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[发明专利]一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器及其制备方法-CN202110688710.8有效
发明人： 侯玉菲;赵德刚;梁锋;陈平;杨静;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器，包括：下波导层；多量子阱层，形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层，形成于所述多量子阱层上；其中，所述阶梯状上波导层包括：InxGa1‑xN层和InyGal‑yN层；InxGa1‑xN层，形成于所述多量子阱层上，InyGal‑yN层，形成于所述InxGal‑xN层上；x、y分别满足：0.01≤x≤0.1，0≤y≤0.015，并且x≠y。本发明通过调控具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器的能带可有效的增加激光器的空穴注入效率，同时降低了光学损耗，从而改善了InGaN/GaN量子阱激光器的斜率效率和功率转换效率。
一种具有阶梯波导 ingan gan 量子激光器及其制备方法

[实用新型]一种提高空穴注入的氮化镓基激光器-CN202122839916.4有效
发明人： 侯玉菲;赵德刚;梁锋;杨静;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本实用新型设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。
一种提高空穴注入氮化激光器

[发明专利]一种提高空穴注入的氮化镓基激光器-CN202111372787.0在审
发明人： 侯玉菲;赵德刚;梁锋;杨静;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本发明设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。
一种提高空穴注入氮化激光器

[发明专利]含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法-CN202010337090.9有效
发明人： 侯玉菲;赵德刚;梁锋 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：一种含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法，所述含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器由下至上依次包括：N型电极、衬底、下限制层、分步掺杂下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层和P型电极；其中，所述分步掺杂下波导层由下至上依次包括GaN下波导层和多层InGaN下波导层。本发明通过采用分步掺杂下波导层代替高掺杂的下波导层，抑制载流子的泄露，提高GaN基激光器的光电特性。
含有分步掺杂波导 gan 激光器及其制备方法

[发明专利]基于LED光源的激光电视光学引擎系统及其激光电视-CN201811056442.2有效
发明人：郭志友;侯玉菲;孙慧卿 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H04N5/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于LED光源的激光电视光学引擎系统，其包括基于LED光源的合光光学系统以及折射式准直匀光系统，所述折射式准直匀光系统包括透镜一、透镜二及透镜三，所述合光光学系统发出的光线经过透镜一与透镜二出射的光为等效光源，所述透镜三的焦点与上述等效光源位置重合，从而使该光学引擎系统出射平行光，达到准直的效果。本发明巧妙的结合使用了三个特殊透镜，对其光线进行三次收光，从而使出射的光线满足激光电视光源高准直性和均匀性的要求，并且本发明采用包含有多颗LED芯粒排布矩阵的合光光学系统，作为其引擎系统的光源，从而得到了激光电视所需的高亮度白光。降低了激光电视的成本。
基于 led 光源激光电视光学引擎系统及其

[发明专利]GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法-CN201711013670.7有效
发明人：孙慧卿;张秀;郭志友;侯玉菲;汪鑫;龚星;徐智鸿;刘天意 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0x0.5。所述GaN基复合DBR谐振腔激光器由下至上依次包括：所述GaN复合DBR谐振腔激光器外延片、介质膜、ITO电流扩展层、介质膜布拉格反射镜、正电极、负电极。本发明所述GaN基复合DBR谐振腔激光器阀值低、光学损耗低、晶格失配度低，p型层的空穴注入效率高。
gan 复合 dbr 谐振腔激光器外延制备方法

[发明专利]InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法-CN201711015135.5有效
发明人：郭志友;侯玉菲;孙慧卿;汪鑫;张秀;龚星;徐智鸿;刘天意 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极，所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料，所述有源区为InGaN/AlInN量子阱层。所述InGaN/AlInN量子阱激光器以AlGaN材料为波导层、有源区以AlInN材料作为垒层、InGaN作为阱层，降低了材料的晶格失配，有源区中极化现象弱，极化场和腔面损耗小，阀值电流低，量子阱激光器的光学性能优异。
ingan alinn 量子激光器及其制作方法

[发明专利]GaN基新型结构激光器及其制作方法-CN201711020759.6在审
发明人：孙慧卿;汪鑫;郭志友;张秀;侯玉菲;龚星;徐智鸿;刘天意 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。
gan 新型结构激光器及其制作方法

[发明专利]远距离LED可见光投射系统-CN201710813868.7在审
发明人：郭志友;龚星;孙慧卿;徐智鸿;刘天意;侯玉菲;汪鑫;张秀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种远距离LED可见光投射系统，包括第一、第二反光杯，置于第一反光杯焦点处的LED光源、置于第一、第二反光杯之间的内置透镜、正对着第二反光杯杯口设置的二次准直系统，所述LED光源发射的光线部分经过第一、第二反光杯反射，另一部分经过内置透镜初步准直后，由二次准直系统进行二次准直。本发明仅采用简单的反光杯和透镜组对合适大小的LED矩阵发出的光线进行准直，系统结构简单，成本低，装配简单，损耗低，而且其光线的发散角在现有的准直装置中可以达到最小，具有实用价值。
远距离 led 可见光投射系统

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