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[发明专利]一种电子阻挡层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310906427.7有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电子阻挡层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述电子阻挡层包括周期性层叠设置的过渡层、第一电子阻挡子层以及第二电子阻挡子层；其中，所述过渡层为GaN层、第一电子阻挡子层为Ga2O3层、第二电子阻挡子层为MgO层；或所述过渡层为GaN层、第一电子阻挡子层为MgO层、第二电子阻挡子层为Ga2O3层。本发明解决了现有技术中的外延片由于内量子效率低而导致发光效率低的问题。
一种电子阻挡及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310906430.9有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明提供一种抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述抗静电能力改善层包括周期性依次层叠设置的基层、保护层、第一核心层、第二核心层以及准备层；其中，所述基层为InGaN层、保护层为GaN层、第一核心层为Ga2O3层、第二核心层为Ga2O3与GaN的渐变层、准备层为GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片抗静电能力差的问题。
抗静电能力改善及其制备方法外延发光二极管

[发明专利]一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202310906428.1在审
发明人： 霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过设置由若干二维的AlN子层周期性交替生长而成的空穴传导层，且在空穴传导层中引入碱土金属元素Mg、Ca、Zn、Sr掺杂，使二维AlN子层实现P掺杂，提供空穴，同时由于磁性粒子的引入，可以在AlN结构中引入浅受主杂质能级，由于浅受主杂质能级的引入，更有利于空穴电离和传导，从而提高深紫外LED的发光效率。
一种深紫 led 外延生长方法芯片

[发明专利]反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法-CN202310687123.6在审
发明人：梅松;霍丽艳;崔晓慧;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种反极性薄膜型AlGaInP的LED结构及其制备方法，所述LED结构包括：第一衬底、反射金属层、绝缘介质层和外延层；其中，所述反射金属层为Ag基反射金属层，所述绝缘介质层面向所述反射金属层一侧的表面为粗糙面。本发明提供的这种LED结构采用Ag基反射金属层，Ag基反射金属层的反射率比Au基反射金属层的反射率高，能够提高LED结构的光电效率，且采用Ag基反射金属层的成本更低；另外由于在本发明中，所述绝缘介质层面向所述Ag基反射金属层一侧的表面为粗糙面，增大了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的接触面积，从而提升了Ag基反射金属层与所述绝缘介质层之间的粘附力。
极性薄膜 algainp led 结构及其制备方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及发光二极管-CN202310029173.5有效
发明人：刘兆;吴洪浩;霍丽艳;翁聪;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片、外延片制备方法及发光二极管，外延片包括N极性组合层，N极性组合层包括依次层叠设置的N极性的N型GaN层、N极性的多量子阱层以及N极性的P型GaN层；N极性的多量子阱层包括周期性依次交替设置在N极性的N型GaN层上的势垒层和势阱层，势垒层和势阱层均为AlGaN层，势阱层中Al的组分含量为35%‑65%，势垒层中Al的组分含量为35%‑90%，N极性的N型GaN层和N极性的P型GaN层的生长温度均为800℃‑1400℃，N极性的多量子阱层的生长温度为1000℃‑1300℃。本发明解决了现有技术中的外延片的开启电压而导致发光效率低的问题。
一种外延制备方法发光二极管

[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202310120804.4有效
发明人：刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过依次生长N极性转换层和图形化石墨层，其中，所述N极性转换层的材料为GaN，且靠近图形化石墨层的一侧为氮面，由于图形化石墨层的材料为石墨烯，石墨烯中的碳原子和N极性转换层氮面的氮原子可以根据范德瓦尔斯力结合，通过这样的方式将其应用于Micro‑LED或Mini‑LED中，可以更轻松地实现与衬底的剥离，另外，在部分子石墨烯块的中心位置开设有通孔，该通孔用于将N极性转换层部分裸露，目的在于在通孔处形成晶种，便于后续生长的GaN材料可以更好的在石墨烯表面沉积。
一种 led 外延生长方法芯片

[发明专利]基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法-CN202310440820.1在审
发明人：梅松;林继宏;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法，该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。
基于 sic 衬底 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]具有复合超晶格电子阻挡层的LED芯片及制备方法-CN202310382707.2在审
发明人：唐慧慧;霍丽艳;崔晓慧;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有复合超晶格电子阻挡层的LED芯片及制备方法，复合超晶格电子阻挡层是由AlN层、AlxGa1‑xN层、AlyIn1‑yGaN层、InzGa1‑zN层和MgN层循环交替生长而成的周期性结构，AlN层减少电子阻挡层及P型半导体层与多量子阱层的晶格差异，减小因晶格失配带来的电极化效应，提供较高的势垒能级有效阻挡电子迁移到P型半导体层，提高空穴的注入效率；AlN层和MgN层之间其它三层的异质结界面处可以吸引电子形成浓度较高的面载流子与多量子阱层中的电子互相排斥将电子限制在量子阱中；MgN层提供更多的空穴，增加载流子的数量，提高电子和空穴的辐射复合效率，从而提高发光效率和光电性能。
具有复合晶格电子阻挡 led 芯片制备方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310064301.X在审
发明人：聂虎臣;刘兆;霍丽艳;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次层叠的Si衬底、第一缓冲层、第二缓冲层和由第一型GaN层、多量子阱层以及第二型GaN层组成的GaN发光层，其中，第一缓冲层为AlN层，第二缓冲层包括多层AlGaN层，从而通过AlN层和AlGaN层使Si衬底逐渐过渡到GaN发光层；并且，在第二缓冲层中，在相邻两层AlGaN层之间插入一层缺陷阻挡层，且缺陷阻挡层至少包括SiN层，从而利用SiN层抑制AlGaN层中的部分位错和缺陷，并有效引导AlGaN层中应力的释放，以提高后续生长的GaN发光层的内应力状况和晶体质量，降低缺陷密度，改善LED芯片的波长均匀性和内量子效率，提升亮度。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法-CN202110297854.0有效
发明人： 霍丽艳;滕龙;崔晓慧;吴洪浩;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法，该转移装置包括：第一磁极和第二磁极，用于产生磁场；位于所述磁场中的第一载盘，所述第一载盘上具有多个吸附元件、上电装置以及第一驱动装置，在进行Micro LED转移时，上电装置用于使得Micro LED带电，第一驱动装置用于带动所述第一载盘运动，所述第一载盘的运动方向与所述磁场方向的夹角的取值范围为0°～90°，不包括0°，使得Micro LED具有脱离所述第一载盘的作用力；位于所述磁场中的第二载盘，用于吸附转移后的Micro LED。本申请实施例提供的转移装置，在进行Micro LED转移时，不需要对Micro LED进行工艺处理，保证了转移过程中的Micro LED的良品率，同时还可以实现多个Micro LED的转移，具有较高的转移效率。
一种 micro led 阵列器件巨量转移装置方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202211226622.7在审
发明人：吴洪浩;周瑜;霍丽艳;滕龙;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制作方法，通过在外延结构与第一ITO层之间或者在第一ITO层与第二ITO层之间沉积Al金属层以及In和Sn的混合金属层，所述Al金属层、In和Sn的混合金属层为颗粒结构，通过退火，可以使得部分金属元素渗透进入ITO层中，利用Al金属的反射性能，可以减少ITO层对光的吸收，从而可以适当增加ITO层的厚度而不会影响光的输出。并且因为In和Sn金属的存在，可以使得ITO层与外延结构之间的结合更紧密，形成良好的欧姆接触，而且在高温退火的同时通入氧气，可以提高ITO层的透光性能，增加ITO层与外延结构的欧姆接触，从而降低电压，提升发光效率。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202210890107.2在审
发明人：刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片为倒装结构，包括依次排布的蓝宝石衬底、第一增透膜、第一半导体层和发光层，发光层包括第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层，通过在第一半导体层和蓝宝石衬底之间增加第一增透膜，以减少向蓝宝石衬底的出光方向上的反射光，增加透射光，从而提高对倒装LED芯片出射光的萃取效率，提升倒装LED芯片的外量子效率；并且，设置第一增透膜为MgxZn(1‑x)O层，使得MgxZn(1‑x)O层在起到增透作用的同时，还与GaN外延层的晶格失配更小，从而降低发光层的缺陷密度，提升倒装LED芯片的内量子效率，结合起来大大提高倒装LED芯片的发光效率。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种GaN LED结构及其制作方法-CN202210374540.0在审
发明人： 霍丽艳;滕龙;吴洪浩;林继宏;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN LED结构及其制作方法，该方法在SiO2图形化蓝宝石衬底上生长GaN层之前，生长一层SiNx层，SiNx层和SiO2形成SiO2‑SiNx双层提高反射膜，可以减少LED发出的光在外延层内全反射，进而提高LED外延的外量子效率；SiAlxInyGa(1‑x‑y)N缓冲层多层的设计，一方面提供和SiO2图形化蓝宝石衬底有着相同取向高密度成核中心，另一方面又通过减小外延层和SiO2图形化蓝宝石衬底之间的界面自由能来促进横向生长，可以有效的降低缺陷密度，同时起到晶格过度的作用，提高LED晶体质量，进而提高LED的内量子效率；MgO钝化层设置在三维U型GaN层后，SiO2图形化蓝宝石衬底图形尖端处未被覆盖时，用于钝化图形尖端处，减少穿透位错向上延申，继而改善LED外延层的漏电性能。
一种 gan led 结构及其制作方法

[发明专利]一种深紫外LED及其制作方法-CN202110172071.X有效
发明人： 霍丽艳;滕龙;吴洪浩;周瑜;刘兆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述电子阻挡层为稀磁材料的电子阻挡层。该稀磁材料的电子阻挡层能够在阻挡电子的同时，对空穴的注入也起到正向的作用，提高电子和空穴的空间波函数交叠，进而提高深紫外LED的发光效率。
一种深紫 led 及其制作方法

[发明专利]一种量子阱结构、LED芯片及制作方法-CN202111462290.8在审
发明人：聂虎臣;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子阱结构、LED芯片及制作方法，该量子阱结构包括了多个量子阱叠层，该量子阱叠层包括了InyGa1‑yN层、超晶格治疗层、以及GaN层，其中超晶格治疗层又包括了InN层、以及InxGa1‑xN层。由于InN层、以及InxGa1‑xN层中In的迁移率偏高，能有效补偿量子阱结构的InyGa1‑yN层中受热分解的InN空位，修复InyGa1‑yN层的晶格缺陷，同时改善InyGa1‑yN层中In的偏析和富集现象，使得In的组分分布均匀，为后续的GaN生长提供了一个质量良好且清晰的界面，减少了InyGa1‑yN层和GaN层由于晶格失配产生的应力，从而提升了波长均匀性和内量子效率。
一种量子结构 led 芯片制作方法

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