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[发明专利]光强分布的测量方法-CN201710270811.7有效
发明人：朱钧;黄磊;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：提供一光强分布的检测系统，将所述光强分布的检测系统设置在真空环境中，所述光强分布的检测系统包括一碳纳米管阵列、一反射镜、一成像元件和一冷却装置，该碳纳米管阵列设置于一生长基底；启动所述冷却装置冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；用一待测光源照射所述碳纳米管阵列，使该碳纳米管阵列辐射出可见光，并持续冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；所述碳纳米管阵列所辐射的可见光经所述反射镜反射；利用所述成像元件对所述反射镜所反射的可见光成像，读出待测光源的光强分布。
分布测量方法

[发明专利]光强分布的检测系统-CN201710271505.5有效
发明人：黄磊;朱钧;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：一种光强分布的检测系统，包括一设置于生长基底表面的碳纳米管阵列，一冷却装置、一反射镜和一成像元件。所述冷却装置设置在所述生长基底与所述成像元件之间，所述冷却装置用于冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温。所述反射镜与碳纳米管阵列间隔设置，且所述碳纳米管阵列设置于反射镜与基底之间。所述成像元件与所述冷却装置间隔设置。
分布检测系统

[发明专利]锂硫电池隔膜的制备方法-CN201710415506.2有效
发明人：孔维邦;王佳平;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂硫电池隔膜的制备方法，包括提供一隔膜基底，该隔膜基底包括一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面；以及在所述第一表面和第二表面中的至少一个表面形成至少一个功能层，所述至少一个功能层的形成方法包括：提供一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管；刻蚀所述碳纳米管层，使所述多个碳纳米管的表面形成均匀且连续的缺陷；以及采用原子层沉积法在所述均匀且连续的缺陷上形成一连续的氧化铪包覆层。
电池隔膜制备方法

[发明专利]锂硫电池隔膜以及锂硫电池-CN201710417608.8有效
发明人：孔维邦;王佳平;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂硫电池隔膜，包括一隔膜基底以及至少一功能层，所述隔膜基底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，所述至少一功能层层叠设置在所述第一表面和第二表面中的至少一个表面，所述至少一功能层中的每个功能层包括一碳纳米管层以及一氧化铪包覆层，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述氧化铪包覆层包括多个氧化铪纳米颗粒，该多个氧化铪纳米颗粒吸附在该多个碳纳米管的表面。本发明还提供一种采用上述锂硫电池隔膜的锂硫电池。
电池隔膜以及

[发明专利]真空蒸镀用蒸发源，真空蒸镀装置及方法-CN201610215454.X有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明提供一种真空蒸镀用蒸发源，包括蒸发材料及碳纳米管复合膜，该碳纳米管复合膜为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管复合膜表面，通过该碳纳米管复合膜承载，该碳纳米管复合膜包括碳纳米管膜结构及复合材料，该复合材料设置在该碳纳米管膜结构表面。本发明还提供一种真空蒸镀装置和真空蒸镀方法。
真空蒸镀用蒸发装置方法

[发明专利]用作斜视相机镜头的光学系统的设计方法-CN201611208555.0有效
发明人：侯威;朱钧;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：一种用作斜视相机镜头的光学系统的设计方法，其包括：建立一初始系统，该初始系统包括一初始主镜、一初始次镜以及一初始三镜；建立一新的物像关系，选取多条第一特征光线，该多条第一特征光线从物方空间正向追踪到一图像传感器，保持所述初始主镜与初始次镜不变，根据该多条第一特征光线及该新的物像关系求解待求第三反射镜上的多个第一特征数据点，将多个第一特征数据点进行曲面拟合，得到第三反射镜；选取多个视场以及多条第二特征光线，使所述多条第二特征光线从图像传感器反向追踪到物方空间，根据该多条第二特征光线及新的物像关系求解待求的主反射镜上的多个第二特征数据点，将多个第二特征数据点进行曲面拟合，得到主反射镜。
用作斜视相机镜头光学系统设计方法

[发明专利]一种采用硅基底生长氮化镓外延的方法-CN201710017094.7有效
发明人：金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用硅基底生长氮化镓外延的方法，该方法包括以下步骤：提供一硅基底；提供一具有多个微孔的碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个碳纳米管；将所述碳纳米管结构设置于所述硅基底的一表面，从而使的所述硅基底的表面部分暴露；以该碳纳米管结构为掩模干法刻蚀所述硅基底，从而的到一具有图案化的凸起的硅基底，且该图案化的凸起包括多个凸条；以及以所述具有图案化的凸起的硅基底作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
一种采用基底生长氮化外延方法

[发明专利]自由曲面照明系统-CN201710059406.0有效
发明人：朱钧;吴晓飞;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种自由曲面照明系统，包括至少两个准直光源及一自由曲面透镜，所述准直光源发出的光束经过所述自由曲面透镜在一照明目标面上形成光斑，所述准直光源具有相同的形状、大小及光度特性，所述自由曲面透镜包括第一自由曲面和第二自由曲面，该第一自由曲面和第二自由曲面均为含有xy的多项式，该xy多项式表达为：其中，c为曲面顶点曲率，k为二次曲面常数，Amn为xy多项式的系数，m+n≥2,且m、n均为偶数。
自由曲面照明系统

[发明专利]光刻掩模板-CN201611093541.9有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管复合结构，设置于所述基板的表面，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及包裹于该碳纳米管层的一金属铬层；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管复合结构远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法-CN201610932307.4有效
发明人：李东琦;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一栅极，在所述栅极的表面设置一绝缘层；提供一碳纳米管膜，铺设该碳纳米管膜于一所述绝缘层表面；将所述碳纳米管膜置于扫描电镜下拍摄照片，区分该碳纳米管膜中的金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管；除去碳纳米管膜中的金属型碳纳米管，形成一半导体层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述半导体层电连接，得到一薄膜晶体管。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]碳纳米管的表征方法-CN201610933463.2有效
发明人：李东琦;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：一种碳纳米管表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。
纳米表征方法

[发明专利]碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置-CN201710320451.7有效
发明人：王江涛;金翔;柳鹏;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，包括一反应室、一基底、一第一电极、一连接线、一第二电极、一支撑结构、一测量表和若干导线；所述基底、第一电极、连接线、第二电极和支撑结构均设置于所述反应室的内部；所述测量表位于反应室的外部，且该测量表通过导线与所述第一电极和第二电极电连接；所述第一电极具有一空腔；所述支撑结构、第二电极和连接线相互配合，使基底悬空于所述空腔内。本发明还涉及一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量方法。
纳米阵列电学特性原位测量装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114628.X有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述基底上，且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面，且将所述半导体层、源极和漏极覆盖；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114618.6有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层设置于所述基底上且将所述栅极覆盖；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述电介质层远离所述基底的一侧，且分别与所述半导体层电连接；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]红外光吸收体的制备方法-CN201811638580.1在审
发明人：王营城;黄忠政;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外光吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；采用激光束对所述碳纳米管阵列远离基底的表面进行双向扫描处理，且两扫描方向的夹角范围为30°～90°。
红外光吸收体制备方法