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[发明专利]一种共阳极整流半桥芯片及其制备方法-CN201710833477.1有效
发明人：王成森;王琳;周榕榕;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种共阳极整流半桥芯片，包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极；所述P型区由对通隔离扩散和背面扩散所形成，并半包围在N型区的外部形成U型结构；并提供制备上述共阳极整流半桥芯片的制备方法，其钝化工艺可靠简单，共阳极整流半桥芯片能适应小电流整流的应用，可直接贴装在铝基板上，免除塑料封装，能有效节约资源。
一种阳极整流芯片及其制备方法

[发明专利]GaN基增强型功率晶体管的制备方法-CN202111035455.3在审
发明人：黄森;王成森;蒋其梦;王鑫华;刘新宇;张超;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基增强型功率晶体管的制备方法，包括：在衬底上依次制备(In，Ga)N缓冲层，Al(In，Ga)N薄势垒层，非掺杂(In，Ga)N盖帽层；刻蚀非栅极区域的非掺杂(In，Ga)N盖帽层，使得非栅极区域的Al(In，Ga)N薄势垒层暴露；在刻蚀完成的非掺杂(In，Ga)N盖帽层及暴露出的Al(In，Ga)N薄势垒层表面沉积钝化层；制作源极和漏极的欧姆接触；制作器件隔离；制作栅极金属。本发明对非掺杂(In，Ga)N盖帽层构成的异质结构全部或部分刻蚀，在栅极区域形成非掺杂(In，Ga)N盖帽层，结合盖帽层的反极化效应和薄势垒异质结构Al(In，Ga)N/(In，Ga)N的本征增强型特性实现高阈值GaN基增强型HEMT，有效避免了传统P型栅极GaN盖帽层制造工艺中存在的P型重掺杂和空穴注入不充分问题，显著提高了P型栅增强型HEMT的阈值稳定性。
gan 增强功率晶体管制备方法

[实用新型]防电子干扰的测试治具-CN202222504835.3有效
发明人：管昊;江林华;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种防电子干扰的测试治具，涉及测试治具技术领域。防电子干扰的测试治具包括治具平台和屏蔽罩，治具平台的顶部开设有测试槽，测试槽的内部用于安装测试工件，屏蔽罩可拆卸地设置在治具平台的顶部、且封闭测试槽，屏蔽罩包括外壳体和翻转盖板，翻转盖板通过铰链连接于外壳体的顶部。从而在测试的过程中，通过将屏蔽罩安装在治具平台的上方、位于测试工件的外端，通过屏蔽罩能够减小防电子干扰的测试治具中的测试工件受到周围电子设备的电子干扰，同时也能够起到防尘的效果。
电子干扰测试

[实用新型]一种器件测试夹具与器件测试组件-CN202222533620.4有效
发明人：江林华;钱清友;管昊 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种器件测试夹具与器件测试组件，涉及器件测试技术领域。该器件测试夹具包括第一龙骨结构、第二龙骨结构、第一强制极板、第二强制极板、第一感测极板、第二感测极板、第一接触电极以及第二接触电极，第一龙骨结构与第二龙骨结构通过一支点连接；第一强制极板与第一龙骨结构的内侧连接，第一感测极板与第一龙骨结构的外侧连接；第二强制极板与第二龙骨结构的内侧连接，第二感测极板与第二龙骨结构的外侧连接；当处于检测状态时，第一强制极板与第二强制极板夹持待测器件，且第一接触电极、第二接触电极与待测器件形成开尔文连接。本申请提供的器件测试夹具与器件测试组件具有使用方便，且能够实现开尔文连接的效果。
一种器件测试夹具组件

[发明专利]一种单向可控硅芯片及其制造方法-CN202110363301.0在审
发明人：王成森;钱清友;张思洁 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：提供本发明公开了一种单向可控硅芯片及其制造方法，芯片包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜，制造方法包括以下步骤：硅单晶片选择；硅片抛光；氧化；双面光刻阴极区对通隔离窗口；磷予沉积；双面光刻短基区对通窗口；离子注入铝；去胶；对通扩散；光刻正面阳极区窗口和背面短基区窗口；双面离子注入硼；双面推结；去除背面氧化层；背面阴极区扩散；光刻引线孔；正面蒸镀铝膜；反刻铝电极：用反刻版进行光刻；合金；背面喷砂；背面蒸镀电极；芯片测试；锯片；包装。本发明具有器件底板直接安装在散热器上并接地，且具有低热阻的优点；同时克服了封装过程中底部焊料与短基区短路的风险。
一种单向可控硅芯片及其制造方法

[实用新型]一种功率器件的高温高浪涌加固封装结构-CN202021449070.2有效
发明人：王成森;钱清友;李成军;吴家健;江林华 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装结构，包括散热器、基板、纳米银焊膏、器件芯片、第一引脚、第二引脚、引线和塑封壳，所述基板置于所述散热器上，所述纳米银焊膏置于所述基板上，所述器件芯片置于所述纳米银焊膏上，所述第一引脚通过所述引线与所述器件芯片键合连接，所述第二引脚与所述基板键合连接，所述散热器、所述基板、所述纳米银焊膏、所述器件芯片、所述第一引脚、所述第二引脚和所述引线置于所述塑封壳内，其中，金属Ag覆于所述器件芯片上。本封装结构具有优良的电性能、热性能，可以承受更高的浪涌电流，有效的提升电流传输能力，提高功率器件芯片的工作效率。
一种功率器件高温浪涌加固封装结构

[发明专利]一种快速软恢复二极管芯片的制造方法-CN201711095076.7有效
发明人：王成森;沈征;张超;王俊;钱清友 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速软恢复二极管芯片的制造方法，该制造方法采用外延生长形成掺杂高峰区或刻蚀损伤孔的技术形成二极管的铂富集中心，从而成为局域少子寿命控制区，无需使用昂贵的设备进行高能量辐照，极大地降低了成本，且工艺更加简单，参数的一致性也更好。
一种快速恢复二极管芯片制造方法

[发明专利]一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法-CN202010714452.1在审
发明人：王成森;钱清友;李成军;吴家健;江林华 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法，包括：将基板设置在散热器上；将纳米银焊膏印刷在基板上；在晶圆级芯片上光刻金属Ag；将光刻金属Ag的晶圆级芯片划片得到分立芯片；将分立芯片贴装在纳米银焊膏上；将纳米银焊膏烧结成型得到纳米银焊层；第一引脚通过引线与分立芯片键合连接，第二引脚与基板键合连接；将分立芯片、纳米银焊层、基板、散热器、第一引脚、第二引脚和引线置于塑封壳内，塑封壳塑封成型得到功率器件芯片。本封装结构具有优良的电性能和热性能，可以承受更高的浪涌电流，进而有效的提升电流传输能力，提高其工作效率。
一种功率器件高温浪涌加固封装方法

[实用新型]一种塑封SiC肖特基二极管器件-CN201820728127.9有效
发明人： 钱清友;王成森;徐洋;范敏波;江林华 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，金属散热底板顶部中心区域设有凸台，外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端，SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的的阴极区，连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区，SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方，SiC肖特基二极管芯片朝上的的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连，连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接，本实用新型极大的提高了芯片散热效果，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
连接桥片肖特基二极管芯片外引脚焊接焊锡肖特基二极管器件金属散热底板本实用新型焊接区阳极区阴极区朝上塑封顶部中心能力优势生产效率通流能力芯片散热工艺流程引出端高通凸台

[发明专利]一种塑封SiC肖特基二极管器件及其制造方法-CN201810467692.9在审
发明人： 钱清友;王成森;徐洋;范敏波;江林华 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，其制造方法为：将金属散热底板放置于模具内，在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏；将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面，并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏；将连接桥片焊接A区和B区同时分别放置在阴极区和外引脚焊接区上；将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结，待烧结完成后，进行清洗、塑封，完成封装，形成产品，本发明极大的提高了芯片散热效果，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
肖特基二极管芯片金属散热底板外引脚塑封肖特基二极管器件凸台上表面连接桥片焊接区阴极区焊膏模具能力优势生产效率通流能力芯片散热真空烧结倒置烧结工艺流程阳极面一次性朝上高通封装焊接制造装配清洗

[实用新型]一种共阳极整流半桥芯片-CN201721184832.9有效
发明人：王成森;王琳;周榕榕;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种共阳极整流半桥芯片，芯片上表面设置有第一钝化膜层，第一钝化膜层上设置有第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极。上述技术方案中提供的共阳极整流半桥芯片，能适应小电流整流的应用，可直接贴装在铝基板上，免除塑料封装，能有效节约资源。
一种阳极整流芯片

[发明专利]一种氧化锌压敏电阻器的制作方法-CN201710880831.6在审
发明人：王成森;胡元希;李成军;颜呈祥;薛治祥;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01C7/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌压敏电阻器的制作方法，采用压制陶瓷烧结工艺制成陶瓷基板；在陶瓷基板的表面覆盖一层掩膜版，对陶瓷基板进行金属化处理，在陶瓷基板两面的电极区形成金属电极；将溅射好金属电极的陶瓷基板粘附在蓝膜上，采用砂轮划片技术在陶瓷基板上的切割区进行切割，将陶瓷基板切割成一颗颗独立的压敏电阻陶瓷芯片，压敏电阻陶瓷芯片整齐排列的粘附在蓝膜上，将带有压敏电阻陶瓷芯片的蓝膜装配在自动粘片机上进行自动点胶、上芯、烧结；对装配好的压敏电阻陶瓷芯片进行塑封、固化、切筋，最终形成一颗颗压敏电阻器。采用大陶瓷基板一体成型、金属化、蓝膜黏贴、切割工艺，克服了小尺寸压敏电阻陶瓷芯片生产难度大、效率低的问题；采用自动粘片工艺，封装生产效率提高。
一种氧化锌压敏电阻制作方法

[发明专利]一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法-CN201610100410.2有效
发明人：王成森;钱清友 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N+阴极区、阴极电极K和位于芯片背面的四周的背面阻焊槽，带有短路孔的N+阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，P型阳极扩散区和阳极电极A设置在芯片的正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，P型对通隔离区的一个角的面积比其它三个角大。该单向可控硅芯片提高了产品的di/dt值和散热能力，在应用时可以多只可控硅共用一个散热片，其制作方法工艺步骤简单，加工方便，并改善了产品的关键性能。
一种阳极单向可控硅芯片及其制造方法

[实用新型]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管-CN201620264475.6有效
发明人：王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体芯片技术领域，公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO₂隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO₂隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本实用新型的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题。
一种 sic 环状浮点结构结势垒肖特基二极管

[实用新型]一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片-CN201620137606.4有效
发明人：王成森;钱清友 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N型长基区四周的P型对通隔离区、置于P型对通隔离区之上的门极电极G、正面环状钝化沟槽、P型短基区、带有短路孔的N⁺阴极区、阴极电极K和位于芯片背面的四周的背面阻焊槽，带有短路孔的N⁺阴极区和阴极电极K设置在芯片的背面并终止在背面阻焊槽的内壁，P型阳极扩散区和阳极电极A设置在芯片的正面并终止在正面环状钝化沟槽的内壁，P型对通隔离区的一个角的面积比其它三个角大。该单向可控硅芯片提高了产品的di/dt值和散热能力，在应用时可以多只可控硅共用一个散热片。
一种阳极单向可控硅芯片

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