“郭贤权”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果53个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]背照式晶圆晶边划片深度量测方法-CN201811255917.0有效
发明人：陈超;许向辉;郭贤权;姬峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式晶圆晶边划片深度量测方法，包括：采用预设方式对划片晶圆晶边进行扫描，获得划片晶圆晶边的光学影像，获取划片晶圆晶边台阶结构直角边造成散射信号通道的分界线，量测各个晶圆晶边位置分界线所在的角度位置，建立划片后晶圆晶边轮廓模型，通过建立的轮廓模型获得划片深度和分界线角度位置的关系函数，将量测得到的角度位置带入关系函数中，计算得到各个晶边位置的划片深度。本发明可以在不破坏晶圆的情况下，高效地量测背照式晶圆在整个圆周上的晶边划片深度，为研发初期划片工艺调整提供可靠的数据支持，加快研发进度，提高产品良率。
背照式晶圆晶边划片深度方法

[发明专利]根据电路设计图形设置扫描阈值的方法-CN201711220974.0有效
发明人：陈超;郭贤权;许向辉;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种根据电路设计图形设置扫描阈值的方法，在光学检测机台内增加一个包含有电路设计图形数据库的处理模块，该模块通过对比扫描部分所得到的数字灰阶图像和电路设计图形数据库中所提取该数字灰阶图像所在坐标尺寸的电路设计图形，划分缺陷信号点的落点位置；并在扫描过后将扫描得到的缺陷信号点按照落在曝光位置、非曝光位置以及曝光和非曝光交界位置分在三个不同的类别内，分别设置扫描阈值参数。本发明能够减少扫描中所得到的前站缺陷的信号数量，从而降低缺陷扫描的非真实缺陷率。
根据电路设计图形设置扫描阈值方法

[发明专利]重复性缺陷的筛选方法-CN201710987031.4有效
发明人：陈超;郭贤权;许向辉;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的一种重复性缺陷的筛选方法，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。本发明中，提高筛选所得到的光罩引入缺陷信息的准确率，从而降低漏检风险，提升良率。
重复性缺陷筛选方法

[发明专利]晶圆缺陷的检测方法-CN201710353548.8有效
发明人： 郭贤权;许向辉;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆缺陷的检测方法，包括：获取晶圆表面的图像，并将所述晶圆表面的图像划分为多个检测区域；在每个所述检测区域内选取多个第一测定区域，并将每个所述检测区域内的第一测定区域进行差异化比对，根据差异化比对的结果获得每个所述检测区域用于表征缺陷的阈值；将每个所述检测区域划分为多个第二测定区域，并将每个所述检测区域内的第二测定区域进行差异化比对后，将差异化比对的结果与对应的检测区域的阈值进行比较，若比较的结果满足预设条件，即获得对应的检测区域上所存在的缺陷。本发明通过给不同检测区域设定不同的阈值，得到与不同检测区域相对应的缺陷数目，使得更多的多晶硅残留缺陷被捕获到，提升了检测的准确度。
缺陷检测方法

[发明专利]一种缺陷检测方法-CN201410697386.6有效
发明人： 郭贤权;姬峰;许向辉;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及缺陷检测技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法，本发明通过利用缺陷检测设备获取扫描机台扫描待测芯片的扫描方式信息，并采用与该扫描方式信息一一对应的方式对待测芯片进行缺陷检测，实现了缺陷检测设备侦测方法可变且多重，从而解决了由于扫描机台扫描方式不同造成缺陷检测设备再侦测失败的情况，大大提高了缺陷定位的准确性，提高了缺陷检测的效率。
一种缺陷检测方法

[发明专利]一种曝光条件检测方法及系统-CN201610370132.2有效
发明人： 郭贤权;姬峰;陈昊瑜;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种曝光条件检测方法，通过CDSEM设备扫描获取晶圆上光刻胶的图案阵列的图案，并获取所扫描图案的坐标；再将坐标格式转换为缺陷扫描仪能够识别的格式；以所扫描图案的坐标为中心扩展成为电子区，通过设定电子区的缺陷阈值高于背景区的缺陷阈值，来使得后续缺陷扫描仪检测出的电子区的扫描缺陷值低于电子去的缺陷阈值，避免经CDSEM设备扫描的电子区对缺陷扫描仪的缺陷扫描的重复误报，提高了缺陷扫描效率。
一种曝光条件检测方法系统

[发明专利]一种晶圆缺陷检测方法-CN201711192826.2在审
发明人： 郭贤权;许向辉;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法，其属于半导体领域的技术，包括步骤S1，扫描所述晶圆的表面，得到所述晶圆的表面图像；步骤S2，将所述表面图像均匀划分为若干比较单元；步骤S3，将每一所述比较单元中的每一像素点与相邻所述比较单元中的对应像素点相减，若差值为负且小于预设的负数阈值则该像素点对应的所述晶圆表面处判断为缺陷，若差值为正且大于预设的正数阈值则该像素点对应的所述晶圆表面处判断为缺陷。该技术方案的有益效果是本发明能够过滤掉对后续制程和良品率无影响的非关键缺陷，极大限度的保留了关键缺陷，使集成电路工程师能够准确的描述缺陷情况，正确地判断相关制程健康状态，为最终晶圆良品率的预测提供可靠依据。
一种缺陷检测方法

[发明专利]一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法-CN201510591333.0有效
发明人： 郭贤权;姬峰;陈昊瑜;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种扫描程式运用阈值修正进行晶圆检测的方法，通过在扫描程式中将每个扫描行实际缺陷数目与其对应的扫描行缺陷数目最大值进行对比，当出现连续发生若干扫描行实际缺陷数目都分别大于其对应的扫描行缺陷数目最大值时，即通过调高阈值的设定值，来过滤一些噪声缺陷，以便排除因某扫描行存在真实缺陷而导致其实际缺陷数目较高的情况，然后再继续进行扫描，从而既不会在有真实缺陷的情况下误调阈值，又能在阈值过紧的情况下通过不断修改阈值扫完整片晶圆，大大减少了一次又一次进行扫描程式改动所花费的时间和人力。
一种扫描程式运用阈值修正进行检测方法

[发明专利]一种光罩图形缺陷检测系统及方法-CN201410440440.9有效
发明人：陈超;郭贤权;许向辉;何理 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体缺陷检测领域，具体涉及一种光罩图形缺陷检测系统及方法，本发明给新产品的研发过程增加一种检测由光罩图形设计弱点和工艺窗口不足所导致的系统缺陷的手段，可有效降低目前由于扫描机台可能未能发现某些系统缺陷所造成的风险，从而提升新产品的良率，降低研发成本。
一种图形缺陷检测系统方法

[发明专利]预防晶圆破裂的监控方法-CN201310084533.8有效
发明人：朱陆君;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;郭贤权 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种预防晶圆破裂的监控方法，包括：获得标准缺陷信号特征；得待检测晶圆的边缘缺陷信号特征；将所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征进行比较，若所述待检测晶圆的边缘信号特征与所述标准缺陷信号特征匹配，则所述判断所述待检测晶圆为具有缺口缺陷的晶圆，存在破裂风险。本发明解决的问题是提供一种能够预防晶圆破裂的监控方法，对晶圆进行监控，提前发现并且处理存在破裂风险的晶圆，减少晶圆破裂引起颗粒缺陷以及产品良率降低等问题。
预防破裂监控方法

[发明专利]机台之机械手臂偏移的检测装置及其检测方法-CN201410258529.3有效
发明人：何理;许向辉;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种机台之机械手臂偏移的检测装置，具体为晶舟，具有间隔设置的控片容置区域，控片容置区域之第一控片容置区域和第二控片容置区域以中间控片容置区域为中心呈对称分布，且第一控片容置区域和第二控片容置区域沿晶舟之两端的纵向宽度较中间控片容置区域的纵向宽度呈阶梯型逐次增大。本发明通过以中间控片容置区域为中心，并对称设置宽度呈阶梯型增大的第一控片容置区域和第二控片容置区域，且依据机械性刮伤缺陷定义第一偏移区域、第二偏移区域和第三偏移区域，在进行偏移检测时通过在控片上铺设光阻或淀积氮氧化物薄膜的方式，可在缺陷发生的早期时间内及时检测，并进行设备维修、保养，减少产品报废量，改善产品良率。
机台机械手臂偏移检测装置及其方法

[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法-CN201410163872.X在审
发明人：许向辉;何理;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，涉及半导体领域。该方法为：对负光阻制程芯片进行划分；根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。本发明通过对负光阻制程芯片进行划分，并根据划分区域采用对应的入射偏振光对划分区域进行扫描，从而获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构，实现了对高集成度的复杂芯片负光阻制程桥接缺陷检测精确度的控制和优化，可以检测到相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷，达到了快速高效对负光阻制程芯片可能存在的桥接缺陷进行精确扫描的目的。
一种用于负光阻桥接缺陷扫描方法

[发明专利]一个光罩内的单元芯片存在不同图像条件的缺陷扫描方法-CN201410173942.X有效
发明人：何理;许向辉;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种一个光罩内的单元芯片存在不同图像条件的缺陷扫描方法，通过采用定义单元芯片的扫描区域内重复的最小重复单元，让相邻的最小重复单元之间进行对比来确认是否存在缺陷的array mode缺陷扫描方法，对半导体图像处理实验芯片上一个光罩内的不同单元芯片的对应功能区域存在具有不同图形和CD参数的图像条件的情况，进行精确的缺陷扫描。本发明适用于单元芯片内存在多个不同图形的重复CELL区域的情况，以及单元芯片内相同位置的CELL区域大小相同，但同一区域的重复的CELL区的CD大小或者图形不同的情况，可避免die to die缺陷扫描方法造成的缺陷误判干扰，因而提高了实验芯片的良率。
一个光罩内单元芯片存在不同图像条件缺陷扫描方法

[发明专利]晶圆缺陷的检测装置及其检测方法-CN201410138987.3在审
发明人：何理;许向辉;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷的检测装置及其检测方法，其中，所述晶圆缺陷的检测装置包括：真空密闭容器、平行光源、光敏元件和信号处理器；其中，所述光敏元件面对所述平行光源，用于感测所述平行光源发出的光信号，所述平行光源和所述光敏元件均设置于所述真空密闭容器的内部，所述信号处理器的输入端与所述光敏元件连接。在本发明提供的晶圆缺陷的检测装置及其检测方法中，采用平行光源照射待测晶圆使得光线在经过所述待测晶圆的缺口时产生衍射光，并通过所述光敏元件感测衍射光，从而实现所述缺口的检测。
缺陷检测装置及其方法

[发明专利]芯片缺陷的检测方法-CN201410138986.9在审
发明人：何理;许向辉;郭贤权;陈超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片缺陷的检测方法，包括：将芯片版图划分成多个版图单元图形；提供一制备有多个芯片的待测晶圆；对所述待测晶圆进行扫描并根据所述多个版图单元图形分别提取所述多个芯片的物理单元图形；将所述物理单元图形与相应的版图单元图形进行比对，以得到检测结果。在本发明提供的芯片缺陷的检测方法中，通过将芯片版图划分成多个版图单元图形并以所述版图单元图形作为芯片缺陷检测的基准，避免因相邻的芯片之间因具有相同的缺陷而无法检出，从而提高了芯片缺陷检测的成功率。
芯片缺陷检测方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 53 条