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[发明专利]一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法-CN202210308140.X在审
发明人：方利;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法。具有一衬底，在上述衬底上具有半导体层、自偏栅介质层以及其上的一主栅结构；自偏栅介质层在左右方向分别水平延伸出主栅结构一个水平延伸部，在水平延伸部具有一高功函数金属层和一低功函数金属层分别构成隧穿晶体管的源极和漏极。本发明将自偏栅与源漏电极直接电学连接起来，自偏栅与源漏电极保持等电势，从而在自偏栅区域引入了静电自掺杂效应。
一种具有结构互补型隧穿晶体管及其制备方法

[发明专利]自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管-CN202211489324.7在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了二维半导体晶体管的轻掺杂漏(LDD)的制备方法及二维半导体晶体管，该方法包括：提供基底；形成半导体材料层；形成栅结构；进行第一次表面改性处理；形成第一固态活性源金属层和第一常规金属层；进行第一次退火处理，得到第一二维半金属材料层；形成栅结构的侧墙；进行第二次表面改性处理；形成第二固态活性源金属层和第二常规金属层；进行第二次退火处理，得到金属原子浓度大于第一二维半金属材料层的第二二维半金属材料层，光刻自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括第二固态活性源金属层、第二常规金属层、第二二维半金属材料层和第一二维半金属材料层。该方法能够实现二维半导体轻掺杂漏结构的自对准工艺，兼容半导体加工工艺。
对准二维半导体掺杂制备方法晶体管

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201910711187.9有效
发明人：梁世博;樊晨炜;邱晨光;孟令款 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管及其制造方法，该晶体管的制造方法包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；以及在碳纳米管上形成电接触，其中，形成电接触的步骤包括：采用电镀工艺在碳纳米管的表面生长导电材料，在电镀过程中，栅叠层结构作为掩模。该制造方法通过将栅叠层结构作为掩模，并采用电镀工艺选择性的在碳纳米管表面的源漏区自下而上生长导电材料形成电接触，同时解决了现有技术中由于使用溅射、蒸镀等沉积手段沉积源漏金属时产生的孔洞问题与源漏金属的侧墙沉积问题。
晶体管及其制造方法

[实用新型]一种工程管理桩孔孔径检测器-CN202320003292.9有效
发明人：侯巨龙;严豆豆;赖国振;邱晨光;焦婷 -专利权人：侯巨龙
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01B5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及工程管理技术领域，具体是一种工程管理桩孔孔径检测器，包括：支撑架，所述支撑架顶部安装有固定块，所述固定块之间安装有收卷辊，所述收卷辊一侧安装有转盘，所述收卷辊上缠绕有拉绳；检测组件，所述检测组件设置在拉绳的一端，用于放置在管桩孔内进行检测工作；检测连接组件，所述检测连接组件安装在检测组件一侧，用于进行对管桩的孔径进行检测反馈；该检测器在对管状孔孔径进行检测时，利用转盘上的检测组件对桩孔孔径进行检测，当桩孔孔径发生变化时，通过与检测组件连接的检测连接组件对桩孔孔径的变化进行记录，从而完成桩孔内部各位置的孔径测量。
一种工程管理孔径检测器

[实用新型]一种建筑工程施工除尘器-CN202320004183.9有效
发明人：李江文;邱晨光;张天庆;杨立英;肖金雄 -专利权人： 邱晨光
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01D47/08 文献下载
摘要：本实用新型适用于建筑施工用设备领域，提供了一种建筑工程施工除尘器，包括箱体，箱体外侧设置有多个滚轮，还包括：筒体，箱体顶部开设有安装孔，筒体转动连接在安装孔内，筒体内设置有气体增压泵，气体增压泵输出端固定连接有贯穿筒体侧壁的输送管，输送管另一端位于箱体内，输送管上设置有气体单向阀；喷水单元，喷水单元包括固定连接在箱体上的且沿竖直方向设置的多个排水管，排水管位于箱体外部的一端固定连接有喷嘴，所述喷嘴沿筒体的切线方向设置；所述箱体底部转动连接有底块，箱体侧面固定连接有升降组件，所述滚轮设置在升降组件上。其有益效果是：本除尘器有效利用喷水的推动作用，在简化结构的基础上，也实现了相应地功能。
一种建筑工程施工除尘器

[发明专利]二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管-CN202211489954.4在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管，该方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成栅极结构；形成赝栅极侧墙，包围栅极结构的侧壁；对二维半导体材料层的表面进行表面改性处理，在二维半导体材料的表面上形成固态活性源金属层；在固态活性源金属层上形成常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层；光刻固态活性源金属层和常规金属层，自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括固态活性源金属层、常规金属层和二维半金属/金属材料层。该方法能够降低接触电阻，减少器件区面积，提高集成度和性能，实现针对二维半导体材料器件的源漏自对准工艺。
二维半导体晶体管对准图形方法

[发明专利]具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法-CN202211490001.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料。
具有钇替位掺杂二维硒化铟半金属金属材料制备方法

[发明专利]具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及制备方法-CN202310097037.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有自对准的源漏掺杂的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，所述二维多桥沟道晶体管包括基底和设置在所述基底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括设置在所述基底上栅金属层，环绕所述第一栅金属层而设置的第一高k栅介质层，环绕所述第一高k栅介质层的侧面而设置的低k栅介质层，设置在所述高k栅介质层和所述低k栅介质层上的二维半导体材料层，其中部分所述二维半导体材料被固态源掺杂源诱导相变成二维半金属/金属材料层。根据本发明的二维多桥沟道晶体管及其制备方法，降低了源漏接触电阻，实现了兼容于二维半导体集成电路的低k侧墙工艺，降低了寄生，提高了晶体管的速度。
具有对准掺杂二维沟道晶体管制备方法

[发明专利]基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管-CN202211489343.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。
基于二维半导体固态掺杂方法晶体管

[发明专利]高集成度选通忆阻器及其制备方法-CN202211509885.9在审
发明人：段瑞斌;邱晨光;孟德欢 -专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度选通忆阻器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，该选通忆阻器包括一MOSFET晶体管和一铁电隧道结，MOSFET晶体管和铁电隧道结均包括第一共用电极、第二共用电极、共用半导体层、第一石墨烯层和第二石墨烯层。本申请提供的高集成度选通忆阻器及其制备方法，将MOSFET晶体管和铁电隧道结结合，具有抑制交叉开关矩阵阵列的旁路电流的能力；同时，将MOSFET和铁电隧道结混合，具有高开关速度、非易失性、低功耗、高可扩展性以及与CMOS工艺相兼容等特点；此外，高集成度选通忆阻器及其制备方法省略MOSFET晶体管的源金属电极，直接将MOSFET晶体管的半导体源端扩展部分作为铁电隧道结的一端，能够充分实现1T1R存储功能，大大提高了器件的集成度。
集成度选通忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种微波等离子体去胶设备-CN202110331633.0有效
发明人：万军;邱晨光;张志勇;蔡晋辉;刘依婷;乔瓛 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波等离子体去胶设备，包括微波装置、去胶装置、机架，进气法兰、抽气法兰、真空计，所述微波装置包括微波模块、微波屏蔽罩、石英腔，所述去胶装置包括主腔体、转接装置、高密金属网组合件、加热盘、腔门，腔门通过铰链与主腔体相连，主腔体固定在机架上，微波模块与微波屏蔽罩相连，石英腔位于微波屏蔽罩内，通过法兰固定在主腔体上表面，转接装置与石英腔通过法兰相连，进气法兰位于微波屏蔽罩上表面，抽气法兰位于主腔体下表面。将样品放置于加热盘上，关闭腔门，抽真空，充入气体，进行微波等离子体去胶，可根据样品胶量的多少调节到达样品表面的等离子体强度，低损伤、去胶效率高。
一种微波等离子体设备

[发明专利]一种铁电超晶格多值存储器件及其制作方法-CN202210765689.1在审
发明人：段瑞斌;邱晨光 -专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电超晶格多值存储器及其制作方法，包括一衬底，在衬底上具有源极、漏极以及由源极和漏极组成的栅窗口；在栅窗口中具有铁电超晶格结构，铁电超晶格结构由多层铁电层和沟道层组成，源极和漏极与铁电超晶格结构为端式接触；铁电超晶格结构上具有栅介质层，栅介质层上具有栅极。本发明通过采用二维铁电超晶格实现的多值存储器，实现了多值存储器，提高数据的运算效率，进而实现数据的高密度存储，具有广泛的应用前景。
一种铁电超晶格存储器件及其制作方法

[发明专利]一种碳纳米管熔丝器件及其制备方法-CN202210325691.7有效
发明人：李雪娉;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管熔丝器件及其制备方法。本发明的碳纳米管熔丝器件在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅形成三端结构，通过金属栅到沟道的隧穿电流来烧断沟道。利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储器件的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。本发明提供的碳纳米管熔丝器件可将编程电压降低到5V左右，同时可降低编程电流，实现温和低功耗。此外，还可以同时作为熔丝和选通管使用，极大地节省了芯片面积。
一种纳米管熔丝器件及其制备方法

[发明专利]一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法-CN202210350334.6在审
发明人：李雪娉;邱晨光;彭练矛 -专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日： 2022-04-04 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法。本发明的反馈式两端熔丝存储单元在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅，并将栅极做在漏极一侧与漏极电连接，在漏端施加一个电压后，会同时产生一个横向的电压VDS和垂直方向的电压VGS，且两个电压大小相等，通过合理设计栅氧化层的厚度，可以使垂直方向上栅极到沟道的烧断先发生。垂直方向上的烧断是通过栅极到沟道的隧穿电流来实现的，该设计可以降低编程电压和编程电流，并实现温和低功耗。本发明利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储单元的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。
一种反馈两端存储单元及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯熔丝器件及其制备方法-CN202210245614.0在审
发明人：李雪娉;邱晨光;彭练矛 -专利权人：湘潭大学;北京元芯碳基集成电路研究院
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的新型熔丝器件及其制备方法。本发明基于石墨烯的新型熔丝在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅形成三端结构，通过金属栅到沟道的隧穿电流来烧断沟道。利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储器件的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。本发明提供的石墨烯熔丝器件可将编程电压降低到4V左右，同时可降低编程电流，实现温和低功耗。
一种石墨烯熔丝器件及其制备方法

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