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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201780023819.1有效
发明人：户田聪;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201811000665.7有效
发明人：高桥宏幸;风间和典;岩渕纪之;户田聪;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。
处理装置方法

[发明专利]群形成方法和群形成设备-CN201610490848.6有效
发明人：铃木浩子;古川忠延;高桥哲朗 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G06F16/335 文献下载
摘要：公开了一种群形成方法和群形成设备。从作为元素包括在第一提供者组中的提供者的公开信息提取关键词。基于预定属性值计算每个元素。所述第一属性是所述公开信息的提供者的属性，所述属性值随时间而变化。针对重复关键词设定的规则中的每个规则用于通过使用所述重复关键词中的一个重复关键词来确定所述属性中的一个属性。基于重复关键词和规则针对新的公开信息形成提供者组。由与第一属性不同的属性的属性值的分布来指定与第一提供者组具有相似关系的提供者组。与第一提供者组对应的新提供者组由第一属性的属性值对应于预定属性值的提供者形成。
形成方法设备

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201510685548.9有效
发明人：高桥宏幸;风间和典;岩渕纪之;户田聪;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。
处理装置方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201480022312.0有效
发明人：高桥信博;高桥哲朗;守谷修司;松本雅至;松永淳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人： 高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201180006900.1无效
发明人：米泽亮太;高桥哲朗;大崎良规;铃木公贵;齐藤智博;山下润;佐藤吉宏;盐泽俊彦;山崎幸一;古木和弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。
等离子体处理装置方法

[发明专利]绝缘膜的改性方法-CN201110303695.7无效
发明人：大﨑良规;高桥哲朗;前川浩治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低，将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中，进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理，形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序，和对上述氧化氮化硅膜的表面进行氧化处理的改性工序，从氮化处理工序结束到上述改性工序开始之间，维持真空气氛。另外，在将氮化处理工序刚结束后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度设为NC0、将改性工序后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度的目标值设为NCT时，进行等离子体氮化处理使得NC0＞NCT。
绝缘改性方法

[发明专利]绝缘膜形成方法-CN201010263420.0无效
发明人：佐藤吉宏;中山友绘;小林浩;大崎良规;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。
绝缘形成方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN200880024210.7有效
发明人： 高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]关键字管理程序、关键字管理系统和关键字管理方法-CN200780050107.5有效
发明人：内野宽治;高桥哲朗;张军;冈本青史 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明提供关键字管理程序、关键字管理系统和关键字管理方法。在关键字管理系统中，网络话题积累装置(100)计算表示关键字的每单位时间的增加值的Burst值，根据计算出的Burst值和与该Burst值对应的关键字在内容中的特征(标题中包含关键字的数量、展开链接的数量、被增强的数量)，计算综合Burst值。然后，网络话题积累装置(100)根据综合Burst值的时间序列推移，从内容中提取与对应于综合Burst值的关键字的关联关键字(相关关键字和共现关键字)，将把关键字和关联关键字对应起来的信息作为主题，输出到用户终端(20)。
关键字管理程序管理系统方法

[发明专利]等离子体处理装置以及气体通过板-CN200680006982.9无效
发明人： 高桥哲朗;前川浩治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明涉及一种在处理容器内生成处理气体的等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有设置于处理容器内的等离子体生成部和基座(2)之间的气体通过板(60)。该气体通过板(60)的贯通孔形成区域(61)包含与基座(2)上的基板(W)相对应的区域以及其外部区域，贯通孔形成区域(61)具有：与基板(W)的中央部分相对应的第一区域(61a)；配置在第一区域(61a)外周的第二区域(61b)；和配置在第二区域(61b)外周的包含基板(W)的外部区域的第三区域(61c)，并且第一区域(61a)的贯通孔(62a)的直径最小，第三区域(61c)的贯通孔(62c)的直径最大。
等离子体处理装置以及气体通过

[发明专利]绝缘膜形成方法及基板处理方法-CN200580036456.2无效
发明人：佐藤吉宏;中山友绘;小林浩;大崎良规;高桥哲朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。
绝缘形成方法处理

[发明专利]基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法-CN200580003402.6有效
发明人：石塚修一;佐佐木胜;高桥哲朗;前川浩治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。
处理装置净化方法

[发明专利]打印装置-CN88109191.X无效
发明人：青山刚;高桥哲朗 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1988-11-19 - 公布日： 1992-07-29 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本发明是一种由主机接收字符码和控制码等数据、进行打印操作的打印装置，它具有下列各个组成部分存储由主机接收到的数据的输入数据存储装置；根据多种字符码和控制码组中之一进行打印的打印控制装置；对上述输入数据存储装置的内容进行译码以指定上述多种字符码和控制码组中的一种的打印控制码组判别装置。本发明的装置，可以自动判别由主机发送来的字符码、控制码等的类型。
打印装置

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