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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于弯曲晶圆的传送模块-CN201910553474.1有效
发明人：吴铭栋;谢元智;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。
用于弯曲传送模块

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710293157.1有效
发明人：曹钧涵;陈志明;陈汉誉;王嗣裕;赵兰璘;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于晶圆边缘修整的研磨轮-CN201310020037.6有效
发明人：黄信华;刘丙寅;谢元智;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶圆边缘修整的研磨轮，包括：具有开口侧的头部以及环绕所述头部的开口侧的边缘接合的研磨端。所述研磨端被布置成在所述晶圆边缘修整期间具有环绕晶圆边缘的多个同步触点。
用于边缘修整研磨

[发明专利]晶圆接合工艺和结构-CN201410344902.7有效
发明人：刘丙寅;匡训冲;萧清泰;黄信华;赵兰璘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
接合工艺结构

[发明专利]用于混合晶圆接合的方法-CN201310485415.8有效
发明人：刘丙寅;刘人诚;陈晓萌;黄信华;林宏桦;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。
用于混合接合方法

[发明专利]用于半导体结构的方法和装置-CN201310105508.3有效
发明人：朱立晟;刘丙寅;黄信华;谢元智;赵兰璘;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
用于半导体结构方法装置

[发明专利]混合接合及执行混合接合的设备-CN201310226966.2有效
发明人：刘丙寅;黄信华;黄志辉;赵兰璘;杜友伦;卢彦池;施俊吉;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
混合接合执行设备

[发明专利]用于半导体晶圆的混合接合机制-CN201310046609.8有效
发明人：刘丙寅;陈思莹;王铨中;黄志辉;黄信华;赵兰璘;杜友伦;蔡嘉雄;陈晓萌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本文所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。
用于半导体混合接合机制

[发明专利]将接合的晶圆分离的系统及方法-CN201210465015.6有效
发明人：黄信华;刘丙寅;林宏桦;谢元智;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。
接合分离系统方法

[发明专利]用于半导体晶圆的混合接合系统及方法-CN201210382930.9有效
发明人：刘丙寅;林诗玮;黄信华;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
用于半导体混合接合系统方法

[发明专利]用于背照式图像传感器的装置和方法-CN201210553121.X有效
发明人：陈思莹;王子睿;刘人诚;杨敦年;刘丙寅;赵兰璘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。
用于背照式图像传感器装置方法

[发明专利]三维集成电路结构和用于半导体晶圆的混合接合方法-CN201210359518.5有效
发明人：刘丙寅;黄信华;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。
三维集成电路结构用于半导体混合接合方法

[发明专利]用于图像传感器封装的方法和装置-CN201210269091.X在审
发明人：陈思莹;刘丙寅;赵亦平;王子睿;刘人诚;杨敦年;赵兰璘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了用于封装背照式(BSI)图像传感器或者具有专用集成电路(ASIC)的传感器器件的方法和装置。根据实施例，传感器器件可不使用载具晶圆而与ASIC面对面接合在一起，其中传感器的接合焊盘相对应地以一对一的方式与ASIC的接合焊盘对准。传感器的一列像素可共用通过共用的内金属线连接的接合焊盘。接合焊盘可以具有不同的尺寸并且配置在以相互分离的不同行中。可增加附加的伪焊盘以增强传感器和ASIC之间的接合。本发明还公开了用于图像传感器封装的方法和装置。
用于图像传感器封装方法装置

[发明专利]用于垂直集成的背照式图像传感器的装置-CN201210272395.1有效
发明人：王子睿;陈思莹;刘人诚;杨敦年;刘丙寅;赵兰璘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。
用于垂直集成背照式图像传感器装置

[发明专利]生物传感结构及其形成方法-CN201210194919.X有效
发明人：林宏桦;朱立晟;吴铭栋;谢元智;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。
生物传感结构及其形成方法

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