08 文献下载
摘要：一种用于制备涂料组合物的方法包括基于环境温度从多种温度调节剂中选择温度调节剂，在所述环境温度下涂料组合物的施用待进行。所述温度调节剂包括树脂和溶剂。所述树脂、溶剂和/或树脂和溶剂的量取决于所述环境温度。所述温度调节剂包括不小于1wt％的固体并且所述温度调节剂具有不高于预设的VOC含量。结合油漆与所述温度调节剂。所述油漆包括树脂和溶剂并且具有不高于预设的VOC含量。混合所述温度调节剂和所述油漆以形成涂料组合物，其中所述涂料组合物具有不高于预设的VOC含量。
温度调节剂涂料组合物溶剂树脂预设制备油漆涂料组合物制备组合物系统施用

[实用新型]一种海鸥脚贴片变压器上料治具-CN201821148484.4有效
发明人： 黄永清 -专利权人：厦门精胜自动化设备有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种海鸥脚贴片变压器上料治具，包括上料治具主体，所述上料治具主体与盖板对应连接，所述上料治具主体和盖板的下方对应设有控制弹簧固定块，所述上料治具主体、盖板与控制弹簧固定块构成一个上端开口的腔体，在所述腔体内对应设有到位上料件，所述控制弹簧固定块包括板状的弹簧限位板和弹簧放置板，所述弹簧限位板与弹簧放置板构成一个截面为倒置的“T”形结构，在所述弹簧限位板与到位上料件之间对应设有到位上料弹簧。本实用新型一种海鸥脚贴片变压器上料治具与其他相关生产设备联合使用可以实现生产过程的自动化，通过到位上料件与上料治具主体的配合，有效保证了产品在上料过程中海鸥脚的平坦度，同时也避免了上料引起的骨架破损。
上料治具主体弹簧限位板贴片变压器控制弹簧固定块盖板弹簧治具本实用新型放置板上端开口上料过程生产过程生产设备倒置平坦度板状腔体破损自动化体内配合保证

[发明专利]一种连续移动空间内清扫扬尘处理方法-CN201811103808.7在审
发明人：靳冠星;朴名鹏;黄永清 -专利权人：唐山精海仪机电设备有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B08B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续移动空间内清扫扬尘处理方法，针对空间个体单位，检修作业过程车不允许移动，检修作业过程车顶部由车体底部遮蔽，侧端由风幕封闭，正面硬遮挡封闭；下部由地面封闭，经过这样封后，开放于外部面积就只剩两个侧端，侧端使用风幕可以降低除尘处理风量；布置风幕机用高速风将侧端封堵，使风幕内外侧隔离，四个风幕机理论上都有一半的流量流到内侧，将高压吹扫流量和风幕机的内侧流量引出，就不会有灰尘溢出。本发明通过封闭车可以在预置轨道上电动同步移动，保证作业点、线的连续有效封闭。封闭设备形式可灵活设置。
侧端风幕封闭检修作业连续移动风幕机扬尘清扫除尘处理地面封闭封闭设备灵活设置同步移动允许移动高速风流量流作业点车顶车体吹扫封堵风量幕机预置遮蔽遮挡溢出隔离外部轨道保证开放

[实用新型]一种高速公路泄水结构-CN201820639108.9有效
发明人：韩瑀萱;周雄华;代巨梁;黄永清;熊海兵;李黎龙;黄志煌;许圣祥;陈秋实;魏晔堃;周学雷 -专利权人：四川巴陕高速公路有限责任公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： E01C11/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高速公路泄水结构，包括埋设在高速路面以下的泄水管和与泄水管配套的水篦子，所述高速路面自下而上包括水泥砼桥面铺装层、防水粘结层、沥青砼桥面铺装层，所述泄水管顶部与所述水泥砼桥面铺装层顶部保持一定距离(10mm)，所述泄水管顶部为台阶状，所述水泥砼桥面铺装层顶部也设置有与泄水管顶部台阶配合的台阶，具有不影响行车舒适度的特点，且路面所产生垃圾不会在坑内堆积长杂草，避免了泄水管堵塞，清理较为方便。
泄水管桥面铺装层水泥砼高速路面泄水结构高速公路本实用新型防水粘结层台阶配合沥青砼配套的舒适度水篦子台阶状杂草堆积行车堵塞垃圾

[实用新型]三角齿梳-CN201721746627.7有效
发明人： 黄永清 -专利权人： 黄永清
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： A45D24/04 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种三角齿梳，包括梳柄和一端固定于梳柄上的梳齿，所述梳齿为三棱柱状。该三角齿梳的梳齿强度高，不易折断，易于维修，使用寿命长。
三角齿梳齿梳柄本实用新型三棱柱状使用寿命折断维修

[发明专利]InGaAs/Si外延材料的制备方法-CN201810018868.2在审
发明人：王俊;尹海鹰;胡海洋;杨泽园;成卓;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种InGaAs/Si外延材料的制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底上制作InGaAs低温成核层，所述InGaAs低温成核层的温度为410～430℃，利用MOCVD方法制作；在所述InGaAs低温成核层上制作InGaAs高温外延层，以完成对InGaAs/Si外延材料的制备，所述InGaAs高温外延层利用MOCVD方法制作。本发明提供的InGaAs/Si外延材料的制备方法，通过设置采用MOCVD方法先制成低温成核层，再制成高温外延层，仅用以上两步完成对InGaAs/Si外延材料的制备，具有成本低，更适合产业化的需求的有益之处，相较于现有技术中采用MBE生长InxGa1‑xAs等缓冲层，使用超晶格位错阻挡层以及选区外延等方法，本发明采用MOCVD仅用两步完成InGaAs/Si材料的制备，使得本发明的制备方法工艺简单，适合于大批量生长。
制备外延材料低温成核层外延层制作制备方法工艺单晶硅位错阻挡层选区外延生长产业化超晶格缓冲层衬底

[发明专利]一种硅基Ⅲ-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统-CN201310492218.9有效
发明人：王俊;李玉斌;邓灿;王一帆;白一鸣;王琦;段晓峰;张霞;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
二氧化硅图形制备二氧化硅纳米生长窗口图形层砷化镓半导体材料砷化镓缓冲层单晶硅二氧化硅膜衬底表面硅基半导体材料生长半导体材料纳米压印技术材料生长尺寸限制技术制作交错分布纳米压印外延生长有效地台面衬底沉积裸露清洁应用

[发明专利]生成具有预设VOC含量的多种涂料组合物的系统及该系统的组成方法-CN201410532771.5有效
发明人： G·W·尼克尔;R·J·凯利;黄永清;S-H·马;B·E·罗德里格斯-道格拉斯 -专利权人：涂料外国IP有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C09D133/08 文献下载
摘要：用于生成多种各自具有预设VOC含量的涂料组合物的系统的组成方法包括制备包括树脂和溶剂且具有预设的VOC含量或更低的VOC含量的油漆。制备包含树脂且具有预设的VOC含量或更低的VOC含量的温度调节剂。各温度调节剂包括与其他温度调节剂相比不同的溶剂或不同含量的溶剂，使得由该多种温度调节剂中的一种形成的各涂料组合物基于在环境温度范围内的溶剂的蒸发速率适于在该环境温度范围内施用。各温度调节剂基于该温度调节剂的总重量计具有不小于1wt％的固体。将该油漆和温度调节剂一起提供作为该系统。 1
温度调节剂溶剂预设涂料组合物树脂制备油漆重量计施用蒸发

[实用新型]一种竖井锁口圈及竖井-CN201721399387.8有效
发明人：韩瑀萱;蒋跃;严金秀;黄志煌;冷希乔;黄永清;史宪明;熊海兵;郑波;闫海卫;刘志强 -专利权人：四川巴陕高速公路有限责任公司;中铁西南科学研究院有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： E21F1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种竖井锁口圈及竖井，属于竖井加固结构领域，其中竖井锁口圈，包括钢筋混凝土梁和钢筋混凝土桩；钢筋混凝土桩具有相对设置的第一端和第二端，第一端插入持力层；钢筋混凝土梁具有相对设置的第三端和第四端，第三端与钢筋混凝土桩的第二端固定连接，第四端用于与竖井本体固定连接。通过本实用新型提供的竖井锁口圈及竖井，可以在软弱地层条件下保持竖井本体结构的安全性和耐久性。保证施工空间的稳定性，以完成稳固竖井本体的修建。
一种竖井锁口圈

[实用新型]一种新型消失模铸造直浇道-CN201720845135.7有效
发明人：闫庆斌;邵冠振;王月琴;时哲;黄永强;李世嘉;韩静国;倪震明;黄永清;祝文莎;秦蒙蒙;宋金有;王魁;庞尔楠;宋明宪;邱文;陈旗;靳志坚;马解放;李发红 -专利权人：闫庆斌
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B22C9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了消失模技术领域的一种新型消失模铸造直浇道，包括圆筒，所述圆筒的顶部连接有浇口杯，所述圆筒和浇口杯连接处外壁设置有砂套，所述圆筒和浇口杯的左右侧壁均开设有定位孔，所述砂套的外壁均匀设置有定位销，所述砂套通过定位销与定位孔连接，所述圆筒的内壁设置有聚苯乙烯发泡层，该种新型消失模铸造直浇道，合理的浇注系统设计，在对消失模铸造进行浇注时，不易产生气体，也不会使得浇注液飞溅，浇注速度容易控制，使得对消失模铸造浇注能够平稳的进行，提高了产品的成品率，降低了铸件的制造成本。
一种新型消失铸造直浇道

[发明专利]一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法-CN201410514645.7有效
发明人：王俊;胡海洋;贺云瑞;王琦;段晓峰;黄永清;张霞;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
一种 gaas si 外延材料 mocvd 制备方法

[发明专利]一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法-CN201410221660.2有效
发明人：王俊;胡海洋;贺云瑞;邓灿;王琦;段晓峰;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
一种量子激光器材料 mocvd 制备方法

[发明专利]一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法-CN201510189107.X有效
发明人：刘凯;任晓敏;黄永清;王琦;段晓峰 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。
一种带有表面透光结构 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种超稳定大功率脉冲调制的装置和方法-CN201510472663.8有效
发明人： 黄永清;崔恒善 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H05H7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种超稳定大功率脉冲调制的装置和方法，其中超稳定大功率脉冲调制的装置，与脉冲变压器和速调管相连，包括控制模块、电源模块和放电模块；控制模块包括配电组合1、辅助电源组合、调制器控保组合、示波器组合、6个聚焦磁场电源组合和1个交流静变电源组合；电源模块包括配电组合2、偏磁电源组合、闸流管灯丝电源组合、速调管灯丝电源组合、无源功率因数校正组合和充电电源，其中充电电源包括充电电源组合1和充电电源组合2；放电模块包括PFN、闸流管放电开关、RD吸收电路和PFN远端电压采样电路；本发明工作稳定度更高且性价比好，能够满足电子直线加速器对微波功率源的需求。
一种稳定大功率脉冲调制装置方法

[发明专利]一种1．55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置-CN201710154807.4在审
发明人：王俊;马星;成卓;胡海洋;杨泽园;樊宜斌;张然;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种1.55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基1.55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。
一种 55 微米波长 gaas 基微腔激光器制备方法装置