专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光元件-CN201911073468.2有效
  • 吴世熙;姜珉佑;金钟奎;金贤儿 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2019-08-07 - 2023-05-02 - H01L27/15
  • 本发明公开了一种发光元件。发光元件包括:第一发光单元,配置到基板的第一区域,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第二发光单元,配置到基板的第二区域,与第一发光单元相隔,包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层;第一导电图案,配置到第一区域,包括与第一导电型半导体层电连接的接触部;以及连接图案,包括与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部、及与第二发光单元的第一导电型半导体层电连接的接触部;在与第二发光单元面对的第一区域的边缘,第一导电图案的一接触部配置到连接图案与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部之间,第一导电图案的一接触部向外侧开放。
  • 发光元件
  • [发明专利]发光二极管及具有该发光二极管的显示装置-CN202180050517.X在审
  • 吴世熙;禹尚沅;林完泰 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2021-08-19 - 2023-04-11 - H01L33/38
  • 公开一种发光二极管及具有该发光二极管的显示装置。该发光二极管包括:基板;发光结构体,布置于所述基板上,分别包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层;透明电极,欧姆接触于所述第二导电型半导体层上;接触电极,布置于所述第一导电型半导体层上;电流分散器,布置于所述透明电极上;第一绝缘反射层,覆盖所述基板、所述发光结构体、所述透明电极、所述接触电极、电流分散器,并具有使所述接触电极及电流分散器的一部分暴露的开口部,且包括分布式布拉格反射器;第一垫电极及第二垫电极,位于所述第一绝缘反射层上,通过所述开口部分别连接于所述接触电极及电流分散器;以及第二绝缘反射层,布置于所述基板下部,并包括分布式布拉格反射器,其中,所述第二绝缘反射层的反射带比第一绝缘反射层的反射带窄。
  • 发光二极管具有显示装置
  • [发明专利]发光器件-CN201910531975.X有效
  • 张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2015-08-19 - 2023-04-11 - H01L33/14
  • 公开了一种发光器件。发光器件包括n型半导体层、p型半导体层、设置在n型半导体层与p型半导体层之间的有源层以及设置在p型半导体层与有源层之间的电子阻挡层。p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层以及设置在空穴注入层与p型接触层之间的空穴传输层。空穴传输层包括具有彼此不同的掺杂剂浓度的未掺杂层和中间掺杂层。未掺杂层包括在其中空穴浓度随着与空穴注入层或者p型接触层的距离的增加而降低的区域,并且空穴传输层具有比空穴注入层和p型接触层的总厚度大的厚度。
  • 发光器件
  • [发明专利]发光二极管-CN201911071816.2有效
  • 蔡钟炫;俆大雄;金彰渊;孙成寿 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2015-08-28 - 2023-03-07 - H01L33/44
  • 公开了一种发光二极管,其包括:基底;发光结构,位于基底上,并包括第一导电型半导体层及台面,台面在第一导电型半导体层下部彼此相隔地布置且分别包括有源层及第二导电型半导体层;反射电极层,位于台面上,并与第二导电型半导体层欧姆接触,第一绝缘层,覆盖台面及第二导电型半导体层,并包括位于台面上的区域内并使反射电极层的一部分暴露的第一开放区域;电极层,位于基底和发光结构之间;基底包括:至少两个体电极,与发光结构电连接;模具,布置于体电极之间而围绕体电极,体电极在彼此相向的面分别包括互相咬合的凹部及凸部,凸部包括宽度沿着突出方向变化的区间。
  • 发光二极管
  • [发明专利]黏着型捕虫器-CN202210049143.6有效
  • 张相铉;严勳植;兪恃镐;李光龙;李贞勳;朴圣一 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2018-01-08 - 2023-02-28 - A01M1/14
  • 提供一种黏着型捕虫器。本发明的一实施例提供一种黏着型捕虫器,包括:主体,具有黏着片插入口;光源部,布置于所述主体;盖部,连接于所述主体,并且具有开口区域以暴露从所述光源部发射的光;以及黏着部件,包括片材和设置于片材上的黏胶件,其中,所述主体包括引导所述黏着片的引导部,所述盖包括形成在其外表面、内表面上并且包括凹凸部的光折射部,所述光折射部具有30%以上的雾度。
  • 黏着型捕虫器
  • [发明专利]流体处理装置-CN201880042488.0有效
  • 崔载荣;韩奎源;尹馀镇;郑雄基 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2018-08-30 - 2023-02-21 - C02F1/32
  • 流体处理装置包括:管道,具有流入口和排出口,并具有供流体移动的内部空间;以及光源部,提供于所述内部空间,并将光提供于所述流体,所述光源部包括至少一个光源单元。所述光源单元具有:基板;以及多个光源,提供于所述基板上而射出所述光,当在纵截面上观察时,彼此相邻的两光源之间的第一距离与从各光源到所述管道的内周面的第二距离的比为1:1.25以下。
  • 流体处理装置
  • [发明专利]杀菌模块-CN202110900584.8有效
  • 郑雄基;郑栽鹤;俞恃镐;朱炳哲;崔载荣;韩奎源;尹馀镇 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2018-07-06 - 2023-02-17 - A61L2/10
  • 根据本发明的一实施例,提供一种杀菌模块,包括:主体,形成有紫外线出口;透明部件,位于紫外线出口,并且使紫外线透过;以及光源单元,朝透明部件照射紫外线,其中,光源单元包括:发光二极管芯片;以及电路基板,贴装发光二极管芯片,发光二极管芯片包括:生长基板;导电型半导体层,形成于生长基板,并且,紫外线通过生长基板朝透明部件照射,还包括密封部件,在透明部件和电路基板之间形成相隔空间,借由密封部件而隔开的透明部件和电路基板之间的距离比发光二极管芯片的高度长。
  • 杀菌模块
  • [发明专利]发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件-CN201910461798.2有效
  • 禹尚沅;金艺瑟;朴泰俊;徐德壹 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2019-05-30 - 2023-02-03 - H01L33/06
  • 本发明提供一种发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件。根据一实施例的发光二极管包括:n型半导体层;台面,以使n型半导体层的上表面部分暴露的方式位于n型半导体层上,并包括活性层及位于活性层上的p型半导体层;第一键合垫,电连接于n型半导体层;引线键合用第二键合垫,电连接于p型半导体层;以及第一绝缘层,至少一部分布置于通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域与第二键合垫之间,其中,第一绝缘层覆盖通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域中的最靠近第二键合垫的暴露区域与第二键合垫之间的p型半导体层区域的一部分,第一绝缘层沿邻近于暴露的n型半导体层的p型半导体层的边缘部位而布置。
  • 发光二极管以及具有发光元件
  • [发明专利]具有电流阻挡层的发光元件-CN201810008733.8有效
  • 金艺瑟;金京完;金智惠;禹尚沅 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2018-01-04 - 2023-02-03 - H01L33/14
  • 本发明提供一种高效率的具有电流阻挡层的发光元件。此发光元件包括:第一导电型半导体层;第二导电型半导体层;活性层,布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间;电流阻挡层,布置于所述第二导电型半导体层上;透明电极层,覆盖所述电流阻挡层;第一电极,电连接于所述第一导电型半导体层;第二电极,位于所述透明电极层上,并电连接于所述透明电极层,且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部;以及第二反射层,布置于所述第二电极与所述透明电极层之间,其中,所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。
  • 具有电流阻挡发光元件

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