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[发明专利]自由曲面成像光谱仪系统-CN201810139896.X有效
发明人：朱钧;张本奇;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种自由曲面成像光谱仪系统，包括：一主反射镜，简称主镜，位于光线的光路上，以该主反射镜顶点为原点定义一第一三维直角坐标系；一次反射镜，简称次镜，位于所述主反射镜光路上，以该次反射镜顶点为原点定义一第二三维直角坐标系；一第三反射镜，简称三镜，位于所述次反射镜的光路上，以该第三反射镜顶点为原点定义一第三三维直角坐标系；以及一探测器，光线依次经过所述主镜、次镜和三镜的反射后，被该探测器接收到并成像。所述次镜为系统的孔径光阑。所述主镜和三镜的反射面均为六次自由曲面。所述次镜为具有六次自由曲面面形的光栅，该自由曲面面形的光栅由一组等间距的平行平面与自由曲面相交而得到。
自由曲面成像光谱仪系统

[发明专利]透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法-CN201810080253.2有效
发明人：丛琳;赵伟;张金;蔡裕谦;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种透射电镜微栅及透射电镜微栅的制备方法。所述透射电镜微栅包括一多孔氮化硅基底和一设置于多孔氮化硅基底表面的石墨烯层，所述多孔氮化硅基底具有多个通孔，所述石墨烯层覆盖所述多孔氮化硅基底的多个通孔并在所述多个通孔的位置悬空。所述透射电镜微栅的制备方法为利用一碳纳米管膜结构将一石墨烯层转移至一多孔氮化硅基底的表面，然后去除所述碳纳米管膜结构，从而得到一透射电镜微栅。
透射电镜微栅制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201710375328.5有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一半导体器件，该半导体器件包括：一栅极及一绝缘层，所述绝缘层设置于栅极的表面；一第一碳纳米管及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管间隔设置于绝缘层的表面；一P型半导体层及一N型半导体层，所述P型半导体层覆盖第一碳纳米管，并设置于绝缘层的表面，所述N型半导体层覆盖第二碳纳米管，并设置于绝缘层的表面；一导电膜，所述导电膜设置于P型半导体层和N型半导体层的表面，其中，P型半导体层位于导电膜和第一碳纳米管之间，N型半导体层位于导电膜和第二碳纳米管之间。
半导体器件

[发明专利]锂离子电池电极的制备方法-CN201610584509.4有效
发明人：闫凌加;王佳平;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池电极的制备方法，包括以下步骤：提供一浆料，该浆料包括电极活性材料，粘合剂，分散剂以及导电剂；将所述浆料均匀的铺在一金属片上；在浆料的表面铺设一碳纳米管层状结构，形成一电极预制体；以及烘干该电极预制体，形成锂离子电池电极。
锂离子电池电极制备方法

[发明专利]纳米异质结构的制备方法-CN201610502909.6有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种纳米异质结构的制备方法，包括：提供一支撑结构，在支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及将上述结构进行退火处理。
纳米结构制备方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710051903.6有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管。一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
薄膜晶体管

[发明专利]肖特基二极管及肖特基二极管阵列-CN201710045817.4有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
肖特基二极管阵列

[发明专利]光刻掩模板-CN201611093543.8有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管层远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板

[发明专利]疏水膜-CN201711435256.5有效
发明人：金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：一种疏水膜，包括一柔性衬底，该柔性衬底包括一柔性基底和设置于该柔性基底表面上的图案化的第一凸起；以及一疏水层，所述疏水层设置于该柔性衬底具有图案化的第一凸起的表面。
疏水

[发明专利]喷墨打印机及应用所述喷墨打印机的打印系统-CN201610553490.7有效
发明人：林辉煌 -专利权人： 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： B41J25/308 文献下载
摘要：一种喷墨打印机，包括一调整装置及一喷墨头，所述调整装置包括一磁性导轨、一压印板及两电磁元件，所述压印板用以支撑一媒体介质，所述喷墨头用以向所述压印板上的媒体介质进行喷墨，所述两电磁元件平行固定于所述喷墨头的两侧，所述两电磁元件还连接一电源以接收所述电源提供的电流，所述两电磁元件滑入磁性导轨，所述两电磁元件能够根据所接收的电流的大小以沿大致垂直于所述媒体介质的被打印面的方向移动，以调整所述喷墨头与所述媒体介质之间的距离。本发明还提供一种应用所述打印机的打印系统。上述喷墨打印机及应用所述喷墨打印机的打印系统可以精确调整喷墨头与媒体介质之间的距离，并且不会产生机构件之间的损耗。
喷墨打印机应用打印系统

[发明专利]共用动力源的多功能装置-CN201611189579.6有效
发明人：林高弘;陈秉逸 -专利权人： 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：一种共用动力源的多功能装置，包括一马达、第一功能单元、第二功能单元及一动力切换机构，该动力切换机构包括一行星齿轮组、一摇臂机构，行星齿轮组由马达驱动并带动所述摇臂机构摆动，从而将马达的动力选择性输出至所述第一功能单元或第二功能单元。该共用动力源的多功能装置可以使不同功能的机构共用同一个动力源，从而有效的降低产品成本。
共用动力多功能装置

[发明专利]显示装置-CN201910155060.3在审
发明人：黄礼锹;黄建铭;周冠葳;赖郁玟 -专利权人： 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种显示装置包括显示面板与背光模组。该背光模组包括多个白光LED。每一个白光LED包括蓝光芯片以及封装在所述蓝光芯片上的黄色荧光材料。光线调整元件设置在该显示面板上或设置在该背光模组上。该光线调整元件对波长在450nm以下的蓝光穿透率不超过10％，对波长在470nm以上的蓝光穿透率不低于90％；该光线调整元件还用于减少波长在575nm至595nm之间的黄光的穿透。通过特定白光LED搭配一滤除特定波长蓝光与黄光的光线调整元件，能够有效减少从显示装置中射出的损害眼睛的光线，同时还能够提高显示画面的色彩饱和度。
显示装置

[发明专利]多孔铜复合材料及其制备方法-CN201910157205.3在审
发明人：刘元锋;侯泽成;陈璐;朱琳;李文珍 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔铜复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供至少两个碳纳米结构增强的铜复合基底，将所述至少两个碳纳米结构增强的铜复合基底层叠设置形成一复合基底；在所述复合基底的表面设置一活泼金属层，形成第一复合结构；轧制所述第一复合结构形成第二复合结构；退火处理所述第二复合结构形成第三复合结构；对第三复合结构进行脱合金处理形成多孔铜复合材料。另外，本发明还涉及一种多孔铜复合材料。
多孔复合材料及其制备方法

[发明专利]一种太赫兹波通讯方法-CN201710259257.2有效
发明人：张凌;柳鹏;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H04B10/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹波通讯方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后形成太赫兹调制波发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；通过有规律地加热所述碳纳米管结构对所述太赫兹调制波进行加密；采用一太赫兹波接收装置接收加密后的太赫兹调制波，并计算所述太赫兹波的穿透率；以及根据所述太赫兹波的穿透率变化规律对该加密后的太赫兹调制波进行解密。
一种赫兹通讯方法

[发明专利]多孔金属复合结构的制备方法-CN201710434461.3有效
发明人：付红颖;李文珍 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔金属复合结构的制备方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板的表面固定多孔金属结构，形成第一复合结构；在所述第一复合结构中多孔金属结构的表面固定一碳纳米管结构，形成第二复合结构，该碳纳米管结构包括多个通过范德华力连接的碳纳米管；使所述第二复合结构发生皱缩，形成多孔金属复合结构。
多孔金属复合结构制备方法