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[发明专利]具有螺旋电感的可见光通信LED及其制备方法-CN201610886147.4有效
发明人：孙慧卿;杨晛;郭志友;黄涌;黄鸿勇;孙杰;黄晶;张柱定;刘洋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本发明公开一种具有螺旋电感线圈与圆形芯粒的可见光通信LED，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上焊有正极焊点和负极焊点，所述蓝宝石衬底上沉积了若干个发光LED芯粒，前一个芯粒的负电极和后一个芯粒的正电极连接，第一个芯粒的正电极和最后一个芯粒的负电极分别连接到衬底上的正极焊点和负极焊点，其特征在于，每个发光LED芯粒的外围都围绕着一个螺旋电感线圈，该螺旋电感线圈的一端引脚通过连接线与所相邻的发光LED芯粒的n极连接，另一端直接与其所围绕的发光LED芯粒的p极连接。
具有螺旋电感可见光通信 led 及其制备方法

[发明专利]具有照明和通信双功能的发光器件-CN201510584673.0有效
发明人：孙慧卿;黄鸿勇;张柱定;张诚;李旭娜;孙浩;范宣聪;黄涌;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有照明和通信双功能的发光器件，依次包括衬底层、缓冲层、产生电子的n型层、电子空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和透明电极层，所述衬底层上沉积有若干个构成环形结构的通信型发光芯片芯粒和若干个照明型芯片芯粒。本发明采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合的量子阱层的电子空穴复合均匀，达到高复合率，以达到器件高速和宽频带的技术效果，同时，使芯片芯粒构成环形结构，减小芯片芯粒面积和体积，提升了器件的响应速率。
具有照明通信功能发光器件

[发明专利]芯片级封装发光二极管-CN201510584735.8有效
发明人： 郭志友;项树理;周腾飞;代家劲;万年青;刘洋;姚舜禹;黄涌;黄鸿勇;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片级封装发光二极管，包括正装芯片、矩形槽状荧光粉、矩形正电极和环形负电极，所述正装芯片依次包括透明金属连接层、透明电极ITO层、产生电子的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层、晶格匹配缓冲层和衬底层，所述透明金属连接层通过金属柱与矩形正电极连接，所述产生电子的p型层位于衬底层的上方。通过本发明的设计，不仅节省了芯片的面积，使得发光二极管的响应速率加快，而且二极管的发光面积也变大了。
芯片级封装发光二极管

[发明专利]多电极可见光通讯发光器件及其制备方法-CN201610320741.7有效
发明人： 郭志友;刘洋;黄涌;黄鸿勇;黄晶;孙杰;杨晛;衣新燕;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多电极可见光通讯发光器件及其制备方法，该器件依次包括N型半导体层、绝缘层、多量子阱层和P型半导体层，所述P型半导体层上刻有绝缘槽，以绝缘槽为边界，P型半导体层分为外层P型半导体层和内层P型半导体层，所述外层P型半导体层和内层P型半导体层分别沉积有若干个电极，所述绝缘层上也沉积有若干个电极，外层P型半导体层和内层P型半导体层上的电极通过金线分别与绝缘层上的电极连接，分别给内层P型半导体层和外层P型半导体层通入直流驱动电流源和高频电流源，或分别通入高频电流源和直流驱动电流源。
电极可见光通讯发光器件及其制备方法

[发明专利]可见光通信LED器件-CN201510492018.2有效
发明人：孙慧卿;黄涌;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种可见光通信LED器件，包括四个几何中心点重叠且位于同一平面的LED芯片，由外到内分别是第一环形芯片、第二环形芯片、第三环形芯片和中部芯片，每个芯片的边缘上绕设有环形金属正电极，可见光通信LED器件的底面即每个芯片的n型层底面与器件负电极连接，器件负电极为圆形且位于器件底部，器件环形正电极连接在器件负电极的边缘上方且相互绝缘。本发明在环形或者圆形芯片上制备金属环形正电极结构；使得在发光层（量子阱层）的电子和空穴载流子复合均匀；这样能有效提升复合速率，即提升可见光LED器件的响应时间；可见光环形LED器件可以制备成1W的功率型器件；适合应用于LED照明灯具应用领域。 1
可见光通信环形芯片芯片负电极正电极底面制备复合负电几何中心点空穴载流子正电极结构可见光可见光LED 环形金属金属环形量子阱层圆形芯片环形LED 发光层功率型绝缘响应应用

[发明专利]照明通信发光二极管器件-CN201510584644.4有效
发明人：孙慧卿;黄鸿勇;张柱定;张诚;李旭娜;孙浩;范宣聪;黄涌;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种照明通信发光二极管器件，依次包括正电极、多个矩阵式排列的环形结构芯片芯粒和负电极，所述环形结构芯片芯粒依次包括透明电极层、空穴产生p型层、电子空穴复合层、电子产生n型层和衬底。本发明采用环形结构芯片芯粒使得电子空穴复合均匀，达到高复合率，从而达到器件高速和宽频带的技术效果。 1
环形结构芯粒发光二极管器件电子空穴复合照明通信芯片空穴矩阵式排列透明电极层电子产生技术效果负电极高复合宽频带正电极衬底

[发明专利]功率型可见光通信LED器件-CN201510492225.8有效
发明人： 郭志友;黄涌;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开功率型可见光通信LED器件，包括走线均匀的曲线形LED芯片，在曲线形LED芯片的面边缘绕设有环形金属电极，负电极平面上设有LED器件的正电极且相互绝缘，所述环形金属电极的两端均通过正电极焊接金线与正电极电连接。本发明的走线均匀的芯片结构，可以保证载流子复合时间一致，即提高响应时间；摆线形或者螺旋形芯片形状，既可以有利芯片中的电子空穴复合，也有效提高量子阱层中载流子复合率；采用芯片的面边缘环形金属电极，减小p型电极与n型层之间的电阻，量子阱层的载流子复合均匀性增加；采用摆线形或者螺旋形芯片形状，可以制作成较大功率，即可以用于LED可见光通信用途，也可制造成LED灯具产品。
功率可见光通信 led 器件

[发明专利]GaN基新型结构激光器及其制作方法-CN201711020759.6在审
发明人：孙慧卿;汪鑫;郭志友;张秀;侯玉菲;龚星;徐智鸿;刘天意 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。
gan 新型结构激光器及其制作方法

[发明专利]远距离LED可见光投射系统-CN201710813868.7在审
发明人： 郭志友;龚星;孙慧卿;徐智鸿;刘天意;侯玉菲;汪鑫;张秀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种远距离LED可见光投射系统，包括第一、第二反光杯，置于第一反光杯焦点处的LED光源、置于第一、第二反光杯之间的内置透镜、正对着第二反光杯杯口设置的二次准直系统，所述LED光源发射的光线部分经过第一、第二反光杯反射，另一部分经过内置透镜初步准直后，由二次准直系统进行二次准直。本发明仅采用简单的反光杯和透镜组对合适大小的LED矩阵发出的光线进行准直，系统结构简单，成本低，装配简单，损耗低，而且其光线的发散角在现有的准直装置中可以达到最小，具有实用价值。
远距离 led 可见光投射系统

[发明专利]全角度发光的功率型LED及其制作方法-CN201410540668.5有效
发明人： 郭志友;李婧;李方政;林宏;项树理;周腾飞;万年青;李矗;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开全角度发光的功率型LED及其制作方法。制作方法主要包括导电和导热柱的制作、电极的连接和导电和导热柱和金属连接面的连接等。导电和导热柱采用透光材料制备，并且在导电和导热柱通孔，用于形成导电电极。LED芯片直接焊接电和导热柱的界面上，可以有效将热量传递到导电和导热柱上，导电和导热柱材料具有高导热性能，在导电和导热柱底部有正电极、负电极焊接面，导电和导热柱与焊接面之间具有非常小的界面热阻，可以有效传导热量，降低了LED的热阻，保证高可靠和发光稳定性。
角度发光功率 led 及其制作方法

[发明专利]芯片级封装发光器件及其制造方法-CN201611169366.7在审
发明人： 郭志友;衣新燕;孙慧卿;孙杰;黄晶;郭敏;杨晛 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片级封装发光器件，包括LED外延片，所述LED外延片包括正电极、负电极和电极沟道，所述正电极和负电极位于同一平面，所述电极沟道位于正电极与负电极之间，还包括石墨烯层和荧光粉薄层，所述石墨烯层分布于LED外延片的下方并与之连接，所述荧光粉薄层位于石墨烯层下方并与之连接。本发明的石墨烯层具有很好的热传导性能，荧光粉薄层与石墨烯层直接接触，能保证荧光粉薄层具有较低温度，维持发光器件色温稳定。
芯片级封装发光器件及其制造方法

[发明专利]可见光通信多芯片发光器件及其制备方法-CN201610320740.2在审
发明人： 郭志友;刘洋;黄涌;黄鸿勇;杨晛;黄晶;孙杰;衣新燕;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种可见光通信多芯片发光器件及其制备方法，该器件包括多个若干个光发射芯片，所述若干个光发射芯片之间采用串联形式连接，即一个光发射芯片的正电极与另一个光发射芯片的负电极连接，所述发光器件利用高频率电流源供电，供电采用具有通信协议的信号转换为供电电流。
可见光通信芯片发光器件及其制备方法

[发明专利]倒装芯片发光二极管器件及其制造方法-CN201510584646.3在审
发明人： 郭志友;孙慧卿;杨晛;衣新燕;孙杰;黄晶;郭敏 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装芯片发光二极管器件，包括正电极、倒装芯片和负电极，所述倒装芯片依次包括产生空穴的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层和晶格匹配缓冲及衬底层，所述正电极和负电极为器件的焊接电极，所述正电极和负电极与晶格匹配缓冲及衬底层的朝向相反，所述倒装芯片的主要发光投射到晶格匹配缓冲及衬底层的方向。通过本发明的设计，减小了倒装芯片的尺寸，增加了发光面积，提高了发光二极管器件的响应速率。
倒装芯片发光二极管器件及其制造方法

[发明专利]高响应速率通信发光器件-CN201510584645.9在审
发明人：孙慧卿;黄涌;张诚;李旭娜;孙浩;范宣聪;张柱定;黄鸿勇;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种高响应速率通信发光器件，包括可见光通信LED器件、负电极和正电极，所述可见光通信LED器件内共有若干个长条形芯片，所述若干个长条形芯片采用并联电气连接的方式连接，若干个长条形芯片之间形成沟道，所述沟道填充了绝缘层，以使得芯片之间相互电气隔离，每个长条形芯片包括衬底、产生电子的n型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和ITO导电层，所述产生电子的n型层与所述衬底接触，所述ITO导电层与芯片顶部的金属电极相接触，所述正电极与衬底之间设有绝缘层和金属导线。本发明通过采用长条形小尺寸发光芯片结构，大大降低了通信发光器件的尺寸。同时，使电荷较快在整个芯片均匀分布，有效提升响应速率。
响应速率通信发光器件

[发明专利]LED多面发光平面光源-CN201410540343.7有效
发明人：孙慧卿;郑欢;孙浩;李旭娜;杨敏;蔡金鑫;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开LED多面发光平面光源，包括由多个LED排列成的LED阵列、光学透镜阵列、聚散透明板和透明的整体支架板，非成像二次光学透镜包括上方凹透镜部分、下方凹透镜部分、四个光学透镜的折射和反射转角、四个学透镜的折射和反射边和四个光学透镜内部垂直侧面；所述四个光学透镜的折射和反射转角呈矩形排布，四个学透镜的折射和反射边排布在所述矩形的四条边上，所述凹透镜和四个光学透镜内部垂直侧面位于所述矩形的中部，LED位于四个光学透镜内部垂直侧面围成的空间下部。本发明结构简单，体积小，能实现少量光线反射到背面；平面光源具有总发光面积内光照强度均匀性好的优点。
led 多面发光平面光源