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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]垂直存储器装置-CN201710316294.2有效
  • 金敬勋;金泓秀 - 三星电子株式会社
  • 2017-05-08 - 2023-08-29 - H10B41/27
  • 提供一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元阵列区、字线接触区和外围电路区；栅电极，在单元阵列区和字线接触区中与基底平行，所述栅电极堆叠在垂直于基底的方向上并在所述垂直于基底的方向上间隔开；沟道结构，穿过单元阵列区中的栅电极，所述沟道结构电连接到基底；虚设沟道结构，穿过字线接触区中的栅电极，所述虚设沟道结构与基底间隔开；导线，平行于基底并电连接到第一栅电极，所述导线与虚设沟道结构的在竖直方向上的延伸部的至少一部分交叉。
  • 垂直存储器装置
  • [发明专利]竖直存储器件-CN201810466878.2有效
  • 金敬勋;金泓秀;李太熙 - 三星电子株式会社
  • 2018-05-16 - 2023-08-29 - H10B43/35
  • 本公开提供了竖直存储器件。一种竖直存储器件包括在基板的第一区域上的导电图案结构，该导电图案结构包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠。焊盘结构设置在基板的第二区域上，基板的第二区域与基板的第一区域相邻，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构延伸穿过焊盘结构。各接触插塞设置在导电焊盘上。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的每单位面积的数量是变化的。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度也可以变化。
  • 竖直存储器件
  • [发明专利]垂直存储器件-CN201710561061.9有效
  • 金敬勋;金泓秀;李朱嬿 - 三星电子株式会社
  • 2017-07-11 - 2023-07-18 - H10B41/41
  • 一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201810156960.5有效
  • 赵泰根;金泓秀;朴钟国;李太熙 - 三星电子株式会社
  • 2018-02-24 - 2023-06-30 - H10B43/27
  • 一种半导体器件包括多个堆叠结构和多个分离绝缘层，所述多个堆叠结构包括顺序地堆叠在衬底上并且沿第一方向设置的栅电极，所述多个分离绝缘层的每一个设置在所述堆叠结构之间。多个竖直柱穿透每个堆叠结构并且连接到所述衬底。多个位线设置在所述竖直柱上并且沿第一方向跨所述堆叠结构延伸。多个位线接触结构将所述竖直柱连接到所述位线。多个第一单元虚拟线设置在所述多个分离绝缘层上，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体存储器装置及半导体装置-CN201710253929.9有效
  • 朴钟国;金泓秀;赵泰根 - 三星电子株式会社
  • 2017-04-18 - 2022-05-31 - H01L27/11551
  • 提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]集成电路存储器件和可变电阻存储器件-CN202111208643.1在审
  • 任宝林;金泓秀;朴钟国;崔豪势;成贤柱 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-18 - 2022-04-22 - H01L27/24
  • 提供了一种集成电路存储器件和可变电阻存储器件。该集成电路存储器件包括在衬底上的多个行选择晶体管和虚设行选择晶体管。多条字线和多条虚设字线也提供在衬底上。提供电连接到所述多条字线中的对应的字线的多个存储单元。提供电连接到所述多条虚设字线中的对应的虚设字线的多个虚设存储单元。提供将所述多条字线中的第一字线电连接到所述多个行选择晶体管中的第一行选择晶体管的第一布线结构，以及提供将所述多条虚设字线电连接在一起并将所述多条虚设字线电连接到虚设行选择晶体管的第二布线结构。
  • 集成电路存储器件可变电阻
  • [发明专利]垂直存储器件-CN202110294907.3在审
  • 任钟皓;赵厚成;金泓秀 - 三星电子株式会社
  • 2021-03-19 - 2021-10-12 - H01L23/538
  • 一种垂直存储器件包括：在基板上的外围电路的电路图案，该电路图案包括下导电图案；单元堆叠结构，在电路图案之上并在第一水平方向上间隔开，其中每个单元堆叠结构包括在垂直方向上间隔开的栅电极；第一绝缘夹层，覆盖单元堆叠结构以及在单元堆叠结构之间的部分；贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层以接触下导电图案的上表面；至少一个虚设贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层并与贯穿通路接触相邻地设置；以及在贯穿通路接触上的上布线。
  • 垂直存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201510486525.5有效
  • 金泓秀;李宪国;黄志勋 - 三星电子株式会社
  • 2015-08-10 - 2021-09-28 - H01L27/11556
  • 一种半导体器件可以包括：绝缘层，在基板上提供为一体；第一栅电极和第二栅电极，设置在绝缘层上，第一栅电极和第二栅电极在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一沟道结构，穿过第一栅电极和绝缘层从而连接到基板；第二沟道结构，穿过第二栅电极和绝缘层从而连接到基板；以及接触，穿过第一栅电极与第二栅电极之间的绝缘层。接触可以连接到形成在基板中的公共源极区域，公共源极区域可以具有第一导电类型。此外，第一栅电极和第二栅电极可以在距离基板相同的水平处在第二方向上彼此间隔开，其中第二方向交叉第一方向并平行于基板的顶表面。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710811782.0有效
  • 朴钟国;金泓秀;张源哲 - 三星电子株式会社
  • 2014-08-27 - 2021-02-09 - H01L27/105
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]三维半导体存储器器件-CN201410696386.4有效
  • 申有哲;金泓秀;沈载星 - 三星电子株式会社
  • 2014-11-26 - 2019-06-25 - H01L27/1157
  • 本发明提供了一种三维半导体存储器器件。三维半导体存储器器件包括堆叠结构、垂直半导体图案、公共源极区以及阱拾取区。堆叠结构设置在第一导电类型的半导体层上。每个堆叠结构包括垂直地堆叠在彼此上的电极并在第一方向上延伸。垂直半导体图案穿过堆叠结构。第二导电类型的公共源极区设置在半导体层中。至少一个公共源极区设置在两个相邻的堆叠结构之间。至少一个公共源极区在第一方向上延伸。第一导电类型的阱拾取区设置在半导体层中。至少一个阱拾取区邻近至少一个堆叠结构的两端。
  • 三维半导体存储器器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410428686.4有效
  • 朴钟国;金泓秀;张源哲 - 三星电子株式会社
  • 2014-08-27 - 2019-05-14 - H01L27/11521
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
  • 半导体器件及其制造方法
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