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[发明专利]一种基于后量子数字签名的MDC-NTT架构-CN202311132711.X在审
发明人：崔益军;徐天宇;郭术明;李梦雪;刘伟强;王成华 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于后量子数字签名的MDC‑NTT架构，包括：随机数生成模块、采样模块、第一多项式乘法模块、第二多项式乘法模块、计算模块和数据存储模块，随机数生成模块的输出端与采样模块的输入端连接，采样模块的输出端通过数据选择单元与数据存储模块的输入端连接，采样模块的输出端还与stream Out连接；数据存储模块的输出端通过数据选择单元与第一多项式乘法模块的输入端连接连接，第一多项式乘法模块的输出端与计算模块连接，计算模块分别与stream Out、数据存储单元的输入端连接，数据存储单元通过数据选择单元与第二多项式乘法模块连接。本发明对于不同参数、不同乘法位数、不同NTT计算轮数只需增加或减少其中的乘法级数即可。
一种基于量子数字签名 mdc ntt 架构

[发明专利]一种半导体存储器-CN202011374365.2有效
发明人：顾明;王浩;郭术明;李有慧;陈斌;胡永强 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器，包括第一/第二存储器阵列，还包括：比较读出电路，包括用于接收被读取的存储单元的电信号的第一端口，和用于接收基准电信号的第二端口，比较读出电路用于将被读取的存储单元的电信号与基准电信号进行比较，从而得到存储单元的存储信息；第一/第二列译码器，与第一/第二存储器阵列和比较读出电路连接，用于在存储器阵列选择信号使能第一/第二存储器阵列时选中被读取的存储单元对应的位线，将存储单元的电信号通过位线输出至第一端口；还用于在存储器阵列选择信号未使能第一/第二存储器阵列时，将第一/第二存储器阵列的第一位线接入第二端口。本发明能够降低半导体存储器读操作的功耗。
一种半导体存储器

[发明专利]半导体存储器-CN202011378889.9有效
发明人：陈斌;李有慧;顾明;赵鑫淼;王浩;郭术明;王宗传;张楠 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器，包括负压提供单元，用于在读操作时给字线提供第一负电压，负压提供单元包括：钳位单元，包括输入端、控制端及输出端，输入端连接半导体存储器的公共接地端，控制端用于接收第一信号；储能电容，第一端连接所述输出端，第二端用于接收第二信号；负压提供端，与所述第一端连接；钳位单元用于在第一信号为“0”时将输出端的电压拉至输入端的电压，还用于在第一信号为“1”时将输出端钳位在钳位电压。本发明不仅待机模式无静态直流功耗，而且负压提供端输出的负压建立过程很快，能实现实时启动，满足半导体存储器的高速读操作条件。还可以通过钳位单元将负压提供单元提供的第一负电压限制在可控范围内。
半导体存储器

[发明专利]晶振启动控制电路及方法、晶振装置、SOC芯片-CN202211342322.5在审
发明人： 郭术明;李有惠;彭莉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶振启动控制电路及方法、晶振装置、SOC芯片，所述电路包括：逻辑电路；线性稳压器，根据逻辑电路输出的第一信号确定输出给晶体振荡器的电源信号的电压，电源信号作为晶体振荡器的电源；逻辑电路还用于检测晶体振荡器输出的时钟信号，若在输出第一信号后的预设时长内逻辑电路检测到晶体振荡器输出的时钟信号，则逻辑电路改变输出的第一信号，以使线性稳压器输出的电源信号的电压减小，直到在预设时长内未检测到时钟信号，此时逻辑电路再改变一次第一信号从而将电源信号的电压增大后，作为稳定的电源信号提供给晶体振荡器。本发明可以根据晶振的起振情况灵活调低LDO输出电压，尽可能地降低晶振的功耗。
启动控制电路方法装置 soc 芯片

[发明专利]一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法-CN202110908421.4在审
发明人：王浩;张楠;刘小红;李侠;黄勇;郭术明;龚才 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法，该存储器包括多个存储器单元，存储器单元包括多晶硅熔丝，多晶硅熔丝包括依次相连的第一、第二及第三熔丝段，第一及第三熔丝段的材质均包括掺杂多晶硅，第二熔丝段的材质包括本征多晶硅。本发明利用离子注入对多晶的掺杂过程，产生了一个三明治的多晶区域，即低阻多晶区+本征多晶狭点+低阻多晶区的结构，此结构可有效控制存储器单元的编程位置，熔断位置具有确定性，位置可控，可有效改善存储器单元编程后的阻值分布。此结构还可有效改善存储器单元编程前后的数据稳定性，避免因断而复连导致数据丢失。此外，此结构上层区域利用导电覆盖层遮挡存储单元的数据存储部分，可提高数据保密性。
一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法

[发明专利]一种非易失性存储器及其制造方法-CN202110860442.3在审
发明人：徐顺强;王浩;郭术明;张楠;龚才;黄勇;李侠 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括衬底、浮栅结构、硅化阻挡层及孔刻蚀阻挡层，其中，浮栅结构位于衬底上，浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，并包括位于栅介质层及多晶硅层侧面的侧墙；硅化阻挡层位于衬底上并覆盖浮栅结构，硅化阻挡层的厚度大于35nm；孔刻蚀阻挡层位于衬底上并覆盖硅化物阻挡层。本发明通过增加多晶浮栅与孔刻蚀阻挡层之间的硅化阻挡层的厚度，能够有效地抑制浮栅电荷通过顶部介质的漏电，从而提高非易失性存储器的数据保持时间，数据保持时间可达85度下保持10年。另外，本发明的方案具有工艺复杂度较低、工艺成本较低的优点。
一种非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]cell电流测试电路及其测试方法-CN202110814803.0在审
发明人：李有慧;王浩;郭术明;顾明;陈斌;李侠;黄勇;王美华 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明提供一种cell电流测试电路及其测试方法，所述电路包括：cell单元模块，用于选中cell单元；测试开关管，连接于所述cell单元模块的输出端和IO端口之间并受控于第一控制信号，用于在电流测试模式下导通；灵敏放大器，连接所述cell单元模块的输出端，用于在电流测试模式下，使输入至所述灵敏放大器的电流为0。通过本发明提供的cell电流测试电路及其测试方法，解决了现有无法准确测出cell电流的问题。
cell 电流测试电路及其方法

[发明专利]高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法-CN202110762993.6在审
发明人：顾明;王浩;郭术明;黄勇;李有慧;陈斌;李侠;朱丽娟 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
高压信号产生电路信息泄密编程系统方法

[发明专利]存储状态读取电路及存储状态读取方法-CN202210015876.8在审
发明人： 郭术明;王浩;李有慧;张楠;李侠;黄勇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储状态读取电路及存储状态读取方法。其中，所述存储状态读取电路包括状态测量端、恒流模块、预充电模块和比较模块，所述预充电模块接收到预充电使能信号时，对所述寄生电容以第三速率充电，充电过程的至少一部分时间段内所述第三速率较大；所述比较模块基于所述状态测量端的电压输出信号；所述存储状态读取电路基于所述比较模块的输出信号输出读取信号。如此配置，加速了状态读取时的充电过程，解决了现有技术中充放电过程等待时间较长，数据读取速度难以进一步提升的问题。
存储状态读取电路方法

[发明专利]功率器件及其电阻的仿真方法与功率器件的仿真工具-CN201810961688.8有效
发明人：张楠;周晶;王浩;高瞻;祝茂倩;周程;李志进;吴林;郭术明;黄勇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件电阻的仿真方法，包括建立功率器件的等效电阻模型，其中，N个指条的连接关系等效于N个电阻Rb并联，且相邻电阻Rb的输入端通过电阻Ra连接，相邻电阻Rb的输出端通过电阻Rc连接，Rb＝RDEV*N+RS+RD，其中，R0和R1分别为源极金属条和漏极金属条的电阻，RS为连接一源区至源极金属条的第一中间层的金属电阻，RD为连接一漏区至漏极金属条的第二中间层金属电阻，RDEV为功率器件的沟道电阻；计算等效电阻模型的电阻作为功率器件的电阻。本发明还涉及一种功率器件仿真方法及功率器件仿真工具。本方案得到的寄生电阻精度较高，使得仿真结果更加可靠。
功率器件及其电阻仿真方法工具

[发明专利]熔丝修调芯片的制造方法-CN201610798346.X有效
发明人：张楠;高瞻;周晶;王浩;温多武;范蓉;孙贵鹏;郭术明;张威彦;肖金玉;杨晓寒;李达 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝修调芯片的制造方法，该方法包括：获取多个能够代表待修调熔丝修调芯片的测试熔丝修调芯片；对各测试熔丝修调芯片分别施加一不同的修调电压，确定各测试熔丝修调芯片是否成功修调，获取能成功修调的最低修调电压；基于待修调熔丝修调芯片的标称修调电压与所述最低修调电压，获取所述待修调熔丝修调芯片的电阻的最大波动范围；进行工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于所述最大波动范围之内。本发明提供的方法能够计算待修调熔丝修调芯片的电阻随工艺波动而允许产生的最大波动范围，从而能够通过工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于允许的最大波动范围之内，提高熔丝修调的可靠性。
熔丝修调芯片制造方法

[发明专利]一种带有自检测电路的读出电路及控制方法-CN201310471186.4有效
发明人： 郭术明;宗国翼 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有自检测电路的读出电路及控制方法，所述电路包括预充电电路和控制电路，所述预充电电路和所述控制电路连接于第一节点，用于对存储器单元进行充电，所述读出电路还包括检测电路，所述检测电路和所述预充电电路连接于所述第一节点；所述检测电路包括第三非门、第四非门、第一与非门、第六非门、第一触发器和第八非门；通过第三非门的反转来检测第一非门反转的这种方式，可以大大节省对第一节点A的充电时间，从而相应地减少整个电路的读取时间。同时还可以避免在预充电结束后，线路再出现充电的状态。
一种带有检测电路读出控制方法

[发明专利]一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法-CN201210141757.3有效
发明人： 郭术明 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法，依据OTP存储器版图，去除所述用于存储数据“0”的OTP存储单元的第二MOS管的浮栅以使该OTP存储单元转化为用于存储数据“0”的MROM存储单元，并保留所述OTP存储器版图中用于存储数据“1”的OTP存储单元的原有结构作为用于存储数据“1”的MROM存储单元，以形成MROM存储器版图，然后依据MROM存储器版图制作MROM存储器。本发明对经过调试、存储数据确定好的OTP存储器版图修改成MROM存储器版图，在制作过程中只需要修改一层掩膜就可以把制作OTP的工艺转化为制作MROM的工艺。本发明大大的节省了器件的编程、测试的时间和成本，简化了工艺过程，从而大大地降低了产品的成本，提高了利润。
一种基于 otp 存储器制作 mrom 方法

[发明专利]随机读写存储器及其控制方法-CN200910196045.X有效
发明人： 郭术明 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明涉及一种随机读写存储器及其控制方法。该随机读写存储器包括多个呈阵列排布的存储单元，每一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和存储电容，该存储电容连接于该第一晶体管、第二晶体管之间，该第一晶体管用于控制数据读出或者写入该存储电容，该第二晶体管用于控制对该存储电容的数据刷新。本发明的随机读写存储器有较快的读写速度，又具有较小的存储单元面积和工作功耗。
随机读写存储器及其控制方法

[发明专利]随机存储器的存储读取方法-CN200910026432.9无效
发明人： 郭术明 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接。写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，与第一晶体管源极连接的第二晶体管栅极电压不同则由第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路电流不同，则读位线的电位不同，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。
随机存储器存储读取方法

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