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[实用新型]触控面板及触控显示装置-CN202020118126.X有效
发明人：周景瑜;农冠 -专利权人： 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型一方面提供一种触控面板。所述触控面板定义有触控区以及位于所述触控区周边的边框区。所述触控面板包括基板、遮光层以及触控层。基板具有相对第一表面和第二表面。遮光层设置于所述第一表面，并对准所述边框区设置。触控层设置于所述第二表面，所述触控层用于实现感测触控操作。本实用新型另一方面还提供一种触控显示装置。
面板显示装置

[发明专利]具有测距功能的镜头模组及应用该镜头模组的电子装置-CN201610342632.5有效
发明人：黄世凯;钟协东 -专利权人： 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G02B7/04 文献下载
摘要：一种具有测距功能的镜头模组，包括镜筒及安装于镜头内部的第一镜片单元、第二镜片单元、影像感测器、力感测器和处理器。第一镜片单元和影像感测器分别临近镜筒的前、后端设置，第二镜片单元设置于第一镜片单元和影像感测器间，力感测器设置于第一镜片单元和第二镜片单元间。第一镜片单元当该镜头模组处于被动式对焦模式且当被摄物体与镜筒之间的距离发生变化时相应移动，以使影像感测器获得清晰的图像。力感测器在第一镜片单元发生位移时侦测由第一镜片单元施加于力感测器的力，并根据力的大小计算第一镜片单元的位移量。处理器根据第一镜片单元的位移量计算被摄物体的位移量。本发明还提供一种包括上述镜头模组的电子装置。
具有测距功能镜头模组应用电子装置

[发明专利]一种太赫兹波通讯装置-CN201710259284.X有效
发明人：张凌;柳鹏;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H04B10/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹波通讯装置，其包括：一太赫兹波源，其用于发射太赫兹波；一调制装置，其用于对所述太赫兹波进行调制形成太赫兹调制波，所述调制装置包括一碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；一加密装置，其用于对所述太赫兹调制波进行加密；一太赫兹波接收装置，其用于接收太赫兹波，并将该太赫兹波的数据发送给所述解密装置；以及一解密装置，其用于对接收到的太赫兹波的数据进行解密，且内部存储有所述太赫兹波源发射的太赫兹波的原始强度数据以及密码本。
一种赫兹通讯装置

[发明专利]半导体器件-CN201710374695.3有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
半导体器件

[发明专利]松树状金属纳米光栅的制备方法-CN201710289458.7有效
发明人：朱振东;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种松树状金属纳米光栅的制备方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一第一金属层，在所述第一金属层远离基底的表面设置一隔离层，在所述隔离层远离第一金属层的表面设置一第二金属层；在所述第二金属层远离隔离层的表面设置一图案化的第一掩模层；刻蚀所述第二金属层，得到多个三棱柱结构；刻蚀所述隔离层，得到多个第二长方体结构；刻蚀所述第一金属层，得到多个第一长方体结构；去除剩余的光刻胶，得到三维纳米光栅。
松树金属纳米光栅制备方法

[发明专利]光栅的制备方法-CN201710496750.6有效
发明人：陈墨;张立辉;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层远离所述基板的表面设置一第二光刻胶层，该第二光刻胶层的曝光剂量大于第一光刻胶层的曝光剂量；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影，形成图案化光刻胶层，基板的部分表面暴露，该图案化光刻胶层的表面具有多个顶面及侧面，每相邻的顶面、侧面及与该侧面连接的暴露的基板表面形成Z型表面；在所述图案化光刻胶层和暴露的基板形成的Z型表面上沉积一预制层，得到Z型结构；去除所述图案化光刻胶层。
光栅制备方法

[发明专利]有机发光二极管的制备装置-CN201710865961.2有效
发明人：纪进伟;廖文杰;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光二极管的制备装置，其包括：一蒸发装置、一蒸镀装置、一导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室，使设置于该蒸发室内的蒸发源材料蒸发；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、一喷头和一载物台；该蒸发室通过该导管与一设置于该蒸镀室内的喷头连接；该喷头包括一喷头本体和一喷嘴，该喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，该第一表面设置一开口，该开口与该导管的排气端连接，该第二表面为一开口结构，该喷嘴设置于该开口结构处，该喷嘴包括多个间隔设置的通孔；该载物台设置于该蒸镀室内；该真空泵与该蒸镀室连接，用于维持制备装置的真空度。
有机发光二极管制备装置

[发明专利]一种光电自储能器件的制备方法-CN201710920031.2有效
发明人：刘汝浩;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01G11/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光电自储能器件的制备方法，包括制备一钙钛矿太阳能电池，制备超级电容器第一电极，将所述超级电容器第一电极与所述钙钛矿太阳能电池层叠、溶解等步骤。利用本发明提供的方法获得的光电自储能器件各项电学性能均明显提高，适用于各种光照波动环境，且该光电自储能器件的结构稳定，寿命更为长久。
一种光电器件制备方法

[发明专利]有机发光二极管-CN201710765643.9有效
发明人：宁文;柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光二极管，包括：一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层、一有机发光层、一电子传输层和一阴极电极，该支撑体、阳极电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极电极依次层叠设置，所述电子传输层为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，所述碳纳米管复合结构包括聚合物和分散在该聚合物中的多个碳纳米管，该多个碳纳米管的长度方向从所述第一表面向第二表面延伸。
有机发光二极管

[发明专利]碳纳米管复合结构的制备方法-CN201610477102.1有效
发明人：姜开利;柳鹏;宁文;王佳平;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管复合结构的制备方法，包括以下步骤：提供一聚合物基体；提供一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管形成多个间隙；将所述碳纳米管层层叠设置在所述聚合物基体的表面，形成复合结构预制体；以及用激光扫描所述复合结构预制体，激光扫描过的地方，聚合物基体熔化与所述多个碳纳米管黏在一起或者该熔化的聚合物基体渗透至所述多个间隙中并将所述多个碳纳米管包覆，从而形成图案化的碳纳米管复合结构。
纳米复合结构制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201610502910.9有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，第一电极通过一绝缘层与第二电极、第三电极、第四电极以及纳米异质结构电绝缘；第二电极、第三电极、第四电极与纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，第二金属性碳纳米管设置于第二表面；第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。
半导体器件

[发明专利]热三极管及热路-CN201711464102.9有效
发明人：段正;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： F28F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种热三极管，包括：一第一热极与一第二热极，所述第一热极由金属材料制成，所述第二热极由非金属材料制成，所述第一热极与所述第二热极紧密接触形成一热界面；一热阻调节单元，用于在所述热界面处产生调控电场。本发明提供的热三极管简单、有效地实现了热整流，为进一步制造各种热逻辑器件提供了可能。
三极管

[发明专利]红外成像系统-CN201810109285.0有效
发明人：蒋利娟;柳鹏;周段亮;张春海;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：一种红外成像系统，包括：一第一远红外偏振光产生装置，包括一第一远红外光源；一第一偏振装置；一第一加热装置，该第一加热装置加热第一偏振装置；一第一检偏器，该第一检偏器与第一偏振装置的偏振方向相同；一第二远红外偏振光产生装置，包括一第二远红外光源；一第二偏振装置，该第二偏振装置和第一偏振装置的偏振方向垂直；一第二加热装置，该第二加热装置加热第二偏振装置；一第二检偏器，该第二检偏器与第二偏振装置的偏振方向相同；一信号接收装置，包括一第一信号接收器和一第二信号接收器；一计算机，该计算机分别与第一信号接收器和第二信号接收器电连接，将第一信号接收器接收的信号和第二信号接收器接收的信号整合到一起。
红外成像系统

[发明专利]锂硫电池隔膜-CN201710971522.X有效
发明人：罗宇峰;王佳平;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂硫电池隔膜，其包括包括一基础隔膜以及一功能层，所述功能层设置在基础隔膜的表面，其中，所述功能层包括多个MoP2纳米颗粒和多个石墨烯片，所述多个MoP2纳米颗粒和多个石墨烯片相互混合均匀分布，该多个石墨烯片之间相互搭接或层叠设置，形成一整体的石墨烯层，所述多个MoP2纳米颗粒附着在多个石墨烯片的表面，所述锂硫电池隔膜应用于锂硫电池时，该功能层正对该锂硫电池的阴极设置。
电池隔膜

[发明专利]锂硫电池隔膜-CN201710973044.6有效
发明人：罗宇峰;王佳平;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂硫电池隔膜，其包括一基础隔膜以及一功能层，所述功能层设置在基础隔膜的表面，其中，所述功能层包括均匀混合的多个碳纳米管及多个MoP2纳米颗粒，所述锂硫电池隔膜应用于锂硫电池时，该功能层正对该锂硫电池的阴极设置。
电池隔膜