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[发明专利]鉴定干细胞群代次的方法及标志物-CN202310572331.1有效
发明人：丁燕飞;何成章;赵简;涂君武;邓钰蕾;王瑛;周晓洁;曲悦荧 -专利权人：上海科技大学;上海交通大学医学院附属瑞金医院;中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G16B40/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种鉴定任一批次干细胞群代次的方法及标志物。本申请中，干细胞群代次鉴定的方法开创性地采用SR‑FTIR技术，并进一步通过建立相关数学模型，建立干细胞红外光谱与干细胞生理状态的相关性，可用于快速获得干细胞质量的可标准化信息，为相关疾病干细胞治疗提供了临床应用所需的质量评价手段。本申请中还发现了细胞蛋白质、脂质对应特征区域的SR‑FTIR光谱与干细胞生理状态的相关性，为后续开发快速采集SR‑FTIR的细胞特征光谱仪用于干细胞生理状态评估及代次鉴定与确认提供依据提供基础与保障。
鉴定干细胞群代次方法标志

[发明专利]基于CRISPR荧光法的犀牛核酸快速检测方法及检测试剂盒-CN202211120428.0在审
发明人：王瑛;蔡一村;张冲;陈立军;张梦琪;林颖峥;冯之航;薛俊欣;王艳;熊炜;张强;赵简;潘良文 -专利权人：上海海关动植物与食品检验检疫技术中心;上海科技大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C12Q1/6844 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CRISPR荧光法的犀牛核酸快速检测试剂盒，包括适用于犀牛快速核酸检测的CRISPR荧光检测体系，所述CRISPR荧光检测体系包括：针对犀牛线粒体基因上靶序列的特异性crRNA；高效等温扩增引物组合；CRISPR‑Cas12a蛋白；以及单链DNA报告系统。本发明还公开了基于CRISPR荧光法的犀牛核酸快速方法，以及一套用于犀牛特异性核酸检测的Cas12a反应体系和特异性crRNA，方便用于现场动物源性成分的快速检测鉴定。本发明首次采用Cas12a荧光法特异性检测犀牛核酸，具有灵敏度较高、特异性强、用时短、操作难度低、不依赖大型实验仪器和昂贵试剂等优势，其检测结果既可利用酶标仪荧光检测，也可在荧光灯下进行肉眼直接判读。
基于 crispr 荧光犀牛核酸快速检测方法试剂盒

[发明专利]一种δ阿片受体拮抗剂及其用途和药物组合物-CN201711292431.X有效
发明人：陈力;赵简 -专利权人：苏州远智医药科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C07D211/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有通式(Ⅰ)所示结构的化合物，其可药用盐、水合物或以任何形式代谢形成的代谢产物；通式(Ⅰ)所示结构的化合物在预防和/或治疗与阿尔茨海默相关的疾病和症状中的用途；包含有通式(Ⅰ)所示结构的化合物的预防和/或治疗与阿尔茨海默相关的疾病和症状的药物组合物；与现有技术相比，本发明的δ阿片受体拮抗剂同时具有理想的药物半衰期与优良的阿尔茨海默相关疾病治疗活性，是与现有化合物相比更为理想的阿尔茨海默相关疾病药物。
一种阿片受体拮抗剂及其用途药物组合

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201611110258.2有效
发明人：赵简;赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域衬底和第二区域衬底上形成介质层，所述第一区域介质层中具有第一开口，所述第二区域介质层中具有第二开口；在所述第一开口和第二开口底部的衬底上形成初始功函数层；在所述第二区域的初始功函数层上形成抗反射涂层和位于所述抗反射涂层上的保护层；以所述抗反射涂层和所述保护层为掩膜刻蚀所述初始功函数层，去除所述第二区域的初始功函数层，形成功函数层；去除所述第二区域的初始功函数层之后，去除所述保护层和抗反射涂层。所述形成方法能够增加所述抗反射涂层的去除效率，减少残余的抗反射涂层材料对所形成半导体结构的影响。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310190257.3有效
发明人：曹轶宾;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层，其中，缓冲层由不含氮元素的介电抗反射涂层构成，且所述介电抗反射涂层的构成材料的含氧量小于SiO
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201510418474.2有效
发明人：赵简;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的第一栅极和第二栅极的前端器件，第一栅极的宽度大于第二栅极的宽度，第一栅极上形成有硬掩膜层；在第一栅极、第二栅极和半导体衬底上形成底部抗反射涂层；在底部抗反射涂层上形成暴露出第一栅极上方的底部抗反射涂层的光刻胶掩膜层；进行刻蚀工艺以去除第一栅极上方未被光刻胶掩膜层覆盖的底部抗反射涂层和第一栅极上方的硬掩膜层；去除底部抗反射涂层和光刻胶掩膜层；沉积层间介电层。根据本发明的方法，有效避免了较宽的栅极上的氮化硅的残留和碟形凹陷，抛光后层间介电层的表面平坦性好，提高了器件的性能和良率。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种乙炔双羰基化制备丁二酸酯的方法-CN201910860411.0在审
发明人：杨先贵;赵简;李建国;孙腾;李子健;王公应 -专利权人：中国科学院成都有机化学有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C07C67/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙炔双羰基化制备丁二酸酯的方法，以乙炔、一氧化碳和醇类化合物为原料在溶剂中经催化剂催化进行双羰基化反应得到丁二酸酯类化合物；其中催化剂由钯化合物、卤化锂/酸助剂和氮氧配体组成，氮氧配体为2‑羟基吡啶、3‑羟基吡啶和2‑吡啶甲酸中的一种或多种，催化剂的用量为反应体系总重量的0.0001‑1.0％；反应体系中，乙炔与醇类化合物的摩尔比为1:2‑16，醇类化合物与溶剂的摩尔比为1:7‑35。本发明提供的乙炔双羰基化合成丁二酸酯的方法，能够实现一锅法生产丁二酸酯类化合物，工艺简单，工业化装置投资成本低；且生产过程的反应条件温和，催化剂催化活性强，稳定性高，使用寿命高，收率可达90％以上，具有更高的技术竞争优势。
乙炔丁二酸酯催化剂醇类化合物氮氧配体类化合物羟基吡啶摩尔比羰基化溶剂工业化装置羰基化反应催化活性反应条件技术竞争生产过程使用寿命吡啶甲酸钯化合物一氧化碳卤化锂酸助剂一锅法收率制备催化合成投资生产

[发明专利]减弱BACE1和PS1相互作用的物质在制备治疗阿尔茨海默症的组合物中的用途-CN201410673701.1有效
发明人：裴钢;赵简;崔进;王海波;王欣;谢欣 -专利权人：中国科学院上海生命科学研究院
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： A61K31/56 文献下载
摘要：本发明涉及减弱BACE1和PS1相互作用的物质在制备治疗阿尔茨海默症的组合物中的用途。首次揭示减弱BACE1和PS1间相互作用的物质是一类对BACE1和γ‑分泌酶的活性没有影响但能特异性抑制Aβ产生的新型分泌酶调节剂，可作为抗阿尔茨海默症类药物。
减弱 bace1 ps1 相互作用物质制备治疗阿尔茨海默症组合中的用途

[发明专利]一种用于接触孔对位的对位标记及其形成方法-CN201410431192.1有效
发明人：赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种用于接触孔对位的对位标记及其形成方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于接触孔对位的对位标记的形成方法，包括在半导体衬底的拟形成用于接触孔对位的对位标记的区域的两侧形成浅沟槽隔离以及在半导体衬底的拟形成用于接触孔对位的对位标记的区域形成与所述半导体衬底具有相同的材料的对位标记的步骤，因此可以提高对位标记的有效厚度，从而提高对位质量。本发明的用于接触孔对位的对位标记，由于与半导体衬底具有相同的材料，并且在半导体衬底内位于对位标记两侧的区域形成有浅沟槽隔离，因此，可以提高对位标记的有效厚度，提高对位质量。
一种用于接触对位标记及其形成方法

[发明专利]一种改进半导体器件工艺窗口的方法-CN201310242416.X有效
发明人：彭冰清;宋兴华;赵简;白凡飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进半导体器件工艺窗口的方法，所述方法至少包括：1）设定第一目标轮廓图案，根据所述第一目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述第一目标轮廓图案；2）设定最终目标轮廓图案，根据所述最终目标轮廓图案设定掩膜版，执行光学临近修正步骤，得到所述最终目标轮廓图案；其中，所述最终目标轮廓图案呈正方形或者圆形。本发明改变了现有技术中仅包含一个步骤进行光学临近校正的方法，所述方法包括至少两个步骤，通过所述方法得到的最后目标轮廓为正方形或者圆形，相对于现有技术器件的工艺窗口性能更加优异，器件性能提高，所述方法可以用于通孔或者接触孔的蚀刻，但是并不局限于通孔或者接触孔。
目标轮廓图案半导体器件工艺光学临近修正图案设定接触孔掩膜版通孔蚀刻工艺窗口技术器件器件性能校正改进局限

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201410260442.X有效
发明人：熊世伟;赵简;邵群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片结构；在所述半导体衬底和所述鳍片结构上沉积形成栅极材料层，其中所述栅极材料层的表面形成有多个凸起；在所述栅极材料层上沉积形成牺牲材料层；执行第一化学机械研磨，停止于所述栅极材料层的顶面上，并在相邻凸起间剩余有部分的所述牺牲材料层；执行第二化学机械研磨，以完全去除剩余的所述牺牲材料层。根据本发明的方法，可有效的监控研磨终点实现更好的对栅极材料层厚度的控制，同时改善了栅极材料层表面的平整度，避免台阶高度的出现，进而提高了器件的性能和良率。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种通过扩增16S rDNA保守区序列检测细菌的方法-CN201811631519.4在审
发明人：赵简;雷颖;白志慧;张守梅 -专利权人：同济大学;上海思济细胞技术中心（有限合伙）
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C12Q1/6851 文献下载
摘要：一种通过扩增16S rDNA保守区序列检测细菌的方法，利用RT‑PCR方法扩增细菌16S rDNA的保守区序列，标准品为含有16S rDNA部分保守区序列的pUC57质粒，在PCR反应体系中含有200nM正向引物，200nM反向引物，再加入适量模板，通过含有16S rDNA部分保守区序列的pUC57质粒建立标准曲线，再根据待检测样本的CT值来计算细菌的浓度。本发明方法在阈值设定在10000时，待检测样本CT值<35，且Tm在83.6℃‑85℃之间为细菌污染，能检测的大肠杆菌浓度极限在3‑33cfu/μl之间，能检测的DNA拷贝数极限在1.6×10²copies左右，2h即可得出结果。
保守区序列细菌扩增待检测样本标准曲线反向引物正向引物阈值设定标准品检测

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410513667.1有效
发明人：吴磊;倪景华;潘周君;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括I/O器件区域，所述I/O器件区域包括第一有源区和第一隔离结构；对所述第一隔离结构进行刻蚀处理，减小所述第一隔离结构的厚度，从而使所述第一隔离结构上表面与所述第一有源区上表面的高度差减小；在所述第一有源区上形成I/O介质层。所述半导体器件的形成方法提高半导体器件的性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]金属栅制备方法-CN201510061913.9有效
发明人：赵简;曹轶宾;王杭萍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，具体提供了一种金属栅制备方法，本发明是基于gate last的一种HKMG制备工艺，通过减薄其中一器件区的样本栅并在其顶部制备硬掩膜层，之后在其他器件区制备金属栅并进行研磨时，硬掩膜层可有效起到保护其下方的样本栅免受损伤，进而提高了研磨后器件表面的均匀性。
金属制备方法

[发明专利]一种PSM对准标记结构的制备方法-CN201510061273.1有效
发明人：赵简;邵群;王杭萍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种PSM对准标记结构的制备方法，通过于浅沟槽隔离结构上方设置样本栅，在该样本栅的顶部制备掩膜堆叠，且在高介电常数金属栅极的工艺中，由于浅沟槽隔离结构和有源区的台阶高度使得部分该掩膜堆叠得以保留，并籍由位于该样本栅之上的残留的掩膜堆叠保障第二样本栅在研磨过程中免受损伤，从而使得该样本栅的厚度得以完整保留，进而提高了接触孔与金属栅的对准质量，且该工艺简单方便，与传统工艺的兼容性强，具有很强的实用性。
一种 psm 对准标记结构制备方法

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