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[发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
发明人：陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请关于硅通孔加工方法，涉及半导体器件材料技术领域。该方法包括：获取双抛片；在双抛片的表面生成硅化合物层；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。该工艺方法能够在高透光率的较厚材料上进行TSV加工，加工后，底部形貌与顶部形貌一致。
硅通孔加工方法

[发明专利]多层堆叠模组层间互联工艺-CN202110464995.7有效
发明人：冯光建;陈桥波;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种多层堆叠模组层间互联工艺，包括以下步骤：步骤S1，提供硅片，在硅片的第一表面制作TSV金属柱，并通过钝化层覆盖所述硅片的第一表面和TSV金属柱顶端；步骤S2，在硅片第一表面刻蚀硅凹槽，使TSV金属柱侧壁露出，清洗去除TSV金属柱侧壁的钝化层；步骤S3，采用步骤S1～S2同样方式加工另一块硅片；步骤S4，在两块硅片的第一表面涂布胶或者金属焊料，加热使两层硅片焊接在一起；步骤S5，在两层硅片硅凹槽的TSV金属柱侧面涂布焊锡或者植焊锡球，回流焊使得焊锡融化使两层硅片的TSV金属柱互联；步骤S6，对通过以上工艺堆叠后形成的模组侧面进行抛光和打磨，使得模组侧面焊锡光滑。本发明能够简化工艺难度。
多层堆叠模组层间互联工艺

[发明专利]芯片的高效散热结构及其制备工艺-CN202110403989.0在审
发明人：冯光建;陈桥波;黄雷;高群 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的高效散热结构，包括芯片和转接板；所述芯片的衬底背面开设有空腔，以形成芯片内的微流道；芯片衬底背面的空腔中设有若干相间隔的金属柱；转接板上开设有至少两个通孔；转接板与芯片衬底背面结合；转接板上的至少两个通孔分别作为芯片微流道的液冷进口和液冷出口；金属柱的一端连接于芯片衬底背面空腔底部，另一端接触并支撑转接板。本发明还提出了一种芯片的高效散热结构制备工艺。本发明能够使得芯片底部设置的微流道更接近芯片的发热点，从而获得更好的散热效果。
芯片高效散热结构及其制备工艺

[发明专利]具有金刚石微流道的GaN半导体结构、器件及制备方法-CN202010324599.X有效
发明人：马飞;冯光建;陈桥波 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种具有金刚石微流道的GaN半导体结构、器件及制备方法，在键合工艺前，通过较厚的AlxGa1‑xN叠层作为缓冲层使用；在键合工艺后，仅保留临近GaN沟道层的最小x值的AlxGa1‑xN层，以作为AlxGa1‑xN势垒层；通过金刚石微流道薄膜键合，并通过新的第二Si衬底取代第一Si衬底，且优选第二Si衬底采用Si（100）衬底。本发明在解决应力问题的同时，制备工艺简单，适用性较强，且制备的结构及器件具有良好的散热性及可靠性，且可降低单位成本，提高产量。
具有金刚石微流道 gan 半导体结构器件制备方法

[发明专利]基于场板复合结构的GaN器件及其制备方法-CN202010539786.X有效
发明人：冯光建;蔡永清;陈桥波;黄雷 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一基于场板复合结构的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成外延结构、钝化辅助层、垂直场板沟槽，形成源极电极、漏极电极场板复合结构，形成栅极结构。本发明可以通过一步制备漏极电极和横向/垂直场板，工艺简单，通过横向/垂直两个场板，在小型化的前提下增强了器件耐压，使器件的耐压不用受限于栅‑漏距离。通过横向场板和垂直场板两个场板的共同作用调节，在给定击穿电压要求下所需场板长度更短，缩小了器件尺寸，减小了寄生电容，提高了器件射频性能，垂直场板使空间电荷区域跨过缓冲层深入缓冲层，在固有平面器件尺寸条件下改善器件击穿电压。本发明也不用再在栅极上部额外增加横向场板制作工艺步骤。
基于复合结构 gan 器件及其制备方法

[发明专利]台阶式GaN栅极器件及制备方法-CN202010545650.X有效
发明人：冯光建;蔡永清;陈桥波;黄雷 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种台阶式GaN栅极器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供衬底，生长GaN沟道层和势垒层，定义栅、源、漏区；去除源漏区势垒层，并在源漏区生长掺杂GaN层，掺杂GaN层上表面高于势垒层；沉积隔离层，将垂直方向的隔离层定义为侧墙层；将栅区中除侧墙层外区域分为第零刻蚀区和第零台阶区，第零刻蚀区、台阶区和栅区具有相同延伸方向；去除第零刻蚀区的隔离层；在栅区沉积栅极金属层。本发明通过隔离侧墙工艺形成栅极台阶型场板，在减小栅极尺寸的同时，也利用台阶型的场板提高了器件的耐压性能。本发明中的栅极尺寸可控，对光刻设备精度要求不高；台阶型场板结构与栅极结构一同形成，工艺条件简单易行，可重复性高。
台阶 gan 栅极器件制备方法

[发明专利]基于原位钝化及氧化工艺的GaN器件及其制备方法-CN202010556931.5有效
发明人：马飞;冯光建;陈桥波 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种基于原位钝化及氧化工艺的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延结构，外延结构包括GaN沟道层，外延结构具有位于最上层的顶部功能层，在沉积腔室中于顶部功能层表面沉积外延补充层，外延补充层的材料与顶部功能层的材料相同，在外延补充层上原位沉积栅氧介质层。本发明通过外延补充层的沉积，利用栅氧介质层原位沉积，实现了外延补充层/栅氧介质层原位优质界面，改善了栅氧介质层的膜层质量，减少了界面缺陷，优化了器件性能。可以实现更少的正固定电荷，更低的泄漏电流以及更高的击穿电压。
基于原位钝化氧化工艺 gan 器件及其制备方法

[发明专利]深硅沟槽刻蚀方法及硅器件-CN201910353084.X在审
发明人： 陈桥波 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅器件及深硅沟槽刻蚀方法，该深硅沟槽刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供硅衬底和光阻，将所述光阻涂布到硅衬底上；S2、进行曝光显影，采用反应离子刻蚀工艺，利用干法刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，其中，刻蚀气体包括SF₆、O₂和HBr；S3、反应离子刻蚀结束后，进行干法去胶并清洗，得到硅器件，所述硅器件上具有深硅沟槽。该刻蚀方法采用SF₆+O₂+HBr的气体组合刻蚀深硅沟槽，其刻蚀率高，工艺流程简便。所制备得到的硅器件具有光滑、平整且垂直的深硅沟槽，有效解决了目前rie干法刻蚀深硅沟槽的沟槽侧壁角度倾斜度较大、底部较粗糙，不满足工艺需求等问题。
硅沟槽刻蚀硅器件硅衬底干法刻蚀反应离子刻蚀工艺反应离子刻蚀倾斜度干法去胶工艺需求沟槽侧壁光阻涂布刻蚀气体曝光显影有效解决工艺流程垂直的刻蚀率光滑光阻制备粗糙清洗平整

[发明专利]硅片背腔刻蚀方法及硅片器件-CN201711376878.5在审
发明人： 陈桥波 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片背腔刻蚀方法及硅片器件，该方法包括：S1、提供待处理硅片，待处理硅片具有背腔结构；S2、对待处理硅片进行烘烤，随后用等离子体气体处理背腔面；S3、将处理后的硅片加入至去离子水中浸泡，随后去除释放硅片的氧化层和牺牲层，最后将释放后的硅片进行清洗和去胶，得到背腔刻蚀均匀的硅片器件。该刻蚀方法在刻蚀前先通过等离子体气体处理背腔面，来改善其亲水性，再通过去离子水浸泡硅片一段时间，保证硅片表面和背腔面得到充分的润湿，从而保证背腔结构在刻蚀过程中与刻蚀药品充分接触，实现均匀刻蚀。并且，所刻蚀得到的硅片器件，其背腔深孔内没有气泡聚集，刻蚀均匀性良好，能满足工艺需求，具有较大的应用前景和使用价值。
硅片背腔刻蚀硅片器件等离子体气体润湿刻蚀均匀性充分接触工艺需求硅片表面刻蚀过程气泡聚集去离子水水中浸泡释放亲水性牺牲层氧化层烘烤去除去胶深孔浸泡离子清洗保证应用

[发明专利]刻蚀气体及其应用-CN201510091538.2在审
发明人： 陈桥波 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造加工领域，尤其涉及一种刻蚀气体及其应用，本发明提出的一种刻蚀气体，含有CF4和O2两种气体，以及Cl2、SF6、HBr、CHF3中的一种或多种气体，将上述刻蚀气体用于多晶硅-氮化硅-多晶硅复合膜的刻蚀后，复合膜的侧壁倾角达到90°，而且提高了多晶硅对光刻胶的选择比。
刻蚀气体及其应用

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