“郑凤吉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法及非易失性存储器封装-CN201811132920.3有效
发明人： 郑凤吉;金炯坤;郑东勳;崔明勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置的操作方法包含：从非易失性存储器装置的外部接收控制信号及数据信号；基于控制信号及数据信号产生调试信息；从非易失性存储器装置的外部接收调试信息请求；以及响应于调试信息请求输出调试信息。也提供一种非易失性存储器装置和一种非易失性存储器封装。
非易失性存储器装置及其操作方法封装

[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法-CN201810968801.5有效
发明人： 郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储装置包括多个存储单元和页面缓冲器，所述页面缓冲器包括多个页面缓冲单元，每个页面缓冲单元通过多条位线中的一条位线连接到多个存储单元，并且被配置为基于多个存储单元的数据状态生成输出数据。所述多个页面缓冲单元中的第一页面缓冲单元包括第一锁存器至第四锁存器，第一锁存器至第三锁存器通过使感测节点的电压电平演变分别在第一时间点至第三时间点锁存第一读取数据至第三读取数据，第四锁存器基于第二读取数据和第三读取数据生成第四读取数据。第一页面缓冲单元被配置为根据是否可以对第一读取数据进行纠错，来选择性地将第四读取数据作为输出数据输出。
非易失性存储装置及其操作方法

[发明专利]检测缺陷的半导体存储器件及其操作方法-CN202211252889.3在审
发明人： 郑凤吉;南尚完;郑基镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供了一种检测缺陷的存储器件及其操作方法。该存储器件包括：存储器单元区，包括存储数据的存储器单元阵列；以及外围电路区，包括被配置为控制存储器单元阵列的操作的控制逻辑，其中外围电路区还包括缺陷检测电路，缺陷检测电路被配置为：通过从多个输入信号中选择第一输入信号并且基于时钟信号对第一输入信号的至少一个时间间隔进行计数来生成计数结果值，以及通过将期望值与计数结果值进行比较来检测第一输入信号的缺陷，该至少一个时间间隔是其中保持逻辑低或逻辑高的时间长度。
检测缺陷半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202211337685.X在审
发明人：南尚完;金炯坤;郑凤吉;洪允镐;黄柱盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。
存储装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN202211294716.8在审
发明人： 郑凤吉;南尚完;白钟民;田旼奇;郑宇哲;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器件-CN202111145948.2在审
发明人： 郑凤吉;申东珍;梁万在;李炳善;张东洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：第一存储区和第二存储区，第一存储区包括第一存储单元和第一模拟电路，第二存储区包括第二存储单元和第二模拟电路；控制逻辑电路，其确定模拟电路的开启/关闭状态，其中，处于开启状态的每个模拟电路将外部电源电压转换为用于每个存储单元的操作的内部工作电压；以及输入/输出电路，其选择用于使用内部工作电压执行数据输入/输出的输入/输出存储区，其中，第一存储单元和第二存储单元的数据输入/输出被顺序地执行，并且当第一存储单元的数据输入/输出被执行时，第一模拟电路和第二模拟电路的每一者中的至少一个一起被开启。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器设备、非易失性存储器和存储器控制器的操作方法-CN202110941184.1在审
发明人： 郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C8/18 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器，其包括可连接到多条数据线的多个输入/输出焊盘、使能输入焊盘、使能输出焊盘和芯片地址初始化电路。芯片地址初始化电路通过多个输入/输出焊盘接收当前芯片地址，响应于通过使能输入焊盘接收的当前使能信号存储当前芯片地址，通过使能输出焊盘输出下一使能信号，并通过多个输入/输出焊盘输出下一芯片地址。
非易失性存储器设备存储器控制器操作方法

[发明专利]半导体存储器设备-CN202110861481.5在审
发明人： 郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器设备，包括：存储器单元区域，其包括存储器单元阵列；以及外围电路区域，其至少部分地与存储器单元区域重叠并且包括被配置为控制存储器单元阵列的操作的控制逻辑，其中控制逻辑包括状态机，被配置为响应于存储器单元区域的操作命令而输出多个状态信号，多个状态信号包括从第一输出端子输出的第一状态信号和从与第一输出端子不同的第二输出端子输出的第二状态信号，逻辑和计算器，被配置为基于第一状态信号或第二状态信号中的至少一个执行逻辑和计算，以及累加电路，被配置为接收逻辑和计算器的输出作为时钟信号，并响应于时钟信号而将触发信号输出到一个探测焊盘，累加电路通过穿透存储器单元区域的通孔导孔(THV)连接到探测焊盘。
半导体存储器设备

[发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的固态驱动器-CN201710056961.8有效
发明人：金廷秀;郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器和控制电路。电压产生器产生要施加到存储单元阵列的字线电压。控制电路响应于命令和地址产生控制电压产生器的控制信号。控制电路包括黑客攻击检测电路。黑客攻击检测电路在检测到黑客攻击时禁用非易失性存储器件的操作，其中当命令和地址的访问序列与非易失性存储器件的标准序列不匹配一定的连续次数时，检测到黑客攻击。
非易失性存储器包括固态驱动器

[发明专利]非易失性存储器器件、包括其的存储设备及其操作方法-CN202110193519.6在审
发明人：曹溶成;郑凤吉;郑韩吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器器件的操作方法，包括：在非易失性存储器器件处接收暂停命令；响应于暂停命令，在非易失性存储器器件处暂停正被执行的编程操作；在非易失性存储器器件处接收恢复命令；以及响应于恢复命令，在非易失性存储器器件处恢复暂停的编程操作。编程操作包括编程循环，该编程循环中的每一个包括位线设置间隔、编程间隔和验证间隔。在编程循环中的每一个的编程间隔中，要被施加到非易失性存储器器件的所选存储器单元的编程电压的电平增加第一电压。暂停之前最终施加的编程电压的电平和恢复之后首先施加的编程电压的电平之间的差不同于第一电压。
非易失性存储器器件包括存储设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储设备-CN201710099063.0有效
发明人： 郑凤吉;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储设备，包括非易失性存储单元阵列、页缓冲器电路、数据输入/输出电路和控制逻辑，其中N位存储在单个存储单元中(N是大于或等于2的整数)，页缓冲器电路电连接至非易失性存储单元阵列。页缓冲器电路包括被配置为临时存储数据的至少N个锁存器。连接至页缓冲器电路的数据输入/输出电路接收编程的输入数据，并将该输入数据提供至页缓冲器电路。控制逻辑控制页缓冲器电路并在从数据输入/输出电路接收编程单元的所有输入数据之前初始化目标锁存器的值。
非易失性存储设备

[发明专利]非易失性存储器装置、存储装置和存储器控制器操作方法-CN201911372381.5在审
发明人： 郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器装置、存储装置和存储器控制器操作方法。所述非易失性存储器装置包括：接收并且解码第一命令和第二命令的命令解码器；在解码第一命令的命令解码器的控制下生成第一控制信息的第一控制电路；在解码第二命令的命令解码器的控制下生成第二控制信息的第二控制电路；包括基于第一控制信息操作的第一存储器单元的第一存储体；以及包括基于第二控制信息操作的第二存储器单元的第二存储体。响应于第一命令从第一存储体输出数据的第一时间不同于响应于第二命令从第二存储体输出数据的第二时间。
非易失性存储器装置存储存储器控制器操作方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其编程方法-CN201910976693.0在审
发明人：曺溶成;金武星;白承柔;白钟民;郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种电阻式存储器装置及其编程方法。在一些示例实施例中，编程脉冲被施加到电阻式存储器单元，并且多个后脉冲在从编程脉冲的施加完成时的时间点起的弛豫时间之后的时间点被施加到电阻式存储器单元，所述多个后脉冲具有顺序增大的电压电平。电阻式存储器装置的编程速度和/或性能可以通过使用具有顺序增大的电压电平的所述多个后脉冲加速电阻式存储器单元的电阻漂移来得以提高。
电阻存储器装置及其编程方法

[发明专利]存储装置-CN201910841638.0在审
发明人： 郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器芯片和一种存储装置。所述存储装置包括第一存储器芯片，第一存储器芯片包括：第一输入焊盘，其配置为接收第一输入信号；第一初始化电路，其配置为产生第一初始化信号；第一输入延迟电路，其配置为将所述第一输入信号延迟第一延迟时间以产生第一输出信号；第一输出焊盘，其配置为接收所述第一输出信号并输出所述第一输出信号；第一时钟延迟电路，其配置为将所述第一初始化信号延迟第二延迟时间以产生第一时钟信号；第二时钟延迟电路，其配置为将所述第一时钟信号延迟第三延迟时间以产生第二时钟信号；第一锁存器，其配置为基于所述第一时钟信号存储所述第一输入信号；以及第二锁存器，其配置为基于所述第二时钟信号存储所述第一输入信号。
存储装置

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201410018340.7有效
发明人： 郑凤吉;金炯坤;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：公开了一种存储系统及其操作方法。一种操作包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器的的方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。
存储系统及其操作方法

1
共 15 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top