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[发明专利]互连区中的集成电路纳米颗粒热路由结构-CN201780068361.1有效
发明人：本杰明·史塔生·库克;阿尔莎娜·韦努戈帕尔;路易吉·科隆博;罗伯特·里德·多林 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：在所描述实例中，一种集成电路(100)具有衬底(102)及安置在所述衬底(102)上的互连区(106)。所述互连区(106)具有互连级。所述集成电路(100)包含所述互连区(106)中的热路由结构(130)。所述热路由结构(130)在所述互连区(106)中的所述集成电路(100)的一部分但不是全部上方延伸。所述热路由结构(130)包含粘结纳米颗粒膜，其中邻近纳米颗粒彼此粘结。所述热路由结构(130)的导热率高于触碰所述热路由结构(130)的电介质材料。通过包含加成工艺的方法形成所述粘结纳米颗粒膜。
互连中的集成电路纳米颗粒路由结构

[发明专利]在触点处具有石墨烯界面层的石墨烯FET-CN202310397200.4在审
发明人：路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及在触点处具有石墨烯界面层的石墨烯FET。在所描述实例中，一种用于形成石墨烯FET的方法(100)包含提供(101)具有石墨烯表面的石墨烯层。在石墨烯表面上沉积(102)具有功函数(WF)4.3eV的第一金属层。氧化(103)第一金属层以形成第一金属氧化物层。蚀刻(104)第一金属氧化物层以提供包含石墨烯层中用于提供石墨烯表面源极和漏极触点的第一和第二区域的敞开表面接触区域。沉积(105)第二金属层，第二金属层包含在石墨烯表面源极触点上提供具有源极触点的源极的第二金属层部分和在石墨烯表面漏极触点上提供具有漏极触点的漏极的第二金属层部分。在源极触点与石墨烯表面源极触点之间的界面处和在漏极触点与石墨烯表面漏极触点之间的界面处形成(106)生长石墨烯层。
触点具有石墨界面 fet

[发明专利]互连区上方的集成电路纳米颗粒热路由结构-CN201780068363.0有效
发明人： 阿尔莎娜·韦努戈帕尔;本杰明·史塔生·库克;路易吉·科隆博;罗伯特·里德·多林 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在所描述实例中，集成电路(100)在顶部互连层(124)上具有热路由结构(132)。所述顶部互连层(124)包含连接到下互连层的互连件(118)，且不包含接合垫、探测垫、输入/输出垫或到凸块接合垫的再分布层。所述热路由结构(132)在含有所述顶部互连层(124)的所述集成电路(100)的平面的部分而非全部上方延伸。所述热路由结构(132)包含纳米颗粒层，其中相邻纳米颗粒彼此附接。所述纳米颗粒层不含有机粘合剂材料。所述热路由结构(132)的导热率高于所述顶部互连层(124)中的金属的导热率。所述纳米颗粒层是通过加成工艺形成。
互连上方集成电路纳米颗粒路由结构

[发明专利]在集成电路电阻器中实现更高电流密度的结构-CN201811324417.8在审
发明人： D·坎德;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用以在集成电路电阻器中实现较高电流密度的结构。一种集成电路(100)，其具有包含半导体材料(104)的衬底(102)，及在互连区域(112)中在第一级互连线(120)上面的电阻器(128)。所述集成电路(100)进一步包含电隔离热导管(130)，其在低于所述电阻器(128)的每一互连级中具有一或多个互连线(120)。所述热导管(130)的所述互连线(120)通过一或多个垂直互连件，包含触点(122)，及可能通孔(126))直接连接到位于在所述衬底(102)的所述半导体材料(104)上方的介电材料(106)上的栅极结构(132)。所述热导管(130)与所述电阻器(128)、所述集成电路(100)中的所有有源组件(108)以及所述衬底(102)的所述半导体材料(104)电隔离。
电阻器集成电路半导体材料互连线热导管衬底电隔离垂直互连件互连区域介电材料栅极结构第一级互连级源组件触点通孔

[发明专利]低接触电阻石墨烯装置集成-CN201810380338.2在审
发明人：路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及低接触电阻石墨烯装置集成。一种电子装置(100)具有带有一或多个石墨烯原子层的石墨烯层(106)，具有包含直接位于所述石墨烯层(106)上的掺杂碳的金属层(110)的低电阻触点。所述电子装置(100)是通过在所述电子装置(100)的衬底层(102)上形成掺杂碳的金属层(110)而形成。随后将所述掺杂碳的金属层(110)加热到一温度且随后进行冷却，在所述温度以上所述掺杂碳的金属层(110)中的碳(114)变得移动。所述掺杂碳的金属层(110)中的所述碳(114)在所述掺杂碳的金属层(110)下方并在所述衬底层(102)上方形成所述石墨烯层(106)。从接触区域以外的区域移除所述掺杂碳的金属层(110)，从而留下所述接触区域中的所述掺杂碳的金属层(110)以提供到所述石墨烯层(106)的接触层。
金属层掺杂石墨烯层电子装置石墨烯低接触电阻接触区域衬底层成本发明装置集成低电阻接触层原子层触点移除加热冷却移动

[发明专利]在触点处具有石墨烯界面层的石墨烯FET-CN201680063096.3在审
发明人：路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在所描述实例中，一种用于形成石墨烯FET的方法(100)包含提供(101)具有石墨烯表面的石墨烯层。在所述石墨烯表面上沉积(102)具有功函数(WF)<4.3eV的第一金属层。氧化(103)所述第一金属层以形成第一金属氧化物层。蚀刻(104)所述第一金属氧化物层以提供包含所述石墨烯层中用于提供石墨烯表面源极和漏极触点的第一区域和第二区域的敞开表面接触区域。沉积(105)第二金属层，所述第二金属层包含在所述石墨烯表面源极触点上提供具有源极触点的源极的第二金属层部分和在所述石墨烯表面漏极触点上提供具有漏极触点的漏极的第二金属层部分。在所述源极触点与所述石墨烯表面源极触点之间的界面处和在所述漏极触点与所述石墨烯表面漏极触点之间的界面处形成(106)生长石墨烯层。
石墨烯漏极触点第二金属层表面源极石墨烯层触点金属氧化物层第一金属层源极触点界面处沉积石墨烯界面层蚀刻敞开表面第二区域第一区域接触区域功函数漏极源极生长