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[发明专利]一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法-CN201610271015.0有效
发明人：任舰;顾晓峰;闫大为 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。
一种通过电流拟合检测 gan hemt 退化方法

[发明专利]一种利用氟离子注入实现氮化镓中诱导形成2DHG的方法-CN201810833801.4在审
发明人： 闫大为;羊群思;赵琳娜;陈雷雷;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用氟离子(F⁺)注入的方法在GaN材料中诱导高浓度的可移动空穴的方法，形成空穴量子阱和二维空穴气(2DHG)，实现GaN材料的高效p型掺杂，与传统p掺杂的原理不同，该方法主要利用F⁺的强负电性调节价带和费米能级之间的相对位置来实现的，器件结构包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层(含有氟离子注入)，其中，n型氮化镓半导体层上设置有金属电极，本发明利用离子注入电负性极强的F⁺在氮化镓内诱导出高浓度的2DHG来提供可移动空穴，与现有的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度可精确调控，其制备过程简易，成本较低。
氟离子空穴诱导氮化镓可移动衬底二维空穴气空穴量子阱费米能级金属电极精确调控器件结构制备过程电负性负电性硅工艺离子兼容简易

[发明专利]利用F⁺离子注入实现氮化镓基发光二极管P型掺杂的方法-CN201810307019.9在审
发明人： 闫大为;于国浩;赵琳娜;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及利用F+离子注入实现氮化镓基发光二极管P型掺杂的方法。P型掺杂的GaN基LED外延片包括由下至上依次设置的图形化蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN成核层、u型GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱MQW有源层、低温P型GaN层、高温P型GaN层。其中低温P型GaN层和高温P型GaN层的掺杂均采用F+离子注入方法实现，采用的受主掺杂剂为F+离子，F+离子的入射能量为10keV，入射角度为7°，注入剂量为2×1013cm‑2，本发明与现行的Si工艺兼容，注入F+离子的浓度和深度分布精确可控，且制备过程简单，成本低廉。
离子氮化镓基发光二极管半导体技术领域图形化蓝宝石受主掺杂剂工艺兼容入射能量依次设置制备过程注入剂量入射角外延片衬底可控源层掺杂

[实用新型]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结-CN201720295253.5有效
发明人：赵琳娜;闫大为;顾晓峰;陈雷雷 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。
利用离子注入实现氮化 pn

[发明专利]基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201710368026.5在审
发明人： 闫大为;羊群思 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法，包括步骤A、在同质GaN衬底上外延生长浓度为4.1x1016cm‑3的n型GaN掺杂层；B、在外延层上制备欧姆接触电极层；C、在外延片上覆盖二氧化硅钝化层，刻蚀出离子注入区域；D、通过离子注入机注入氟离子；E、在离子注入区域上方制备肖特基电极层。本发明还公开了制备得到的肖特基二极管。该制备方法过程中采用了离子注入氟一方面提高n‑GaN与肖特基金属之间的内建势垒高度，从而有效减低了器件的反向电流，实现高增益性能；另一方面通过照射波长为360‑365nm的紫外光，器件表现出类似紫外探测器的光生电流反应，光暗电流比可达107。
基于离子注入实现增益氮化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]利用氟离子注入实现的氮化镓PN结及其制造方法-CN201710182867.7在审
发明人：赵琳娜;闫大为;顾晓峰;陈雷雷 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结及其制造方法。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本发明利用氟离子注入实现氮化镓基PN结的制备方法，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。
利用离子注入实现氮化 pn 及其制造方法

[实用新型]一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件-CN201620479048.X有效
发明人：任舰;顾晓峰;闫大为 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In_0.17Al_0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本实用新型在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。
一种势垒层组分渐变 inaln gan hemt 器件

[发明专利]一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件-CN201610348582.1在审
发明人：任舰;顾晓峰;闫大为 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In_0.17Al_0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本发明在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。
一种势垒层组分渐变 inaln gan hemt 器件

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