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[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202210759224.5在审
发明人：江子昂;林群能;连建洲;陈玠玮;叶明熙;王伯原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制作方法，包括：形成至少一鳍状物于基板上；形成多个虚置栅极于至少一鳍状物上；并形成侧壁间隔物于虚置栅极上。外延形成源极与漏极区以接触至少一鳍状物并与虚置栅极横向相邻，其中形成源极与漏极区的步骤留下孔洞于源极与漏极区之下并与虚置栅极相邻。将虚置栅极置换成多个主动栅极，且主动栅极各自具有栅极介电层位于侧壁间隔物上，以及栅极位于栅极介电层上。形成图案化层以露出主动栅极的选定的主动栅极。进行第一蚀刻以移除选定的主动栅极的栅极的露出部分。在第一蚀刻之后进行第二蚀刻，以移除选定的主动栅极的栅极介电层的露出部分。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体结构及用于半导体工艺的方法-CN201910333983.3有效
发明人： 连建洲;陈立民;杨能杰;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。
半导体结构用于工艺方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202111106377.1在审
发明人： 连建洲;林群能;江子昂;王伯原;叶明熙;陈玠玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括形成一栅极沟槽于一半导体鳍部上，栅极沟槽包括一上部及一下部。上述方法包括依序形成一或多个功函数层、一盖层及一胶层于栅极沟槽上。胶层包括一第一子层及一第二子层，两者对于一蚀刻液具有各自不同的蚀刻速率。上述方法包括去除第二子层，同时留下第一子层的一第一部填充于栅极沟槽的下部。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110362187.X在审
发明人：陈玠玮;连建洲;江子昂;林群能;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法：包括沉积第一功函数层于栅极介电层上；形成第一硬遮罩层于第一功函数层上；形成光阻遮罩于第一硬遮罩层上，其中形成光阻遮罩的步骤包括沉积底抗反射涂层于第一硬遮罩层上；蚀刻底抗反射涂层的一部分；采用底抗反射涂层作为遮罩，蚀刻第一硬遮罩层的一部分；蚀刻第一功函数层的一部分，并经由第一硬遮罩层与第一功函数层露出栅极介电层的一部分；移除第一硬遮罩层；以及沉积第二功函数层于第一功函数层与栅极介电层的部分上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110390184.7在审
发明人：林群能;连建洲;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含半导体鳍状物。半导体装置包含在半导体鳍状物上方的栅极间隔物，栅极间隔物的下部围绕第一区域，并且栅极间隔物的上部围绕第二区域。半导体装置包含在第一区域内的栅极介电质。半导体装置包含在第一区域内的金属栅极。半导体装置包含与栅极介电质接触的介电保护层，介电保护层包含在第二区域内的第一部分以及内衬金属栅极的顶表面的第二部分。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110162996.6在审
发明人：江子昂;连建洲;陈玠玮;王伯原;林群能;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成栅极沟槽于半导体鳍状物上。栅极沟槽包括多个第一栅极间隔物所围绕的上侧部分，与多个第二栅极间隔物及第一栅极间隔物所围绕的下侧部分。方法包括形成金属栅极于栅极沟槽的下侧部分中。金属栅极位于栅极介电层的第一部分上。方法包括沉积金属材料于栅极沟槽中，以形成栅极于栅极沟槽的下侧部分中的金属栅极上，且栅极介电层的第二部分维持覆盖第一栅极间隔物的侧壁与第二栅极间隔物的上表面。方法包括移除栅极介电层的第二部分，而栅极维持实质上完整。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法与蚀刻溶液-CN202110048003.2在审
发明人： 连建洲;林群能;陈玠玮;江子昂;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置的制造方法与蚀刻溶液。在图案化介电层(如高介电常数的栅极介电层)上的金属层(如p型金属功函数层)的湿蚀刻工艺中，可采用抑制剂以增加湿蚀刻溶液对金属层与对介电层之间的选择性。这些抑制剂可包括磷酸、羧酸、胺基酸、或羟基。
半导体装置制造方法蚀刻溶液

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110136219.4在审
发明人： 连建洲;林群能;叶明熙;陈玠玮;江子昂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属层，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属。
半导体装置形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN202010180124.8在审
发明人： 连建洲;林群能;陈玠玮;江子昂;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：用电介质材料围绕设置在鳍上方的虚设栅极；通过去除虚设栅极并通过去除沿虚设栅极的侧壁设置的第一栅极间隔件的上部来在电介质材料中形成栅极沟槽，该栅极沟槽包括位于第一栅极间隔件的剩余下部之间的下沟槽，并且包括位于下沟槽上方的上沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、功函数层和胶层；从上沟槽中去除胶层和功函数层；在去除之后，用栅极电极材料填充栅极沟槽；以及从上沟槽中去除栅极电极材料，栅极电极材料的剩余部分形成栅极电极。
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]一种化学溶液和形成半导体器件的方法-CN201711349012.5有效
发明人：陈立民;黄国彬;杨能杰;吴嘉伟;连建洲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种方法包括形成三层。三层包括底层；位于底层上方的中间层；以及位于中间层上方的顶层。顶层包括光刻胶。该方法还包括去除顶层；并使用化学溶液去除中间层。该化学溶液不含氢氧化钾(KOH)，并且包括季铵碱和氟代季铵盐中的至少一种。本发明实施例涉及一种化学溶液和形成半导体器件的方法。
一种化学溶液形成半导体器件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN201911367885.8在审
发明人：陈玠玮;连建洲;林群能;江子昂;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构被电介质层围绕；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替代第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，替代包括：移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第二凹槽中的栅极电介质层上方依次形成N型功函数层和帽盖层，而不在第一凹槽中形成；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN201910185703.9在审
发明人： 连建洲;陈立民;杨能杰;叶明熙;林舜武;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：采用蚀刻剂移除半导体材料。在一些实施例中，将氧化剂添加到蚀刻剂中，以与周围的半导体材料反应并形成保护层。使用保护层有助于避免蚀刻剂中的其它成分造成的损伤。
蚀刻剂半导体材料保护层氧化剂半导体装置移除损伤

[发明专利]半导体器件和方法-CN201810072812.5在审
发明人：许耀文;连建洲;杨能杰;吴嘉伟;陈冠霖;黄国彬;陈立民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件和方法。一种制造半导体器件的方法包括把材料暴露于半水刻蚀溶液。该半水刻蚀溶液包括溶剂，该溶剂与该材料螯合并在促刻蚀剂与该材料之间用作催化剂。这样，可以用促刻蚀剂来移除该材料。
半导体器件刻蚀溶液刻蚀剂溶剂材料暴露移除催化剂合并申请制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711296405.4在审
发明人： 连建洲;许耀文;杨能杰;陈立民;吴嘉伟;陈冠霖;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的制造方法。在中间层的图案化后，移除中间层。为了减少或防止由于中间层及中介层的图案化而暴露的其它下层的损害，于蚀刻工艺中包含抑制剂以抑制从下层移除的材料的量。
中间层半导体装置图案化移除下层蚀刻工艺抑制剂中介层制造暴露损害

[发明专利]用于半导体器件制造的系统和方法-CN201810161978.4在审
发明人：许耀文;连建洲;杨能杰;陈冠霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了用于半导体器件制造的系统和方法。用于去除含碳硅材料(例如等离子体残留物)或含氮硅材料(例如等离子体残留物)的半水性湿法清洁系统和方法包括羟基封端的有机化合物、二醇和氟离子供体材料。该系统被配置为在干法蚀刻后的湿法清洁期间保护氧化硅和非晶硅。该湿法清洁系统被配置为选择性地去除含碳或含氮的等离子体残留物。该湿法清洁系统的pH值可以被修改以调整用于去除含碳或含氮等离子体残留物的选择性。结果，可以实现小于约3纳米的正TEOS凹陷。此外，该湿法清洁系统可以被改变用于回收和后续的再利用。
湿法清洁等离子体去除半导体器件制造含氮等离子体有机化合物干法蚀刻供体材料清洁系统水性湿法非晶硅氟离子含碳硅氧化硅再利用凹陷氮硅羟基配置回收

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