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[发明专利]GaAs晶体-CN202010644652.4有效
发明人： 谷崎圭祐;并川靖生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
gaas 晶体

[发明专利]GaAs晶体-CN201580038381.5有效
发明人： 谷崎圭祐;并川靖生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
gaas 晶体

[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族氮化物晶体-CN200980127950.8无效
发明人：宫永伦正;水原奈保;谷崎圭祐;佐藤一成;中幡英章;荒川聪;山本喜之;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向<1-100>方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。
氮化物晶体制造方法

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学部件-CN200980125958.0有效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
制造 al sub ga 方法光学部件

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学透镜-CN200980125962.7无效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。
制造 al sub ga 方法光学透镜

[发明专利]Al_xGa_1-xN单晶和电磁波透过体-CN200980119278.8无效
发明人：荒川聪;樱田隆;宫永伦正;谷崎圭祐;水原奈保;佐藤一成;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。
al sub ga 电磁波透过

[发明专利]氮化铝薄膜和氮化铝薄膜的制造方法-CN200980000384.4有效
发明人：佐藤一成;水原奈保;谷崎圭祐;宫永伦正;樱田隆;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
氮化薄膜制造方法

[发明专利]生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体-CN200880012096.6有效
发明人： 谷崎圭祐;水原奈保;宫永伦正;中幡英章;山本喜之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。
生长氮化晶体方法制造

[发明专利]AlN晶体及其生长方法-CN200880003999.8无效
发明人：佐藤一成;水原奈保;谷崎圭祐;宫永伦正;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法能够稳定地生长具有大孔径和厚度的AlN晶体。本发明具体公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法包括准备具有主面(4m)的SiC衬底(4)的步骤，在所述主面(4m)中，管径为1000μm以上的微型管(4mp)的密度为0cm-2，且管径为100μm以上且小于1000μm的微型管(4mp)的密度为0.1cm-2以下；和通过气相淀积在所述主面(4m)上生长AlN晶体(5)的步骤。
aln 晶体及其生长方法

[发明专利]化合物半导体单晶制造装置和制造方法-CN200980000432.X有效
发明人：佐藤一成;水原奈保;谷崎圭祐;宫永伦正;樱田隆;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C30B23/08 文献下载
摘要：一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。
化合物半导体制造装置方法

[发明专利]制造Ⅲ族氮化物晶体的方法-CN200780042700.5无效
发明人：水原奈保;上松康二;宫永伦正;谷崎圭祐;中幡英章;中畑成二;冈久拓司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。
制造氮化物晶体方法

[发明专利]用于生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法以及用于Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长装置-CN200810188586.3有效
发明人：宫永伦正;水原奈保;谷崎圭祐;佐藤一成;竹内久雄;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
用于生长氮化物半导体晶体方法以及装置

[发明专利]金刚石衬底及其制造方法-CN200610071561.6无效
发明人：目黑贵一;谷崎圭祐;难波晓彦;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
金刚石衬底及其制造方法

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