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[发明专利]半导体封装件-CN202010516134.4在审
发明人：宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;松原宽明;作元祥太朗 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的层叠型半导体封装件具有：第一电路基板；在第一电路基板上安装第一半导体元件而形成的第一半导体封装件；第二电路基板；在第二电路基板上安装第二半导体元件而形成的第二半导体封装件，第二半导体封装件层叠于第一半导体封装件；密封树脂，用于密封第一半导体；导电层，以与密封树脂相接的方式配置；以及散热通孔，与导电层相连接，并配置在第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体-CN201510896754.4有效
发明人：松原宽明;岩崎俊宽;近井智哉;石堂仁则;渡边真司;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装体包括：支撑板(12)，其包含软磁性材料；第1绝缘材料层(13)，其形成在支撑板上；非易失性磁存储元件(11)，其与元件电路面相反侧的面附着固定在第1绝缘材料层上；第2绝缘材料层(14)，其密封非易失性磁存储元件及其周边；布线层(15)，其设置在第2绝缘材料层内；软磁性体层(15b或25)，其包含设置在第2绝缘材料层内的软磁性材料；导电部(16)，其设置在第2绝缘材料层内，将非易失性磁存储元件的元件电路面的电极与布线层连接；磁屏蔽部件(17)，其包含以与非易失性磁存储元件侧面隔着间隔包围非易失性磁存储元件侧面的一部分或全部的方式按壁状配置的软磁性材料，软磁性体层与上述磁屏蔽部件磁连接。
非易失性磁存储元件屏蔽封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910715828.8在审
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置及其制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体芯片半导体晶片绝缘树脂层绝缘层开口部掩埋导电性材料研磨电极布线半导体元件半导体装置电极电连接间隙形成电连接对置凸块制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510558038.5有效
发明人：松原宽明;近井智哉;石堂仁则;中村卓;本多广一;出町浩;熊谷欣一;作元祥太朗;渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;宫腰武;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201510319756.7有效
发明人：本多广一;渡边真司;岩崎俊宽;石堂仁则;丹羽康一郎;宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;作元祥太朗;松原宽明 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装件及其制造方法，目的在于实现散热特性优异、可靠性高的半导体封装件。半导体封装件包括：支撑基板、经由粘结材料粘结于上述支撑基板的表面的半导体器件、覆盖上述半导体器件的绝缘层、以及贯通上述绝缘层而将上述半导体器件与外部端子连接的布线，其特征在于，在上述支撑基板的背面侧设置有到达上述半导体器件的第一开口部。上述粘结材料也可以构成上述第一开口部的一部分。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201510412404.6有效
发明人：渡边真司;细山田澄和;中村慎吾;出町浩;宫腰武;近井智哉;石堂仁则;松原宽明;中村卓;本多广一;熊谷欣一;作元祥太朗;岩崎俊宽;玉川道昭 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体封装件，能够减少层叠型半导体封装件中从下侧芯片向上侧芯片的传热。提供一种半导体封装件，具有：第一半导体封装件，包含第一电路基板和安装于第一电路基板的第一半导体元件；第二半导体封装件，包含第二电路基板和安装于第二电路基板的第二半导体元件，第二半导体封装件与第一半导体封装件层叠；以及导热材料，配置在第一半导体元件上和第一半导体元件周边的第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]布线结构、印刷基板、半导体装置以及布线结构的制造方法-CN201710108682.1在审
发明人：松原宽明;近井智哉;林直毅;岩崎俊宽 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供布线结构、印刷基板、半导体装置以及布线结构的制造方法。该布线结构，以不妨碍信号线等的微细化、也不使膜厚增大的方式使电流量大的布线图案的容许电流增大。该布线结构具备树脂层(1)和形成于所述树脂层(1)的布线(3)，所述树脂层(1)在形成布线的区域内具有多条平行的槽(2)，所述布线(3)由在所述形成布线的区域内的树脂层表面(1a)和所述多条槽的内壁面(1b)形成的镀膜构成。
布线结构印刷半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210397451.4有效
发明人：泽地茂典;山方修武;井上广司;板仓悟;近井智哉;堀将彦;胜又章夫 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括半导体元件；支撑基板；用于密封半导体元件及其周边的绝缘材料层；在绝缘材料层中提供的金属薄膜布线层，其一部分暴露在外表面上；以及在绝缘材料层中提供并电连接到金属薄膜布线层的金属过孔，其中提供多个半导体元件，并且各半导体元件通过绝缘材料层叠以便每个半导体元件的电路表面面向金属薄膜布线层，以及每个半导体元件的电极衬垫被暴露而没有被层叠在其上的半导体元件隐藏，并电连接到金属薄膜布线层。可以更小和更薄的尺寸制造半导体器件，而且通过使得多个半导体芯片成为垂直层叠结构可以减少制造步骤的数目。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201510131896.1在审
发明人：宫腰武;细山田澄和;熊谷欣一;近井智哉;中村慎吾;松原宽明;作元祥太朗 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的层叠型半导体封装件具有：第一电路基板；在第一电路基板上安装第一半导体元件而形成的第一半导体封装件；第二电路基板；在第二电路基板上安装第二半导体元件而形成的第二半导体封装件，第二半导体封装件层叠于第一半导体封装件；密封树脂，用于密封第一半导体；导电层，以与密封树脂相接的方式配置；以及散热通孔，与导电层相连接，并配置在第一电路基板上。
半导体封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110061664.5有效
发明人：丸谷尚一;岩见康成;近井智哉;高桥知子;山方修武;三次真吾;陈崇浩 -专利权人：株式会社吉帝伟士
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种提高在半导体元件上形成的布线的连接性的合格率、且在支持板上安装半导体元件时无需高精度的半导体装置及其制造方法。半导体装置的特征在于具备：支持板；载置在支持板上并具有形成了多个第一电极的电路元件面的半导体元件；覆盖半导体元件的电路元件面并具有将多个第一电极露出的多个第一开口的第一绝缘层；覆盖形成有第一绝缘层的半导体元件的侧部和支持板的上部的第二绝缘层；和与第二绝缘层的上部和第一绝缘层相接触地形成并与多个第一电极电连接的布线层。根据本发明的半导体装置的制造方法，可以制造减轻热应力导致的支持板翘曲、提高布线连接性的合格率、且无需在开口形成时所要求的半导体元件的高安装精度的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

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