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[发明专利]分数像素运动估计装置-CN202110281750.0在审
发明人：诸悦;郭浩然;盛磊;阮新亮 -专利权人：上海富瀚微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H04N19/513 文献下载
摘要：本发明提供了一种分数像素运动估计装置，包括：并行内插模块将内插参考图形分为多个内插参考图像块，同时计算多个内插参考图像块的内插操作；内插结果缓冲模块接收并保存内插操作后的内插参考图像块，再组合为多个内插参考图像组；SATD计算模块接收编码图像和内插参考图像组，计算多个内插参考图像组的SATD值，每个内插参考图像组均使用哈达玛变换计算SATD值，其中，在哈达玛变换时的蝶形运算的减法分支上添加偏置值；SATD累加模块将SATD值累加；代价计算模块接收来自SATD累加模块的至少一个SATD值和至少一个预测运动矢量，并计算每个SATD值的代价；运动矢量选择模块从若干个代价值选出一个最小代价，选出最小代价值对应的分数像素精度的运动矢量。
分数像素运动估计装置

[发明专利]一种槽栅功率MOSFET器件-CN201610015326.0有效
发明人：罗小蓉;吕孟山;尹超;张彦辉;马达;吴俊峰;阮新亮;葛薇薇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点：一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区，从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点；二、采用分段沟槽栅结构，可以提高沟道密度，节省器件尺寸，从而降低器件的比导通电阻；三、通过半导体体区与横向漂移区形成RESURF结构，可以改善器件的表面电场，提高横向漂移区掺杂浓度，导通状态下，横向漂移区形成低阻通道，显著降低器件的功耗。
一种功率 mosfet 器件

[发明专利]一种横向MOSFET器件的制造方法-CN201510410002.2有效
发明人：罗小蓉;刘建平;张彦辉;谭桥;尹超;周坤;魏杰;阮新亮;李鹏程;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，接着在单晶硅层表面通过外延技术得到用于器件制造的单晶硅半导体层，提供器件有源区的单晶硅层，实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。本发明的工艺有以下优点本发明可以在介质层薄膜上得到单晶硅材料，避免了多晶硅作为有源区带来的泄漏电流大、击穿电压低以及工艺重复性差等不足。
一种横向 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种载流子存储型槽栅IGBT-CN201610563026.6在审
发明人：罗小蓉;阮新亮;吴俊峰;周坤;邓高强;孙涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种载流子存储型槽栅IGBT。本发明提供一种具有分裂栅及深槽结构的载流子存储型IGBT，器件关态时，采用深槽辅助耗尽器件的载流子存储层并调节发射极一侧的电场，同时深槽与两分裂栅构成阶梯状结构，削弱发射极的电场峰值，从而显著提升器件在较高的载流子存储层浓度下的耐压能力。此外，器件开态时，深槽结构8表面还能积累一层载流子，进一步降低器件的导通压。
一种载流子存储型槽栅 igbt

[发明专利]一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管-CN201510936970.7在审
发明人：罗小蓉;阮新亮;周坤;邓高强;魏杰;吴俊峰;邓思宇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种SA-LIGBT。本发明的主要方案为，本发明中的N型阱区内部P+阳极区和N+阳极区，且P+阳极区和N+阳极区分别由多列沿器件横向方向相互平行的P+阳极子区和N+阳极子区构成，同时沿器件纵向方向均为分段式结构；同时，P+阳极区和N+阳极区下方接触有P型埋层。在器件正向导通初期处于单极模式时，P型埋层和P+阳极区形成电子阻挡层，它们可以阻碍从阴极发射过来的电子被N+阳极区收集，从而增大单极模式下P+阳极区和P型第一埋层与N型阱区或者N型高阻区构成的PN结的正向压降，使器件在较小的单极电流下就能进入双极模式，从而抑制snapback现象的出现。本发明的有益效果为，能有效抑制snapback现象，同时还能够提升器件的关态特性。
一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种SA-LIGBT-CN201510937715.4在审
发明人：罗小蓉;阮新亮;周坤;邓高强;魏杰;马达;孙涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种SA-LIGBT。本发明的主要方案为，本发明中的N型阱区内部有沿器件横向方向平行的P+阳极区和N+阳极区，且P+阳极区和N+阳极区沿器件纵向方向为分段式结构；同时，P+阳极区和N+阳极区下方接触有P型埋层，因此所形成的阳极具有两个电子阻挡层即P型埋层和P+阳极区。在器件正向导通初期处于单极模式时，两个电子阻挡层可以阻碍从阴极发射过来的电子被N+阳极区收集，从而增大单极模式下P+阳极区和P型第一埋层与N型阱区或者N型高阻区构成的PN结的正向压降，使器件在较小的单极电流下就能进入双极模式，从而抑制snapback现象的出现。本发明的有益效果为，能有效抑制snapback现象，同时还能够提升器件的关态特性。
一种 sa ligbt