“陈宝忠”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果132个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]汽车生产线大功率充电器-CN202321021491.9有效
发明人：衡长森;陈宝忠;滕夏晨;苏成峰;柯贤智;孙晨晨;潘卫星 -专利权人：帝发技术（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车生产线大功率充电器，包括：输入连接器、防雷击保护电路、输入整流电路、输入滤波电路、浪涌电流限制电路、BUCK降压电路、保持电路、移相全桥电路、交流电压检测电路、直流电压检测电路、第一变压器、第一同步整流电路、第一输出滤波电路、第二变压器、第二同步整流电路、第二输出滤波电路、原边电流采样电路、第一光耦隔离电路、第二光耦隔离电路、第一微处理器、输出电压检测电路、输出电流检测电路、反接保护电路、输出连接器；本申请能够提供大电流输出，且提高了开关转换效率，在大电流充电时节能效果明显。
汽车生产线大功率充电器

[发明专利]一种楼梯间滴水线槽及其施工方法-CN202310832484.5在审
发明人：包兴钗;陈宝忠;郑培岁;黄文明;陈武豪;王学府 -专利权人：泰昌建设有限公司
申请日： 2023-07-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： E04F11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种楼梯间滴水线槽及其施工方法，包括楼梯本体以及安装在楼梯本体的边缘处的滴水线槽本体；滴水线槽本体包括线槽架，线槽架通过安装钉与楼梯本体固定连接；线槽架远离楼梯本体边缘一侧设有滴水凹槽，线槽架靠近楼梯本体边缘一侧设有与楼梯本体平行设置的承载板；承载板外侧填充有砂浆填充块，通过带有承载板的线槽架，使用安装钉对线槽架进行快速固定，然后通过向承载板外侧进行砂浆填充，实现滴水线槽的快速制作，无需搭建支护模板以及模板支架，便于快速施工和连续施工。
一种楼梯间滴水及其施工方法

[发明专利]一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法-CN202310380741.6在审
发明人：陈晓宇;薛东风;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠抗辐照SONOS存储器及制备方法，涉及硅微电子领域。将输入/输出MOS和选择管的栅介质层由SiO2单栅介质层调整为HTO/SiO2复合栅介质层，HTO/SiO2复合栅介质层可动电荷和固定电荷比SiO2单栅介质层少，输入/输出MOS和选择管显示出了更好的抗总剂量辐射特性。HTO/SiO2复合栅介质层中HTO层和SiO2层缺陷线错位排列，避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路，可减少输入/输出MOS和选择管的早期失效，提高栅氧的可靠性。在多晶层淀积前对栅介质层增加的高温氮化退火，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，可以进一步提高栅氧的可靠性，并能减少阈值漂移量。
一种可靠辐照 sonos 存储器制备方法

[发明专利]一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法-CN202310287791.X在审
发明人：宋坤;王英民;曹磊;刘存生;陈宝忠;王小荷 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构中由于寄生栅下方介质厚度的增加，寄生栅电容显著降低，提高逻辑单元的工作速度，对抗辐射深亚微米集成电路性能的提升具有重要意义。
一种高速辐射加固微米 soi 器件结构方法

[发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法-CN202110663157.2有效
发明人：宋坤;王英民;孙有民;王小荷;曹磊;陈宝忠;刘存生 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
一种辐射加固 ldmos 晶体管制备方法

[发明专利]一种用于防爆环境的微晶码扫码装置及方法-CN202210946211.9有效
发明人： 陈宝忠;许复山;任建平;钟伟 -专利权人：北京微晶物联科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06K7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于防爆环境的微晶码扫码装置及方法。所述装置包括：遮光箱体，遮光箱体内设置有控制处理单元、照相机、小功率红外光源、透镜、短波通反射镜；光源置于透镜焦点上，短波通反射镜置于透镜光轴上，照相机相对于微晶码识别区域设置。所述方法包括：微晶码图像采集，利用预设的图像处理算法，对微晶码图像进行处理，识别出微晶码信息。可见，为了减少了防爆环境下热量的产生，本发明采用小功率红外光源作为激发光源，合理布局各组成部分，减少了防爆环境下热量的产生，以长曝光连续采集多幅图片的方式，通过累加获取微弱的微晶码图像信息，完成防爆环境下微晶码识读解码。
一种用于防爆环境微晶码扫码装置方法

[发明专利]一种芯片抗辐照性能的监控方法-CN202010555244.1有效
发明人：刘如征;陈宝忠;葛洪磊;蒋玉贵 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片抗辐照性能的监控方法，属于半导体集成电路领域，首先将待测的MOS结构平均解离为两个区，一个区为进行辐照实验的辐照区，另一个区为不进行辐照实验的非辐照区，分别测试辐照区和非辐照区的C‑V特性，计算得到辐照区和非辐照区的平带电压值，对辐照区和非辐照区的平带电压值求差得到平带电压变化量，该平带电压变化量即为该膜质MOS结构的抗辐照能力。本发明方法使用装置简单，成本较低，且易于操作，测试精度和准确性较高，可覆盖半导体集成电路生产线中多种含栅介质产品的抗辐照性能监控。
一种芯片辐照性能监控方法

[发明专利]一种PIP电容的制备方法-CN202211348610.1在审
发明人：陈晓宇;薛东风;赵杰;刘存生;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSix薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO2。通过注入减少下极板WSix薄膜应力，可以提高PIP电容的可靠性；注入能量的选择原则是使得注入高斯分布的深度(Rp+3ΔRp)达到整个WSix薄膜厚度的80％；经过注入后WSix薄膜的应力减少了一个数量级，选择磷元素消除WSix薄膜应力，因为N型多晶注入掺杂经常选用磷元素。同时，磷注入也能起到增加多晶掺杂浓度，减少了多晶的耗尽。
一种 pip 电容制备方法

[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[实用新型]一种水下网络摄像机-CN202221846202.4有效
发明人：赖武光;杨千;陈宝忠 -专利权人：深圳市铁检科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种水下网络摄像机，包括壳体、摄像模块、底座及连接网线，壳体开口处设有外壳盖、玻璃盖及密封胶圈，壳体内设有容置腔室，摄像模块安装于壳体的容置腔室内，玻璃盖嵌套于密封胶圈内且放置于外壳盖与壳体开口中间，外壳盖与壳体可活动连接，壳体可活动安装在底座上，壳体开设有出线孔，出线孔内安装有第三螺纹部件及密封胶管，连接网线一端接水晶头，另一端穿过密封胶管及第三螺纹部件与摄像模块相连，第三螺纹部件挤压所述密封胶管形成密封。本实用新型采用POE供电方式及一个出线孔与带密封胶圈玻璃盖，防护级别高，安装方便，另外配有可调节底座，方便现场安装并可灵活调整监视角度。
一种水下网络摄像机

[发明专利]基于吹膜生产设备及其吹膜工艺流程-CN202110549507.2在审
发明人：陈曾华;陈宝忠 -专利权人：福建宝利薄膜有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B29C55/28 文献下载
摘要：本发明公开了基于吹膜生产设备及其吹膜工艺流程，包括吹膜机，所述吹膜机的右侧设置有收卷装置，所述收卷装置的内侧固定连接有支撑架，所述支撑架的顶部活动连接有收卷辊，所述收卷装置的右侧固定连接有传动箱，所述传动箱内壁的后侧固定连接有电机，所述电机的输出端固定连接有第一齿轮，所述第一齿轮的底部啮合有第二齿轮。本发明解决了现有市面上大多数的吹膜机在更换收卷辊时，都是通过使用者手动解除收卷辊，使收卷辊进行定位，然后在将收卷辊取下更换，在此过程中易出现使用者受伤的现象发生，给使用者带来了安全隐患，且费时费力，影响了吹膜机正常工作的问题，达到了自动定位收卷辊方便将其进行更换的效果。
基于生产设备及其工艺流程

[发明专利]一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法-CN202210893868.3在审
发明人：卓青青;赵杰;陈宝忠;刘存生;王成熙;王清波;温富刚 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法，通过增加一次特殊的光刻、刻蚀工艺，选择性的去除除前面工序留下的包含缺陷和电荷的氧化层，从而消除了表面氧化层中的带电电荷引起的稳压二极管击穿电压随时间、温度变化的因素；低温重新生长一层氧化层，消除前道工序对器件表面氧化层的影响，实现对稳压二极管p‑n结表面介质层结构的优化，提高稳压二极管击穿电压的稳定性；本申请的稳压二极管在持续加反偏电流的老炼过程中，器件的击穿电压几乎不变；本申请与现有技术中的双极工艺兼容，对原有双极器件的性能无明显影响，但能够显著提升稳压二极管击穿电压的稳定性。
一种通过优化表面介质结构制备性能稳压二极管方法

[实用新型]一种手推式地铁隧道图像采集装置-CN202122860302.4有效
发明人：赖武光;陈宝忠;杨千 -专利权人：深圳市铁检科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G07C1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手推式地铁隧道图像采集装置，用于360°连续采集地铁隧道沿线表面状态，其特征在于，包括走行组件、控制组件、监测组件和采集组件，控制组件、监测组件和采集组件安装在走行组件上并通过走行组件进行隧道巡检，监测组件包括测速件和PLC组件，采集组件包括安装件和多个采集件，多个采集件分别阵列式安装在安装件上形成弧线型阵列，多个采集件分别连接控制组件和PLC组件，测速件采集运行信息并转换成脉冲信号发送给PLC组件，PLC组件将脉冲信号传输给控制组件以触发多个采集件进行360°图像采集，PLC组件将脉冲信号传输给多个采集件以触发多个采集件的采集频率。
一种手推式地铁隧道图像采集装置

[实用新型]汽车加热系统铅酸电池充电器中的输出开关电路-CN202220672793.1有效
发明人：章磊;陈宝忠;梅家才;吴丹;潘卫星 -专利权人：帝发技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车加热系统铅酸电池充电器中的输出开关电路，包括：NMOS管Q1和Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q4、光耦U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6；NMOS管Q1的漏极接整流直流输出，NMOS管Q1的源极接MOS管浮动地MOS_GND和NMOS管Q2的源极，NMOS管Q2的漏极接输出连接器；NMOS管Q1的栅极和NMOS管Q2的栅极相接，并连接三极管Q3的集电极和电阻R2的一端；三极管Q3的发射极接正电压VCC和电阻R1的一端，三极管Q3的基极接电阻R1的另一端和电阻R3的一端，电阻R3的另一端接光耦U1输出侧集电极，光耦U1输出侧发射极和电阻R2的另一端接MOS管浮动地MOS_GND。本实用新型能够通过MCU控制实现充电器的持续输出或及时关断。
汽车加热系统电池充电器中的输出开关电路

[实用新型]汽车加热系统铅酸电池充电器中的继电器及控制电路-CN202220673771.7有效
发明人：章磊;陈宝忠;梅家才;吴丹;潘卫星 -专利权人：帝发技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车加热系统铅酸电池充电器中的继电器及控制电路，包括：继电器KA1的线圈一端接汽车控制信号、二极管D1的阴极、电阻R1的一端和电阻R4的一端；电阻R4的另一端接电阻R3的一端和光耦U1的输出侧集电极；光耦U1的输出侧发射极接第二地；光耦U1的输入侧阳极通过电阻R5接直流高压HV；光耦U1的输入侧阴极接第一地；继电器KA1线圈的另一端接二极管D1的阳极和三极管Q1的发射极，电阻R3的另一端接三极管Q1的基极，三极管Q1的集电极接第二地；电阻R1的另一端接电阻R2的一端，并用于向MCU发送继电器上报信号；电阻R2的另一端接第二地；本实用新型方便车载加热器的接电。
汽车加热系统电池充电器中的继电器控制电路

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 132 条