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[发明专利]基于原子气体的红外光图像探测系统-CN201810382228.X在审
发明人：丁冬生;张伟航;史保森;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子气体的红外光图像探测系统，包括：第一半导体激光器，用产生第一泵浦光；第二半导体激光器，用于产生第二泵浦光；铷泡，红外光、所述第一泵浦光和第二泵浦光配置为射向该铷泡，以基于铷原子系综的非线性四波混频转换，产生并射出可见光；可见光相机，设置于可见光射出的光路上，以探测该可见光。本发明的系统可以实现对红外光在可见光波段的探测。
泵浦光可见光红外光半导体激光器红外光图像探测系统原子气体射出铷泡探测可见光波段可见光相机四波混频铷原子系综转换配置

[发明专利]图像调整装置及成像方法-CN201810382185.5在审
发明人：丁冬生;史保森;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：一种图像调整装置，包括：偏振片，用于通过一成像光，通过后形成互相垂直的控制光和探测光；声光晶体，所述控制光通过声光晶体后失谐；全息光栅，失谐后的控制光通过所述全息光栅，输出±1级的衍射波；第一1/4波片，将所述±1级的衍射波转换为左旋或右旋圆偏振光束；第二1/4波片，将所述探测光转换为与第一1/4波片转换的光束旋光性相反的圆偏振光束；铷蒸气室，所述经过第一1/4波片的光束从一端通过铷蒸气室，所述通过第二1/4波片的光束从另一端通过铷蒸气室，通过施加控制光，气室内的铷原子形成非物质凸透镜或凹透镜，使探测光上的图像通过铷腔后被缩小或放大。本发明的装置创造性的使原子气中的非物质透镜产生真实图像。
波片控制光探测光蒸气室图像调整装置全息光栅声光晶体衍射波失谐转换凸透镜透镜右旋圆偏振光圆偏振光束互相垂直真实图像凹透镜成像光偏振片旋光性铷原子左旋成像放大施加图像室内输出

[实用新型]用于临近催化化学气相沉积的装置-CN201721700524.7有效
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本申请提供用于临近催化化学气相沉积的装置及方法，所述装置包括：在竖直方向上设置的上加热器和下加热器；用于控制它们升降的电机；在下加热器表面上的用于安放基底的样品台；在样品台和上加热器之间的水平导轨；和用于安放催化剂的载板，所述载板和所述样品台之间为用于临近催化化学气相沉积的反应区；其中上下加热器用于对反应区提供二维材料生长所需的温度。通过利用本实用新型的装置和方法，可以使得在催化剂表面催化得到的二维材料的活性物质扩散到基底，使得在基底上沉积所需的薄膜；同时可以在不具有催化功能的基底上生长强烈依赖催化剂的二维材料的薄膜或异质结。
基底催化化学气相沉积二维材料样品台上加热器反应区催化剂薄膜加热器本实用新型催化剂表面加热器表面催化功能活性物质水平导轨下加热器异质结生长竖直载板沉积催化升降电机扩散申请

[实用新型]用于确定临近催化化学气相沉积中催化剂的热形变的装置-CN201721701409.1有效
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本申请提供用于确定临近催化化学气相沉积中催化剂的热变形的装置及方法，所述装置包括：在竖直方向上设置的上下加热器；用于控制它们升降的电机；设置在下加热器表面上的用于安放基底的样品台；在样品台和上加热器之间的水平导轨；在水平导轨上的用于安放催化剂的载板，所述载板和样品台之间是用于临近催化化学气相沉积的反应区；设置在样品台与载板之间的光栅尺；用于检测催化剂是否与基底接触的短路检测装置和用于控制样品台升降的控制装置，其中上下加热器用于对反应区提供适合二维材料生长的温度。通过利用本实用新型的装置，可以确定和判断催化剂在不同温度下随时间的热形变量，解决催化剂在高温下的形变对生长所导致的问题。
催化剂样品台催化化学气相沉积加热器水平导轨反应区载板升降短路检测装置本实用新型加热器表面二维材料基底接触控制装置热形变量上加热器光栅尺热变形热形变生长形变基底竖直电机检测申请

[发明专利]基于单个原子系综制备全同双光子的装置及方法-CN201810375665.9在审
发明人：丁冬生;史保森;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：一种基于单个原子系综制备全同双光子的装置及方法，该装置包括：偏振调节模块，改变第一激光的频率，使得第一激光与铷原子的第一失谐量为Δ1，确定第一偏振光；铷原子系综，受到第一偏振光的激发，使得第一能级的铷原子跃迁至第三能级，产生第一跃迁光；偏振模块，确定第一信号光；偏振延时模块，使得第二激光与铷原子的第二失谐量为Δ2，确定第二偏振光；且第二偏振光激发单个铷原子系综，使得第二能级的铷原子跃迁至第三能级，产生第二跃迁光；偏振调向模块，确定第二信号光；第一失谐量Δ1与第二失谐量Δ2满足Δ1‑Δ2＝ω12，ω12是第一能级与第二能级的频率差，第一信号光与第二信号光为全同双光子。
能级铷原子失谐量偏振光跃迁双光子激光第二信号原子系综偏振系综制备偏振光激发偏振调节偏振模块延时模块频率差调向激发

[发明专利]金刚石纳米全光学磁场传感器、探针及原子力显微镜-CN201711381052.8在审
发明人：孙方稳;陈向东;李燊;赵博文;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G01Q60/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石纳米全光学磁场传感器、探针及原子力显微镜。其中，金刚石纳米全光学磁场传感器包括：含有氮‑空位色心的金刚石纳米结构，配置为在不同的磁场下改变荧光寿命和光致发光强度；光致发光检测器件和/或荧光寿命检测器件，所述光致发光检测器件配置为检测所述荧光寿命，荧光寿命检测器件配置为检测所述光致发光强度。
金刚石纳米磁场传感器全光学荧光寿命检测原子力显微镜检测光致发光器件配置荧光寿命探针空位色心磁场配置

[发明专利]光纤荧光全光学磁场传感器及系统-CN201711380469.2在审
发明人：李燊;陈向东;赵博文;孙方稳;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤荧光全光学磁场传感器及传感系统。其中传感器包括：光纤；以及纳米金刚石NV色心荧光层，安装于所述光纤的一端上。其中纳米金刚石NV色心荧光层通过光学胶附着于所述光纤的一端上；或者光纤包括内部的光纤芯，所述纳米金刚石NV色心通过嵌入光纤芯一端的方式安装于光纤的一端上。本发明的传感器技术本质上仅测量光纤中的光信号，测量响应频率高，核心结构简单。
光纤纳米金刚石色心磁场传感器光纤荧光光纤芯全光学荧光层传感器技术测量光纤传感系统核心结构响应频率光学胶传感器附着嵌入测量

[发明专利]双腔室无污染化学气相沉积二维材料异质结的装置-CN201810210266.7在审
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双腔室无污染化学气相沉积二维材料异质结的装置，包括真空腔室，真空腔室为圆型卧式真空室，通过中间挡板横向阻隔为两个腔室，每个腔室分别设有一套催化剂供给系统；每套所述催化剂供给系统分别包括圆形托盘，每个圆形托盘的上方分别设有上加热器，两个圆形托盘的下方设有一个共用的下加热器；圆形托盘与旋转驱动电机连接，每个上加热器分别与垂直升降驱动电机连接，下加热器与垂直升降驱动电机和水平方向移动驱动电机分别连接。采用了冷壁双腔室的结构设计，配合设计的运动系统，将不同二维材料的化学气相沉积分隔在两个不同的腔室进行，免去转移的过程，避免了交叉污染。
圆形托盘化学气相沉积二维材料驱动电机双腔室腔室催化剂供给系统垂直升降上加热器下加热器真空腔室异质结水平方向移动旋转驱动电机横向阻隔交叉污染运动系统中间挡板真空室冷壁圆型分隔配合

[实用新型]化学气相沉积设备-CN201721380853.8有效
发明人：郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔体；真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。
化学气相沉积设备反应腔体催化剂真空提供装置管状加热器传送装置供给装置反应腔管腔体内反应气体供给本实用新型生长基传送容纳开放

[实用新型]一种单晶硅片生产中用的硅片喷水管路-CN201721171697.4有效
发明人： 郭光灿;范强;马龙峰 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：一种单晶硅片生产中用的硅片喷水管路，该管路由一个螺纹接头、一个喷水头、若干直接头和若干三通接头组合而成，各部件之间通过相互配合的球面凸接头球面凹接头形成可拆卸转动连接。本实用新型不需要安装支架，通过螺纹接头、喷水头、若干直接头和若干三通接头根据需要组合连接而成，并将其固定安装在设备需要的位置，通过增减直接头和三通接头来调节管路的长短，各部件之间通过互相配合的球面凸接头与球面凹接头连接，从而使得其喷水方向能够根据需要随意调节，便于实现喷水的自动化。
一种单晶硅生产中用硅片喷水管路

[发明专利]任意比例双入口的光束分束合束器-CN201610195451.4有效
发明人：胡晓敏;柳必恒;黄运锋;李传锋;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种任意比例双入口的光束分束合束器，可以保证分成的H光与V光的光程完全相等，从而保证了出射光的相干性；同时，由于分开的H光与V光经过相近的路径以及相同的反射镜，所以可以保证良好的稳定性，其中半波片，还可以控制光的偏振，通过这种方式达到对分束比例的控制；此外，还可以实现偏振无关的分束合束，或者一定比例偏振相关的分束合束。
任意比例入口光束分束合束器

[实用新型]一种半导体量子器件-CN201720693828.9有效
发明人：李海欧;王柯;袁龙;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体量子器件，包括GaAs衬底；所述GaAs衬底表面设置有二维电子气导通平台；所述二维电子气导通平台中间设置有二维电子气窄带平台；所述第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度方向的两侧设置有量子点小电极；所述二维电子气导通平台的端部沉积有欧姆接触电极；所述GaAs衬底的表面在二维电子气导通平台的外围设置有金属栅极；所述金属栅极与所述量子点小电极一端相接触。与现有技术相比，本实用新型通过蚀刻二维电子气导通平台形成第一纳米窄带与第二纳米窄带，将肖特基电极下方的大部分二维电子气直接移除，浅刻蚀量子点拥有比传统结构量子点低一个量级的低频电荷噪声，为量子比特和量子计算研究提供了一个新的结构体系。
一种半导体量子器件

[实用新型]空穴型半导体异质结霍尔棒-CN201720754071.X有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了空穴型半导体异质结霍尔棒。其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。
空穴半导体异质结霍尔

[实用新型]空穴型半导体电控量子点器件和装置-CN201720754015.6有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了空穴型半导体电控量子点器件。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。
空穴半导体量子器件装置

[发明专利]一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器-CN201510350930.4有效
发明人：郭国平;郑智雄;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器，包括用于降低赝高电子迁移率晶体管PHEMT在一定工作频带内输入的反射损耗与噪声的输入匹配电路；用于给PHEMT提供所需偏置电压和电流并控制放大器整体功耗保持在最低门限水平、提升放大器稳定性，以及使放大器在一定工作频带内产生的增益高且平坦的级间匹配电路；以及用于降低PHEMT在一定工作频带内输出反射损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。该放大器能在室温和极低温下稳定工作，在所设计的较宽的工作频带内实现信号放大并抑制噪声，并且在极低温下所产生的功耗较低，不会引起制冷系统温度升高。
一种室温低温两用宽频低噪声放大器