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[发明专利]使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法-CN201910018564.0有效
发明人：陈东燮;尹弼相;孙弘乐;孔骏镇;沈荣燮;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/02 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
使用非线性滤波方案存储器系统及其读取方法

[发明专利]使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法-CN201710022359.2有效
发明人：陈东燮;尹弼相;孙弘乐;孔骏镇;沈荣燮;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
使用非线性滤波方案存储器系统及其读取方法

[发明专利]擦除和刷新非易失性存储器件的方法-CN201610603127.1有效
发明人： 韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线。
擦除刷新非易失性存储器方法

[发明专利]非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法-CN201510119045.5有效
发明人：金斗铉;金甫根;朴起台;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。
非易失性存储器装置存储及其操作方法

[发明专利]存储器系统及其块复制方法-CN201210520121.X有效
发明人：尹翔镛;朴起台;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
存储器系统及其复制方法

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201210436459.7有效
发明人：朱相炫;朴起台;尹翔镛;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储系统及其操作方法，存储系统包括非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。
存储系统及其操作方法

[发明专利]具有多位存储器件的数据存储系统及其操作方法-CN201110056113.X有效
发明人：尹翔镛;朴起台;韩真晚;李元奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
具有存储器件数据存储系统及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件、其擦除方法以及包括其的存储系统-CN201110047620.7有效
发明人： 韩真晚;金杜坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件的擦除方法。所述擦除方法向分别连接到所述存储单元的多条字线施加字线擦除电压，向连接到地选择晶体管的地选择线施加特定电压，向在向所述地选择线施加所述特定电压的步骤中在其中形成存储串的衬底施加擦除电压，以及响应于所述衬底的电压变化浮置所述地选择线。
非易失性存储器擦除方法以及包括存储系统

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统-CN201110039569.5有效
发明人： 韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明是一种非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统。提供一种操作非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括衬底和存储块，所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元。所述方法包括：从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据；以及响应于对被选子块的读取，选择性地刷新被选存储块的每个子块，其中，所述被选存储块的每个子块被单独擦除。
非易失性存储器操作方法以及包括存储系统

[发明专利]非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统-CN201110040220.3有效
发明人：李昌炫;韩真晚;金杜坤;许星会;尹钟仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器件、其编程方法以及包括其的存储系统。所述非易失性存储器件包括衬底以及在与衬底相交的方向上堆叠的多个存储单元。所述编程方法向被选位线施加第一电压，向未选位线施加第二电压，向被选串选择线施加第三电压，向未选串选择线施加第四电压，并且向多个字线施加编程操作电压，其中，所述第一到第三电压是正电压。
非易失性存储器编程方法以及包括存储系统

[发明专利]读可靠性获得提高的含有多位存储单元的快闪存储器件-CN201010616568.8有效
发明人：蔡东赫;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：集成电路存储器件包括非易失性N位存储单元阵列，其中N为大于1的整数。还提供控制电路以从N位存储单元中可靠地读取数据。此外，该控制电路电耦接到所述阵列，它被配置为用于确定在阵列的所选择的N位存储单元中所存储数据的至少一位的数值。这可以通过利用在读操作期间被应用于所选择的N位存储单元的相应多个不相等的读电压对从所选择的N位存储单元中读取的至少一个硬数据和多个软数据(例如，6个数据值)进行解码来实现。
可靠性获得提高含有存储单元闪存器件

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法和包括其的存储系统-CN201110034906.1有效
发明人： 韩真晚;蔡东赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器件、其操作方法以及包括该非易失性存储器件的存储系统。在所述操作方法中，可以被浮置连接到位线的第一串的地选择线。可以向连接到所述位线的第二串的地选择线施加擦除禁止电压。可以向所述第一串和第二串施加擦除操作电压。
非易失性存储器操作方法包括存储系统

[发明专利]在快闪存储器装置上存储数据的方法-CN200980122329.2有效
发明人： 韩真晚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明揭示多种方法及设备，例如那些涉及快闪存储器装置的方法及设备。一种此类方法包括将数据存储于存储器块(300)上的存储器单元上，所述存储器块包括多个字线(WL0-WLn)及所述字线(WL0-WLn)上的多个存储器单元(310)。所述字线(WL0-WLn)包含一个或一个以上底缘字线(BEWL)、一个或一个以上顶缘字线(TEWL)以及位于所述底缘字线与顶缘字线之间的中间字线(IWL)。首先将所述数据存储于所述中间字线(IWL)上的存储器单元上。接着，将所述数据的剩余部分(如果存在的话)存储于所述底缘字线(BEWL)及/或所述顶缘字线(TEWL)上的存储器单元上。所述方法通过防止所述底缘或顶缘字线上的可能较倾向于失效的存储器单元的过早失效而增强所述快闪存储器的寿命。
闪存装置存储数据方法

[发明专利]非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法-CN201010297753.5有效
发明人：尹翔镛;韩真晚;朴起台;郭俊荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储器包括多个N位多电平单元(MLC)存储单元和控制器。所述多个N位MLC存储单元用于存储N页数据，每个MLC存储单元可编程为2N个阈值电压分布中的任一个，其中N是正数。所述控制器被配置成将N页数据编程到MLC存储单元，并且进行部分插入处理，在所述部分插入处理中N页数据被划分为M个页组，其中M是正数且每个页组包括N页数据中的至少之一，并且其中M页组中的每一个被应用于纠错码(ECC)电路以对相应M个页组生成奇偶校验位，其中M个组中的每组内的页当中的误码率(BER)被所述部分插入处理均衡。
非易失性存储器系统编程方法

[发明专利]具有比命令-与-地址-加载频率大的数据写入频率的NAND系统-CN200780021657.4无效
发明人： 韩真晚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本发明提供方法及设备。一种NAND快闪存储器装置以第一频率接收命令及地址信号且以比所述第一频率大的第二频率接收数据信号。
具有命令地址加载频率数据写入 nand 系统

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