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[实用新型]一种延迟真空熔炼炉观察窗模糊的装置-CN201520937572.2有效
发明人：赵文天;吴旭科;赵文魁 -专利权人：宁波远大成立科技股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： F27B14/08 文献下载
摘要：一种延迟真空熔炼炉观察窗模糊的装置，包括底座，该底座中心设置一由电机驱动的传动轴，该传动轴远离电机的一端设置挡板，该挡板径向设置多条细缝，所述传动轴一侧设置观察口，该观察口上设置玻璃，其特征在于：所述玻璃下方侧壁设置一细管连接至氩气气源，从该氩气气源起细管上依次设置减压阀，微调阀；本实用新型的优点是延长了熔炼炉观察窗玻璃的可视时间，降低了维护成本。
一种延迟真空熔炼炉观察窗模糊装置

[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法-CN201410478428.7在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，该射频横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：基板，基板上形成有栅极；侧壁，侧壁位于栅极的两侧面，侧壁背离栅极的一边呈弧形，且侧壁的底部大于侧壁的顶部；隔离氧化层，形成于基板、侧壁和栅极上；场板层，形成于隔离氧化层上。根据本发明的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，由于在栅极两侧形成侧壁，使得栅极两侧为斜坡形貌，对场板层的刻蚀变得相对容易，可以减少不需要的场板层的残留，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的良品率。
射频横向扩散金属氧化物半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件-CN201410461146.6在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层、位于外延层中的器件区和位于所述外延层表面的下沉层，其中：衬底中与外延层相接触且正对于下沉层的区域设置有埋层，该埋层的杂质浓度高于衬底中的杂质浓度；位于外延层中，围绕下沉层和埋层外围分别设置有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区分别与第二扩散区和器件区的源区相互接触；其中，所述下沉层、埋层，第一扩散区与第二扩散区中的杂质导电类型相同。本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频-横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201410369581.6在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括如下顺序进行的步骤：在硅衬底的外延层表面依次形成栅氧化层和具有图形的多晶硅层；在1000～1200℃的温度下对所述硅衬底进行氧化，使所述多晶硅层表面形成厚度为的氧化层并且所述多晶硅层的底角部被氧化；在所述外延层内部形成源区，并使所述源区的端部位于所述被氧化的多晶硅层底角部的正下方。本发明所提供的半导体器件的制造方法能够降低半导体器件的栅源寄生电容。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法-CN201410231863.X在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法。本发明在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法，包括：在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅沉积；在多晶硅表面涂覆第一掩膜材料，刻蚀多晶硅后去除第一掩膜材料，以在栅氧表面形成ESD二极管的多晶硅基底；在ESD二极管的多晶硅基底上，涂覆第二掩膜材料，注入N型离子，以形成ESD二极管的N型区，去除第二掩膜材料；在ESD二极管的多晶硅基底上，涂覆第三掩膜材料，注入P型离子，以形成ESD二极管的P型区，去除第三掩膜材料。本发明，通过利用制作沟槽型VDMOS栅极所沉积的多晶硅制作ESD二极管的基底，解决了现有技术中，在沟槽型VDMOS栅极上制作ESD二极管生产周期长，工艺成本高的技术问题。
沟槽 vdmos 制作静电结构方法

[实用新型]半导体器件-CN201520424979.5有效
发明人：闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，该器件包括：基底，基底包括第一水平面和用于容纳通过热氧化方式生成的隔离层的凹槽，凹槽包括第二水平面和第一倾斜面；第二水平面的高度低于第一水平面，第一倾斜面连接于第一水平面和第二水平面之间，第二水平面和第一倾斜面之间的夹角为钝角。本实施例提供的半导体器件，由于基底的第二水平面和第一倾斜面之间的夹角为钝角，因此可以避免后续形成隔离层时形成容易造成其他材料残留的凹坑。
半导体器件

[发明专利]离子注入方法-CN201410042291.0在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法，包括：在半导体表面上形成垫氧化层；采用型号为安智电子材料公司（AZ Electronic Material）MiR700型的光阻胶，在所述垫氧化层的表面上涂布光阻胶层；通过曝光显影，去除预设区域内的所述光阻胶层，并根据预设的离子注入参数，向所述半导体表面进行离子注入。通过本发明提供的离子注入方法，能够有效避免在离子注入过程中造成半导体损伤。
离子注入方法

[发明专利]多晶硅表面处理方法及系统-CN201310439014.9在审
发明人：闻正锋;乐双申;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了半导体制造技术领域中的多晶硅表面处理方法及系统。本发明首先在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层；然后执行去氧化层操作，使得多晶硅达到预设厚度。本发明在电子产品上对多晶硅进一步处理，可以根据需要制造出各种尺寸的多晶硅，极大地提高了电子产品的制造工艺水平，为制造更高集成度的电子芯片提供了可能。
多晶表面处理方法系统

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201310325729.1在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶面上沉积多晶硅层；沉积保护层，保护层覆盖在多晶硅层的顶面上；刻蚀保护层和多晶硅层，形成栅极基体块；形成氧化层，氧化层覆盖栅极基体块和半导体衬底；通过机械化学研磨将氧化层研磨至栅极基体块顶面；去除栅极基体块顶部的保护层；在栅极基体块上形成金属硅化物层。半导体制造方法，通过现在多晶硅层上形成保护层然后再形成氧化层、并通过CMP工艺研磨该氧化层，避免了研磨对多晶硅层造成损坏，从而避免了栅极电阻及开启电压变化，保证了最终形成LDMOS器件性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310306522.X在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的方法包括：1）在衬底上形成垫氧化层；2）在所述垫氧化层上形成具有隔离区图形的阻挡层，且所述隔离区图形能暴露出垫氧化层的表面；3）注入离子，使离子通过隔离区图形暴露出的垫氧化层表面进入衬底；4）热处理，使衬底中的离子横向扩散，形成离子注入层；5）以具有隔离区图形的阻挡层为掩模，刻蚀垫氧化层和离子注入层，使衬底上形成浅槽隔离区；6）在所述衬底的浅槽隔离区内形成场氧化层。本发明方法工艺简单，其在不降低垫氧化层及场氧化层厚度的情况下能够显著减小半导体器件中的鸟嘴长度，从而保证了半导体器件有源区的面积，可广泛应用于MOS制造领域。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种制作VDMOS的方法-CN201310056245.1有效
发明人：闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种制作VDMOS的方法，包括提供一N型衬底，在衬底的第一表面上形成N型外延层；在N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；在场氧化层上刻蚀出有源区，注入N型离子并驱入；在场氧化层上刻蚀出至少一个环区，在每个环区注入P型离子；在有源区和环区上生长栅氧，形成栅氧化层；在N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；在栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，作为VDMOS的栅极；在有源区且在多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；对衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。使用前述方法可以随时调节电压，使用起来较为方便。
一种制作 vdmos 方法

[发明专利]GOI硅片制作方法、GOI硅片及GOI检测方法-CN201310028772.1有效
发明人：马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOI硅片制作方法、GOI硅片，以及一种基于制作的GOI硅片进行GOI检测的方法，其中，GOI硅片制作方法包括：在沟槽型VDMOS制作过程中，形成沟槽以及生长栅氧化层之后，生长一层多晶层；在生长多晶层之后，将金属层掩模板与生长多晶层的硅衬底进行对准，其中，所述金属层掩模板是VDMOS制作过程中形成金属层时采用的掩模板；采用光刻工艺，通过对准后的金属掩模板在生长多晶层的硅衬底上形成至少一个用于GOI检测的图形，形成GOI硅片。采用本发明实施例这里提出的技术方案，能够降低GOI硅片和VDMOS器件之间的误差，准确性较好，并能有效地节省资源，进而能够较好地提高GOI检测结果的准确性。
goi 硅片制作方法检测方法

[发明专利]一种半导体加工方法以及一种半导体结构-CN201310019387.0在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加工方法和一种半导体结构，所述方法包括：采用第一刻蚀方法在衬底上方的第一隔离层上刻蚀出第一结构，所述第一结构为至少一贯穿所述第一隔离层的通孔；采用第二刻蚀方法在所述具有第一结构的第一隔离层的隔离下，对所述衬底进行刻蚀，得到具有第二结构的衬底，所述第二结构为至少一具有开口的袋状中空凹坑；采用第一剥除法将所述第一隔离层从所述具有所述第二结构的衬底上剥除；采用第一氧化法对所述具有第二结构的衬底进行氧化，使所述第二结构形成至少一封闭空腔。采用本发明所提供的方案，使半导体器件的寄生电容大幅减小，提高了所述半导体器件的性能，尤其是在高频电路中应用时的性能。
一种半导体加工方法以及结构

[发明专利]一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体-CN201310013042.4有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;北京北大方正电子有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，用于消除硅基片上的沟槽在进行LOCOS工艺后残留的空隙，提高LDMOS的合格率。本发明公开了一种硅基片，包括：硅基片本体，以及间隔均匀的设置在硅基片本体上的多个沟槽；且多个沟槽的底面积之和与硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积满足以下关系式：S₁/S=0.56，其中，S₁为多个沟槽的底面积之和，S为硅基片本体上多个沟槽所在的面的面积。上述硅基片完成LOCOS工艺后，多个沟槽将由生成的二氧化硅完全填充满，不会留有空隙，从而提高了LDMOS的合格率。
一种硅基片横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法-CN201210550141.1在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法，包括：在完成刻蚀栅氧化层之后的第一区域沟道和第三区域沟道内生长热氧化层，其中，所述第一区域沟道和所述第三区域沟道形成于外延层上；通过对所述第一区域和所述第三区域注入符合第一剂量的第一离子，以形成源区和漏区；往置放有所述半导体器件的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体，以对所述半导体器件进行第一退火处理，使得在形成所述源区和漏区过程中对所述热氧化层造成的损伤得到修复。
一种高频水平扩散结构半导体器件制造方法