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[实用新型]一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件-CN202023053183.3有效
发明人：朱广润;张凯;周建军;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件，所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n+‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极，先制造出肖特基T型栅结构，利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜，结合高各向异性刻蚀技术，实现对源漏区域的定义，进而实现可靠的短欧姆接触间距，有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时，提升器件截止频率性能。
一种对准欧姆接触电阻 gan hemt 器件

[实用新型]一种太赫兹芯片制备用真空测试装置-CN202022915681.8有效
发明人：陆海燕;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太赫兹芯片制备用真空测试装置，属于太赫兹芯片测试技术领域，包括底座，所述底座上方放置有外壳，所述底座一侧转动连接L型转动杆，所述L型转动杆一端固定连接压板。对外壳进行固定时，先把外壳放到底座上，接着转动L型转动杆在转动槽内部来调节压板的位置，当L型转动杆带动压板压住外壳时，接着转动螺纹杆带动推板抵住外壳来对外壳进行固定，接着通过转动旋转轴带动L型卡杆卡进卡槽内部来固定好螺纹杆，测试装置在工作时，会产生热量，电机带动转动轴转动，转动轴带动转动杆转动，转动杆带动扇叶转动，扇叶转动吹风通过进风窗进入到外壳内部对测试装置进行散热，热量会通过散风窗流到外界。
一种赫兹芯片制备真空测试装置

[发明专利]基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法-CN201810667559.8有效
发明人：郭怀新;李忠辉;尹志军;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料热导率精确表征问题，提升了测试精度和降低了测试成本，满足半导体器件对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求，对提升器件热管理的技术开发有极大的指导意义。
基于光谱测试技术半导体薄膜热导率分析方法

[发明专利]一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法-CN202110043042.3在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;陈正廉;俞勇;沈杰;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，步骤依次为：测试化合物半导体器件的初始转移特性；逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。
一种化合物半导体器件结构缺陷直流筛选方法

[发明专利]一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法-CN201911209192.6有效
发明人：王飞;戴家赟;孔月婵;吴立枢;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。
一种三维集成芯片空气结构保护方法

[发明专利]一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法-CN202011497971.3在审
发明人：朱广润;张凯;周建军;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题，并且具备较高的工艺稳定性，可以实现实验室外的生产制造；所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n+‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极。所述器件基本制造流程为先制造出肖特基T型栅结构，利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜，结合高各向异性刻蚀技术，实现对源漏区域的定义，进而实现可靠的短欧姆接触间距，有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时，提升器件截止频率性能。
一种对准欧姆接触电阻 gan hemt 器件及其制造方法

[发明专利]一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法-CN202110123662.8在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述外延层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极。本发明在形成源极、漏极、栅极后，通过在栅极、漏极之间引入离子掺杂区域，改变沟道中部分区域的二维电子气浓度，在栅极一侧改变电场分布，该峰值电场显著低于无离子掺杂区域的器件，栅、漏极间的电场均匀性得到加强，电场分布得到有效改善，避免栅边缘电场峰值引起器件的提前击穿，器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。
一种提高耗尽氮化 hemt 功率器件击穿电压结构及其制备方法

[发明专利]一种提高氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法-CN202110123878.4在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底、外延层、源极、漏极以及栅极；所述外延层位于所述衬底上方，包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域。本发明通过在栅极、漏极之间引入离子掺杂区域，改变沟道中部分区域的二维电子气浓度，在栅极一侧改变电场分布，该峰值电场显著低于无离子掺杂区域的器件，栅漏间的电场均匀性得到加强，电场分布得到有效改善，避免栅边缘电场峰值引起器件的提前击穿，器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。
一种提高氮化 hemt 功率器件击穿电压结构及其制备方法

[发明专利]一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法-CN202110123883.5在审
发明人：邵国键;林罡;任彬;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有栅极；其中，所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域，且所述离子掺杂区域位于栅极与漏极之间，靠近栅极一侧，所述离子掺杂区域中的掺杂离子为正离子。本发明通过在制作栅极、漏极以及源极之前在外延层内引入正离子掺杂区域，使得器件可以承受更高的漏极电压。最终器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。
一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压结构及其制备方法

[发明专利]一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201711462615.6有效
发明人：张凯;朱广润;孔岑;周建军;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍片的两侧区域相邻的缓冲层的上方；所述GaN基三维鳍片的上方和两侧二次外延生长有p‑GaN/AlGaN/GaN异质结；所述栅极包裹在p‑GaN/AlGaN/GaN异质结的上方和两侧，形成三维栅结构；通过刻蚀方式去除栅极两侧区域的p‑GaN层而形成AlGaN/GaN异质结，所述源极和漏极分别设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明能够提高p‑GaN增强型器件的阈值电压与击穿电压。
一种基于 gan 结构三维增强电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法-CN202110123890.5在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底、外延层、源极、漏极以及栅极，所述外延层，位于所述衬底上方，包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述沟道层内具有二维电子气，所述势垒层内具有离子掺杂区域；所述源极与漏极位于所述外延层上方，表面覆盖有侧墙。所述离子掺杂区域靠近漏极的侧墙边缘。本发明通过离子掺杂工艺，提升漏极一侧势垒层区域的正电荷分布，同时改变沟道中部分区域的二维电子气浓度，提高漏极一侧电场分布，该峰值电场低于栅极附近的峰值电场强度。使得器件的击穿电压得到提升，且器件的频率特性不会降低。
一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压结构及其制备方法

[发明专利]一种薄膜铌酸锂电光开关-CN202110046813.4在审
发明人：唐杰;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种薄膜铌酸锂电光开关，包括由下至上堆叠的衬底、下包层、薄膜铌酸锂平板光波导、电光开关组件以及上包层，电光开关组件包括沿光路依次设置在薄膜铌酸锂平板光波导上的输入耦合器、电光作用区以及输出耦合器，输入耦合器具有至少一条第一输入光波导、第一多模干涉区以及两条第一输出光波导；输出耦合器具有两条第二输入光波导、第二多模干涉区以及至少一条第二输出光波导；电光作用区具有地电极与信号电极；地电极与信号电极均由自上而下设置的上层金属电极与下层金属电极构成，上层金属电极的厚度均大于下层金属电极。本发明可有效降低光开关的驱动电压，同时确保电光波速能够匹配。
一种薄膜铌酸锂电光开关

[发明专利]一种深孔图形光刻胶填充方法-CN202110068018.5在审
发明人：李彭瑞;潘斌;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种深孔图形的光刻胶填充方法，通过表面处理使圆片表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层，利用溶剂与该氧化层的接触角小于90°，使得溶剂对深孔的侧壁和底部具有良好的浸润性，从而实现对深孔的无孔化填充，其包括以下步骤：采用表面处理的方式使晶圆表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层；采用溶剂对深孔图形进行浸润并第一次填充；采用光刻胶对深孔图形进行第二次填充；对晶圆进行烘烤固化进而完成深孔图形填充。优点：溶剂不仅可以对深孔内外表面进行良好的浸润，同时还可以进行填充，有利深孔内空气的逃逸；另外溶剂与光刻胶有较好的互溶性，有利于光刻胶在旋涂时对深孔的填充，从而得到填充完整的深孔。
一种图形光刻填充方法

[发明专利]一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法-CN202110061500.6在审
发明人：邵国键;林罡;陈韬;刘柱;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法，在光刻版图上的低分布密度的原始设计图形的外侧增加封闭的虚拟线框，所述虚拟线框的线宽尺寸小于光刻机的曝光极限线宽，从而在圆片表面不形成真实的虚拟线框图形。本发明通过引入虚拟线框，可有效改善源、漏、栅、微带线等图形的线宽尺寸、微观形貌和圆片内均一性，提高小尺寸线宽的成品率、稳定性，从而改善器件直流和微波性能。
一种改善化合物半导体器件光刻性能版图设计方法

[发明专利]一种太赫兹频段在片TRL校准件及其制备方法-CN202011374373.7在审
发明人：孙岩;程伟;王元;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹频段在片TRL校准件及其制备方法，该校准件包括由下至上依次设置的衬底层、第一薄膜介质层、金属层以及第二薄膜介质层；所述第二薄膜介质层上表面设置有PAD接地金属件和PAD金属件以及金属标准件，所述PAD接地金属件通过嵌入第二薄膜介质层内的PAD接地通孔金属件与金属层连接。本发明制备适用于太赫兹频段的在片TRL校准件具有高频、低损耗等特点。该太赫兹频段在片TRL校准件基于正置薄膜微带线工艺制备在半导体衬底上，由于在片TRL校准方法可以将校准参考面直接定位到晶体管片内端口，从而有效降低片外校准时造成的寄生效应和测试误差问题，提高太赫兹晶体管小信号S参数直接测量的准确性和可靠性。
一种赫兹频段 trl 校准及其制备方法

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