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[发明专利]一种具有抑菌作用的蚂蚁外用组合物-CN202310613753.9在审
发明人：王海丽;赵国钰;殷英;郭健;陈逸清;赵开军 -专利权人：南京中山制药有限公司;南京小蚁健康科学研究院有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A61K36/9068 文献下载
摘要：本发明提供一种具有抑菌作用的蚂蚁外用组合物，所述外用组合物的原料由以下重量份数的组分组成：蚂蚁40‑60份、干姜40‑60份、艾叶40‑60份、苦参40‑60份、黄柏20‑40份、蛇床子20‑40份、白鲜皮20‑40份、白芷20‑40份、桂枝20‑40份、蒲公英10‑30份、冰片5‑15份。针对足部主要的致病菌大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、白色念珠菌等均有抑制作用，对传统中药需要水煎，本发明提前将所需的中药进行提取浓缩成泡脚液，使用时用热水进行勾兑即可，具有使用方便安全、温和无刺激、疗效稳定，并且具有促进患者创口快速愈合的功效，可有效减小重复感染的概率等特色。
一种具有抑菌作用蚂蚁外用组合

[发明专利]一种养肝护肝的药食同源代泡茶及其制备方法-CN202310613737.X在审
发明人：王海丽;殷英;陈逸清;赵开军;刘路路 -专利权人：南京中山制药有限公司;南京小蚁健康科学研究院有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A23F3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种养肝护肝的药食同源代泡茶及其制备方法，由以下重量的原料组成：佛手丝10‑25份，桑葚5‑15份，菊花5‑15份，枸杞子10‑15份，决明子5‑10份，玫瑰10‑15份，栀子15‑20份。本发明采用天然的药食同源物质为原料并进行科学配比，通过CO2超临界萃取、冷冻干燥、粉碎、煎制等现代科技方法，达到最大程度富集或保留有益元素的效果，制得的代泡茶幽香色纯，具有养阴柔肝，清肝护肝，调畅气机的效果，食用方便，安全无副作用，可长期泡水饮用。
一种养肝护肝同源泡茶及其制备方法

[发明专利]芯片3D形貌制备方法-CN202011310724.8有效
发明人：徐伟;肖勇;陈逸清 -专利权人：上海矽睿科技股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种芯片3D形貌制备方法，所述方法包括：在基底上生长第一介质材料，形成第一介质材料层；在所述第一介质材料层上生长第二介质材料，形成第二介质材料层，所述第二介质材料层包括至少两个第二介质材料层单元；不同第二介质材料层单元具有设定间隔，形成设定间距的隔断；利用高密度等离子体边沉积边刻蚀的工艺特征形成具有设定坡度及高度的高密度等离子体层；在所述高密度等离子体层上生长氧化硅，形成氧化硅层。本发明提出的芯片3D形貌制备方法，可制得的产品具有更好的斜坡面及坡度，提高产品的性能。
芯片形貌制备方法

[实用新型]一种高低温环境下红外目标模拟器校准装置-CN202022826001.5有效
发明人：罗兆明;赵天承;刘鑫;赵化业;张俊祺;陈逸清 -专利权人：北京航天计量测试技术研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01V13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高低温环境下红外目标模拟器校准装置，用于对被校准红外目标模拟器进行校准，其特征在于，包括：步入式高低温箱、红外光谱辐射计、标准黑体辐射源、滑动导轨和计算机；被校准红外目标模拟器放置在步入式高低温箱中，步入式高低温箱为被校准红外目标模拟器搭建可控的高低温环境；滑动导轨并排设置在步入式高低温箱设有观察窗口的一侧，标准黑体辐射源设置在与步入式高低温箱的观察窗口所在侧垂直的一侧，使滑动导轨的轨道与被校准红外目标模拟器和标准黑体辐射源的连线平行。
一种低温环境红外目标模拟器校准装置

[外观设计]智能手环-CN202130327493.0有效
发明人：邹俊宇;孙宜权;俞进伟;陈逸清;李志伟;张洪文 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能手环。2.本外观设计产品的用途：用于佩戴于手腕，进行运动记录、定位等的智能穿戴设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
智能

[发明专利]基于大数据下伺服系统有选择性的确定采集节点的方法-CN202110446394.3在审
发明人：潘安远;章辉;文泉华;张今朝;朱海燕;陈逸清 -专利权人：浙江德欧电气技术股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于大数据下伺服驱动系统有选择性的确定采集节点的方法，基于伺服驱动系统运动控制时电流和转速运行曲线，稳定运行时实时采集时间同步下电流和转速的数据，同时进行线上处理。本发明对于只需满足一般监控需要，采集稳定运行时的电流和转速数据，可大大减小对数据的采集，能实时线上对电机的运行情况进行分析和研究，克服了目前都是全时间对数据进行采集，再进行线下分析和研究。
基于数据伺服系统选择性确定采集节点方法

[发明专利]一种含蚂蚁的中药组合物及其制备方法和应用及其蚁灸贴-CN202010061939.4在审
发明人：赵开军;赵国钰;王海丽;邢傲霜;宫杰;陈逸清 -专利权人：南京小蚁健康科学研究院有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： A61K36/9068 文献下载
摘要：本发明公开了一种含蚂蚁的中药组合物及其制备方法和应用及其蚁灸贴。该组合物由拟黑多刺蚁、干姜和薄荷经粉碎、过筛后以4～5：3～4：2～3的质量比混合制成，可以用于制备治疗或缓解关节疼痛的药物或保健品，配方简单，能有效抗炎镇痛，消除肿胀，提高痛阈值，适用于治疗或缓解关节疼痛，且效果显著，能快速起效，治疗周期短。所述含蚂蚁的中药组合物的蚁灸贴，将蚂蚁疗法与热敷疗法相融合，既降低了口服用药对肝肾造成的毒性，又打破传统灸法，可通过透气膜的透气度，控制进入发热包氧气量，使温度可控，且发热时间长，实现高效灸疗。
一种蚂蚁中药组合及其制备方法应用蚁灸贴

[发明专利]一种深沟槽功率MOS器件结构及其制备方法-CN201611005996.0有效
发明人：周秀兰;蒋正洋;陈逸清 -专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种深沟槽功率MOS器件结构及其制备方法，通过在做完体区离子注入和退火制程后，增加一道覆盖式P型离子注入工艺，于N型保护环上部及相邻N型保护环之间的P型轻掺杂外延层的上部形成P型轻掺杂区，以抵抗工艺中的N型离子污染，使器件外围的隔离由于没直接的大漏电路径而得以保持正常的工作，从而提高了器件的性能。
一种深沟功率 mos 器件结构及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管半导体器件及其制备方法-CN201410102567.X有效
发明人：陈世杰;黄晓橹;沈健;蒋建;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于整流器的二极管分离器件，更确切的说，本发明旨在提供一种带有沟槽结构的肖特基二极管半导体器件及制备方法。沟槽包括沟槽上部和沟槽下部，填充有导电材料，肖特基势垒金属覆盖于衬底上表面和覆盖在沟槽上方，在沟槽上部和沟槽下部各自的内壁上内衬有绝缘层，并且沟槽下部以旁向膨胀的方式至其侧壁凸出于沟槽上部沿垂直方向延伸的侧壁。
肖特基二极管半导体器件及其制备方法

[发明专利]防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法-CN201310033952.9有效
发明人：黄晓橹;刘伯昌;蒋正洋;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种防止沟槽式功率MOS晶体管体效应的工艺制备方法。主要是增加一道接触孔掺杂工艺，以保证接触孔下方一定范围内和体区掺杂同型。即当发生工艺偏差导致接触孔没有穿透源区时，由于接触增进区的存在，使得接触孔下方未穿透的源区薄层反型为和体区同型的掺杂类型，从而有效解决沟槽式功率MOS晶体管工艺制备中的体效应导致的失效。
防止沟槽功率 mos 晶体管效应工艺制备方法

[发明专利]平衡正向压降和反向漏电流的肖特基二极管及制备方法-CN201410102875.2有效
发明人：陈世杰;黄晓橹;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于整流器的二极管分离器件，更确切的说，本发明旨在提供一种带有沟槽结构或者平面型的肖特基二极管半导体器件及制备方法。包括一个衬底和衬底之上的肖特基合金层，肖特基合金层包括由下至上依次覆盖在衬底上表面之上的肖特基势垒层、势垒调节层和金属阻挡层，可通过调整所述势垒调节层的厚度以及退火条件来调节肖特基合金层的势垒高度。
平衡正向反向漏电肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法-CN201310574660.6有效
发明人：黄晓橹;沈健;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个沟槽、结合于各该沟槽表面的介质层、以及填充于各该沟槽内的导电材料；其中，相邻两个沟槽结构之间的衬底表面包含有凹弧面；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及沟槽结构表面。本发明通过工艺改进，衬底表面的肖特基势垒层包括凹弧面结构，比起常规的平面形结构面积大大增大，从而有效降低正向压降VF，提高了器件性能。本发明的结构及制备方法简单，效果显著，适用于工业生产。
一种沟槽式肖特基二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种沟槽式肖特基二极管结构及其制造方法-CN201310565899.7在审
发明人：黄晓橹;蒋建;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制造方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个深沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个深沟槽、结合于各该深沟槽表面的介质层、以及填充于各该深沟槽内的导电材料；其中，相邻两个深沟槽结构之间的衬底中形成有浅沟槽；金属半导体化合物，形成于所述衬底表面及所述浅沟槽表面；正面电极层，覆盖于所述金属半导体化合物及深沟槽结构表面。本发明具有以下有益效果：本发明通过工艺改进，衬底表面的肖特基势垒层为浅沟槽结构，比起常规的平面形结构面积大大增大，从而有效降低正向压降VF，提高了器件性能。本发明的结构及制造方法简单，效果显著，适用于工业生产。
一种沟槽式肖特基二极管结构及其制造方法

[发明专利]深沟槽功率MOS器件及其制造方法-CN201310076509.X有效
发明人：黄晓橹;王代利;刘伯昌;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法，其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区，所述元胞区中，利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm，使本发明的器件为高元胞密度；本发明采用了无掩膜版注入（BlankImplantation），简化工艺；在保证0.16μm的最小光刻胶线宽的同时，本发明避免了小线宽光刻工艺中光刻胶宽度过小而导致的倒胶问题；本发明可进一步增加体接触区的掺杂浓度，以降低体接触区与源体接触金属层之间、以及体接触区与体接触金属层之间的接触电阻；本发明改进了常规栅极电性接触方法，降低了工艺难度。
深沟功率 mos 器件及其制造方法

[发明专利]深沟槽功率MOS器件及其制备方法-CN201310076379.X有效
发明人：黄晓橹;刘伯昌;王代利;陈逸清 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种深沟槽功率MOS器件及其制备方法，其包括元胞区、栅极电性接触区和终端保护区，所述元胞区中，利用反型制备的且与体区同型的体接触区使源区和体区实现等电位。本发明的元胞间距最小可达0.76μm，使本发明的器件为高元胞密度；本发明采用了无掩膜版注入（BlankImplantation），简化工艺；在保证0.16μm的最小光刻胶线宽的同时，本发明避免了小线宽光刻工艺中光刻胶宽度过小而导致的倒胶问题；本发明可进一步增加体接触区的掺杂浓度，以降低体接触区与源体接触金属层之间、以及体接触区与体接触金属层之间的接触电阻；本发明改进了常规栅极电性接触方法，降低了工艺难度。
深沟功率 mos 器件及其制备方法

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