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[发明专利]一种BOE腐蚀的工艺方法-CN201910701576.3有效
发明人： 顾晶伟;邹有彪;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种BOE腐蚀的工艺方法，在光刻工艺的刻蚀过程中，通过将硅片在酸液中上下运动后减少腐蚀过程中依附在硅片上的气泡量，然后把片架整体提出液面1S，通过压力的快速变化，使依附在硅片上的气泡易于破碎，最后再将硅片放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，从而实现对硅片的腐蚀，同时，本发明中是通过BOE腐蚀槽来对硅片进行腐蚀，通过使腐蚀液循环流动，保持在腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度保持一致，同时，流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除，提升硅片腐蚀的一致性，降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响。
一种 boe 腐蚀工艺方法

[发明专利]一种硅片化学腐蚀工艺-CN201910701555.1在审
发明人：黄元凯;邹有彪;何孝鑫;顾晶伟 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片化学腐蚀工艺，通过化学腐蚀的方式替代传统的研磨减薄，从而避免对硅片内部产生应力，避免在后期的生产流程中经过高温造成硅片隐裂的问题，具体的，是通过酸试腐蚀、酸腐蚀、碱试腐蚀与碱腐蚀这四步来对硅片进行腐蚀处理，本发明所述工艺在进行酸腐蚀与碱腐蚀之前，首先进行酸试腐蚀与碱试腐蚀，从而考虑到硅片的个体厚度不同以及腐蚀液使用时间以及温度等条件对腐蚀速率的影响，使腐蚀处理得到的硅片厚度更加一致，并且能够防止硅片出现腐蚀过度或者腐蚀不足的情况，使腐蚀程度能够更加准确的进行控制。
硅片腐蚀腐蚀处理碱腐蚀酸腐蚀化学腐蚀工艺腐蚀不足化学腐蚀生产流程研磨传统的腐蚀液减薄隐裂替代

[实用新型]一种新型可控硅封装结构-CN201721424267.9有效
发明人：陆益;刘宗贺;李超;刘宗帅;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型可控硅封装结构，包括中间陶瓷片以及通过粘合剂将使得中间陶瓷片与上陶瓷片和下陶瓷片连接；上陶瓷片上设有第一通孔，上陶瓷片上下两端面分别设有第一金属片，上下两端面的第一金属片通过第一通孔进行连接；中间陶瓷片上设有通孔，在通孔内放有可控硅芯片；下陶瓷片上设有第二通孔和第三通孔，下陶瓷片上下端面分别设有第二金属片和第三金属片，第二金属片连接可控硅芯片的阴极，第三金属片连接可控硅芯片的阳极；上下两端面的第二金属片通过第二通孔进行连接；上下两端面的第三金属片通过第三通孔进行连接。本实用新型中的可控硅封装结构具有结构紧凑、占用空间小和散热效果好的特点，进而提高芯片的稳定性和使用寿命。
一种新型可控硅封装结构

[实用新型]一种用于卧式扩散炉的手动推拉石英舟-CN201721425662.9有效
发明人：李超;刘宗贺;陆益;刘宗帅;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于卧式扩散炉的手动推拉石英舟，包括石英槽棒，石英槽棒的两端均与石英连接板相连接；石英连接板下端与支撑柱连接，位于石英槽棒两端的石英连接板上的支撑柱间焊接有石英承重棒，其中一石英连接板上的两支撑柱间焊接有挡柱，所述挡柱上安装有石英拉环。所述石英槽棒的长度方向上分布若干用于安装半导体晶圆的槽道。本实用新型通过石英槽棒与石英连接板相连接，增加石英槽棒与石英连接板间的接触面积，可有效避免石英舟在高温过程中产生的变形，降低了石英舟更换的频率，同时降低了制造成本；石英连接板通过支撑柱与承重棒连接，可使得石英舟处于架空状态，有效利用了石英管内有效恒温区长度，大大提高了生产效益。
一种用于卧式扩散手动推拉石英

[实用新型]一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构-CN201721425700.0有效
发明人：刘宗帅;刘宗贺;陆益;李超;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构，机构内设有腔体，腔体内设有两L型连接轴和修正板，L型连接轴一端贯穿机构底部与气缸连接，另一端与修正板连接，修正板的下方设有坩埚；机构通过转轴安装有行星架，行星架与镀锅连接；镀锅在镀锅旋转轨道内进行滑动；镀锅旋转轨道上连接有四个升降轴，机构的侧壁安装用于固定镀锅旋转轨道的固定架。本实用新型通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅轨道高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
一种用于提高金属镀膜均匀机构

[发明专利]一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法-CN201711050050.0在审
发明人： 顾晶伟;刘宗贺;陆益;李超;刘宗帅;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，包括如下步骤将硅片进行预处理，清洗烘干；硅片进行氧化；硅片单面进行匀胶；将涂敷光刻胶的硅片进行曝光；将曝光后的硅片进行显影；将硅片放入恒温烘箱中进行坚膜；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；对硅片进行去胶；将去胶后的硅片放进扩散炉中进行单面扩散。本发明通过曝光、显影和坚膜，并利用负性光刻胶的性质，可将硅片表面在匀胶时产生的胶丝、胶粒进行溶解，而匀胶面通过曝光，负性光刻胶产生交联聚合反应，在负胶显影液中不会去除，从而达到保护的作用，为后期腐蚀二氧化硅奠定了基础，减少了返工次数和制造成本，进而提高了工艺质量和制造效率。
一种用于降低光刻单面保护缺陷制造方法

[发明专利]一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法-CN201711047109.0在审
发明人：刘宗帅;刘宗贺;陆益;李超;顾晶伟;何孝鑫;黄元凯 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构，包括机构，机构内设有腔体，腔体内设有两L型连接轴和修正板，L型连接轴一端贯穿机构底部与气缸连接，另一端与修正板连接，修正板的下方设有坩埚；机构通过转轴安装有行星架，行星架与镀锅连接；镀锅在镀锅旋转轨道内进行滑动；镀锅旋转轨道上连接有四个升降轴，机构的侧壁安装用于固定镀锅旋转轨道的固定架。本发明通过修正板阻挡气态金属源对镀锅中心位置过度蒸发，并利用升降轴调整镀锅轨道高度，保证镀锅的内圈和外圈接收金属源气态的能量一致，进而使得硅片表面的镀膜均匀性好、致密性强，减少表面的粗糙度，减少硅片返工次数，同时提高了硅片的性能，节约成本。
一种用于提高金属镀膜均匀机构及其使用方法

[实用新型]一种可控硅穿通结构-CN201621161630.8有效
发明人：纪锦程;陆益;李超;顾晶伟 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可控硅穿通结构，包括可控硅长基区；铝穿通扩散区，其为两个，两个所述铝穿通扩散区分别位于所述可控硅长基区的两侧；以及，腐蚀槽，其呈槽状，用于注入铝离子；所述腐蚀槽位于所述铝穿通扩散区远离所述可控硅长基区的一边。本实用新型通过在可控硅长基区设置腐蚀槽、从腐蚀槽内注入铝离子后扩散成铝穿通扩散区形成穿通结构，穿通温度低，穿通时间大大缩短，少子寿命长，可控硅电压高。
一种可控硅结构

[发明专利]一种三极管单面N+扩散层扩散的工艺方法-CN201610957522.X在审
发明人： 顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种三极管单面N+扩散层扩散的工艺方法。该工艺方法包括步骤一，水汽氧化硅片，形成两面氧化层；步骤二，单面腐蚀氧化层；步骤三，预扩散，扩散杂质源，形成预扩散层；步骤四，再扩散，在一定温度下进行结深推进一定时间，获得产品。本发明的极管单面N+扩散层扩散的工艺方法，在硅片的一面形成阻止扩散的掩蔽层，使衬底扩散只在硅片的另一面进行，原材料厚度也可选较薄的硅晶片，从而降低了生产制造成本。
一种三极管单面扩散工艺方法

[实用新型]一种炉管的开管扩散装置-CN201621255249.8有效
发明人：李超;纪锦程;陆益;顾晶伟 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种炉管的开管扩散装置，其放置于中空的炉管内，其包括石英套管，其为中空的管状；石英固定件，其具有若干个；若干个所述石英固定件等长度；以及，测温热偶，其匹配插接到所述石英套管中；其中，若干个所述石英固定件沿轴向分布在所述石英套管外侧；每个所述石英固定件一端固定连接到所述石英套管外侧、另一端匹配抵顶到所述炉管内侧。本实用新型的石英套管内侧插接有测温热偶，石英套管外侧沿轴向连接有与炉管内侧抵顶的石英固定件，使得该石英套管放入炉管内时位于炉管中心，有效测量炉管中心温度，提高了测量恒温区的精度，结构简单。
一种炉管扩散装置

[实用新型]一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟-CN201621255245.X有效
发明人：李超;纪锦程;顾晶伟;刘宗帅 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟，其包括石英镓预扩舟、石英载源体以及石英载源体固定装置；所述石英载源体固定装置为固定连接到所述石英镓预扩舟一侧的石英镓源舟；所述石英镓源舟包括第一部、第二部以及第三部；所述第一部和所述第二部分别垂直连接到所述石英镓预扩舟；所述第三部垂直连接到所述第一部和所述第二部之间；所述第三部设有放置所述石英载源体的凹槽。本实用新型将石英镓源舟作为石英载源体固定装置固定安装到石英镓预扩舟一侧，并在石英镓源舟的第三部设有放置石英载源体的凹槽，保证了石英镓源舟以及的石英载源体的位置固定不变，结构简单，有效提高了产品表面浓度的一致性和均匀性。
一种具有石英载源体固定装置镓预扩舟

[实用新型]一种磁控溅射装置-CN201621182971.3有效
发明人：刘宗帅;陆益;顾晶伟;李超 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜设备领域，具体涉及一种磁控溅射装置，括依次连接的烘烤腔、溅射腔和降温腔，所述烘烤腔内设置至少一个烘烤灯，所述烘烤灯用于烘烤基片，本实用新型可以去除基片的水汽和腔体壁的杂质气体，提高了基片与沉积的金属膜的附着力和致密性，更好的保证了基片的和金属膜的结合质量；在溅射后的降温腔的腔体外设置冷却水循环降温盘，可以降低基片的温度，使金属膜的应力变小、金属膜层与基片的粘附性更好，质量更高，全面提高了基片金属膜的质量，发明的磁控溅射装置适合推广使用。
一种磁控溅射装置

[发明专利]一种P型层开管Al扩散硅元件及其制备方法-CN201610940303.0在审
发明人：陆益;刘宗帅;纪锦程;顾晶伟 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及可控硅元件领域，具体涉及一种P型层开管Al扩散硅元件制备方法。包括以下步骤：步骤一，在Si表面镀Al膜层；步骤二，通过合金方式形成Al‑Si合金层，即Si表面包括Al‑Si合金层和Al膜层；步骤三，除去Al膜层，即获得Al‑Si合金层作为Al杂质源；步骤四，将Al‑Si合金层和Si层在一定温度、一定气氛下结深推进一定时间，使得Al向Si扩散；步骤五，后处理，即获得产品。本发明的制备方法工艺简单，可工业化性强，对设备要求低，产品均匀性好、扩散一致性好。
一种型层开管 al 扩散元件及其制备方法

[发明专利]减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法-CN201610957469.3在审
发明人： 顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀，使得基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。本发明的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，在通过不增加其它任何设备的情况下，在现有的生产条件下，提高湿法腐蚀质量。本发明在一次光刻后，湿法腐蚀前，进行第二次光刻，得到两次完全重合的光刻图形。通过两次光刻后，得到较厚的光刻胶膜，能有效阻挡腐蚀液穿透光刻胶膜，避免腐蚀液与衬底发生反应，减少钻蚀，在不降低图形分辨率的情况下，提高光刻胶膜厚度，减少湿法腐蚀后的钻蚀量。
减少光刻湿法腐蚀钻蚀工艺方法

[发明专利]一种提高磁控溅射镀膜质量的方法-CN201610958201.1在审
发明人：刘宗帅;陆益;顾晶伟;李超 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及物理气相淀积技术领域，具体涉及一种提高磁控溅射镀膜质量的方法，包括以下步骤：步骤一，装片，将基片装置烘烤腔，抽真空至一定值，关粗抽阀，开高阀；步骤二，将烘烤腔抽至高真空，打开烘烤灯，在一定温度下对基片烘烤一定时间；步骤三，继续抽真空至一定值，通氩气，溅射；步骤四，溅射完毕后，把基片传至冷却腔内，在一定温度下冷却一定时间；步骤五，关高阀，对冷却腔充氮气，破腔，取出产品。本发明的提高磁控溅射镀膜质量的方法，能获得致密性强、均匀性好、稳定性强、附着力强的镀膜。全面提高了膜的质量，该方法镀膜质量优良，具有优良的综合性应用。
一种提高磁控溅射镀膜质量方法

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