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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光刻工艺监测方法-CN201910325048.2有效
发明人：李志杰;黄世钧;张世明;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。
光刻工艺监测方法

[发明专利]定义图案的方法-CN201910864853.2在审
发明人：萧志民;赖建文;黄世钧;严永松;赖志明;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种定义图案的方法包括在多层硬遮罩的第一层内形成多个切口形状及多个第一开口，以暴露第二层的第一部分。通过将蚀刻速率改变的物质布植在多个切口形状的部分中来形成多个蚀刻终止层。在切口形状处定向地蚀刻此第一层以使得蚀刻终止层得以保留。在此第一层及此些第一部分上形成间隔物层。在此间隔物层内形成多个第二开口以暴露此第二层的第二部分。定向地蚀刻此间隔物层以自蚀刻终止层的侧壁移除此间隔物层。蚀刻此第二层的经由第一开口及第二开口暴露的部分。
定义图案方法

[发明专利]半导体元件制造方法-CN201910572254.3在审
发明人：叶雅雯;沈育佃;黄世钧;张博钦;林纬良;严永松;吴伟豪;林立德;林斌彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体元件制造方法，在基板之上形成底层结构。在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。
方向性蚀刻表面形貌底层结构形貌数据薄膜半导体元件制造测量薄膜局部蚀刻扫描基板整个表面电浆束基板存储

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201811251230.X在审
发明人： 黄世钧;叶雅雯;赖建文;林纬良;张雅惠;严永松;刘如淦;林进祥;沈育佃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：方法沉积材料于基板上的隆起结构的一侧壁(而非两侧壁)上，且方法包括倾斜基板的法线以偏离沉积材料源，或倾斜沉积材料源以偏离基板法线。方法的实施方式可为等离子体增强化学气相沉积技术。
等离子体增强化学气相沉积偏离法线半导体结构沉积材料源沉积材料基板法线隆起结构倾斜沉积倾斜基板材料源两侧壁基板

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201810570106.3在审
发明人： 黄世钧;叶雅雯;沈育佃;赖建文;林纬良;张雅惠;严永松;林进祥;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：半导体装置的制作方法包括形成硬掩模层于基板上。多层光致抗蚀剂形成于硬掩模层上。蚀刻多层光致抗蚀剂，形成多个开口于多层光致抗蚀剂中，以露出部分硬掩模层。依角度方向性地提供离子至多层光致抗蚀剂，使离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在一实施例中，通过依角度导向的蚀刻离子，可方向性地蚀刻多层光致抗蚀剂，且蚀刻离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在另一实施例中，通过依角度导向的注入离子，可方向性地注入多层光致抗蚀剂，且注入离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。
光致抗蚀剂多层硬掩模层蚀刻离子开口侧壁半导体装置角度导向注入离子基板制作开口

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201811360328.9在审
发明人： 黄世钧;陈秋翔;叶雅雯;沈育佃;张博钦;赖建文;林纬良;张雅惠;严永松;林立德;林斌彦;刘如淦;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括以光刻与蚀刻步骤形成第一硬遮罩于基板上的下方层上；形成多个侧壁间隔物图案，其具有第一侧壁部分与第二侧壁部分于第一硬遮罩的两侧侧壁上；蚀刻第一侧壁部分、蚀刻第一硬遮罩、与保留第二侧壁部分以桥接蚀刻的第一硬遮罩的间隙；以及采用第二硬遮罩，并对下方层进行工艺。
蚀刻遮罩半导体装置第二侧壁第一侧壁下方层侧壁间隔物侧壁光刻基板桥接图案保留

[实用新型]音乐中药振动按摩养生球-CN201620148956.0有效
发明人：岳景山;周美启;唐巍;陈永康;黄世钧;蔡圣朝;贺成功 -专利权人：安徽中医药大学;岳景山
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： A61H15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了音乐中药振动按摩养生球，包括由海绵构成的球体，球体外表面包覆有一层透气的柔性网膜，柔性网膜上设有多个凸出的按摩凸点，球体中心设有一个空腔，空腔内放置有一个组合装置，组合装置包括播放器、通气药物盒、振动按摩器、充电器及加重板，加重板位于组合装置的底部，通气药物盒上设有多个透气孔，通气药物盒内放置有药物。本实用新型相比现有技术具有以下优点：由于在球体中心设置有组合装置，该组合装置集播放器、通气药物盒、振动按摩器、充电器及加重板于一体，使得该养生球集音乐欣赏、中西药结合外用、振动按摩、健身功法等多种功能于一体，功能多样化，同时满足了人们对养生球的多种需求。
音乐中药振动按摩养生

[外观设计]牵引绳-CN94313897.3无效
发明人： 黄世钧 -专利权人： 黄世钧
申请日： 1994-12-28 - 公布日： 1996-10-23 - 主分类号： 09-06 文献下载
摘要：A-A剖视放大图__
牵引

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