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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件及其操作方法-CN202110476757.8有效
发明人： 谢维哲;许育豪;张智皓;李政宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：一种存储器件包括：多个存储器单元；字线，连接到多个存储器单元中的一个，字线被配置为提供第一WL脉冲，第一WL脉冲具有限定第一WL脉冲的脉冲宽度的上升沿和下降沿；第一跟踪WL，形成为与存储器单元相邻，第一跟踪WL被配置为通过物理地或可操作地耦合到被配置为将逻辑状态写入存储器单元的位线(BL)而提供具有上升沿的第二WL脉冲，上升沿具有减小的斜率；以及第一跟踪BL，被配置为模拟BL，第一跟踪BL耦合到第一跟踪WL，使得基于第二WL脉冲的上升沿的减小的斜率而增加第一WL脉冲的脉冲宽度。本发明的实施例还涉及操作存储器件的方法。
存储器件及其操作方法

[发明专利]电源控制器件、电路以及方法-CN202310146345.7在审
发明人：张智皓;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种电源控制器件，包括第一开关和第二开关。第一开关的第一端子被配置为接收第一电压域中的第一电压信号，第二开关的第一端子被配置为接收不同于第一电压域的第二电压域中的第二电压信号。第二开关的第二端子耦接第一开关的第二端子，控制电路耦接第一开关和第二开关的控制端子。控制电路被配置为响应于第一电压信号的电压电平的降低而接通第一开关。本申请的实施例还涉及电源控制电路以及方法。
电源控制器件电路以及方法

[发明专利]电平位移器-CN201710997126.4有效
发明人：吴尚锜;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种电平位移器，其包括：输入端，其在输入电压域中操作；及输出端，其用于在输出电压域中输出输出信号。所述电平位移器进一步包含反相器电路，所述反相器电路在所述输入电压域中操作用于使输入信号反相以产生经反相的输入信号。所述电平位移器还包含中间电路，所述中间电路在中间电压域中操作用于产生中间信号。输出缓冲器电路至少部分基于所述经反相的输入信号及所述中间信号而产生所述输出信号。
电平位移

[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法-CN201911062996.8有效
发明人： 谢维哲;郑基廷;林洋绪;吴尚锜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
写入辅助电路将位线电压升压方法

[发明专利]具有栅极间隔件结构的场效应晶体管器件-CN202110409830.X在审
发明人： 谢维哲;王俊尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及具有栅极间隔件结构的场效应晶体管器件。提供了一种半导体器件及形成这种半导体器件的方法。根据本公开的方法包括：在衬底之上形成半导体元件，该半导体元件包括沟道区域和源极/漏极区域；在半导体元件的沟道区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧壁之上沉积第一间隔件层；在第一间隔件层之上沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层包括至少一个硅子层和至少一个含氮子层；在沉积第二间隔件层之后，蚀刻半导体元件的源极/漏极区域以形成源极/漏极凹部；以及在蚀刻之后，去除第二间隔件层。
具有栅极间隔结构场效应晶体管器件

[发明专利]功率检测电路、系统以及方法-CN202110227719.9在审
发明人：郭家辰;郑基廷;谢维哲;林洋绪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：提供了一种功率检测电路、系统以及方法。该功率检测电路包括比较电路，该比较电路用于响应于输入信号而产生输出信号。该输出信号配置为响应于输入信号达到第一阈值而从第一值改变为第二值。该输出信号配置为响应于输入信号随后达到第二阈值而从第二值变为第一值。限流电路连接至比较电路，并且可操作以限制比较电路的泄漏电流。
功率检测电路系统以及方法

[发明专利]通过氢处理形成低应力氮化硅层-CN201811318128.7有效
发明人： 谢维哲;黄靖宇;叶昕豪;王俊尧;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种方法，包括：将晶圆放入工艺室中；和在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的工艺包括将含硅前体引入工艺室中；从工艺室清除含硅前体；将氢自由基引入工艺室中；从工艺室清除氢自由基；将含氮前体引入工艺室中；和从工艺室清除含氮前体。本发明实施例涉及通过氢处理形成低应力氮化硅层。
通过处理形成应力氮化

[发明专利]低单元电压电荷共享电路-CN201911353772.2在审
发明人：林洋绪;郑基廷;谢维哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：电荷共享型低单元电压(LCV)写入辅助利用存储阵列的顶部上的未使用金属层来实施电容，而不产生面积成本。在每一写入操作的电荷共享阶段期间，对于给定的低单元电压电平，只需要一次性固定量的电荷支出。平行于位单元电源线的金属线在所有存储器密度配置当中对电荷共享具有良好的电容匹配，从而有利于存储器编译器设计。
单元电压电荷共享电路

[发明专利]电压选择电路-CN201810508904.3在审
发明人：郭家辰;郑基廷;谢维哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开一种电压选择电路。电压选择电路包括：电源检测电路，被配置成将输出电压分别与第一输入电压及第二输入电压进行比较；锁存电路，耦合到所述电源检测电路，且被配置成在所述输出电压低于所述第一输入电压或所述第二输入电压时翻转一对输出信号各自的逻辑状态；以及选择电路，耦合到所述锁存电路，且被配置成基于所述一对输出信号各自的所述逻辑状态而使用所述第一输入电压或所述第二输入电压作为所述输出电压。
输入电压电压选择电路输出电压电源检测电路逻辑状态输出信号锁存电路耦合到配置选择电路翻转

[发明专利]类日光灯管之发光二极管灯管装置-CN201410778275.8有效
发明人： 谢维哲 -专利权人：庄明哲
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种类日光灯管之发光二极管灯管装置，在不改变原有的日光灯管外部的配电电路下，由发光二极管串行而成的发光二极管灯管的接电头间设置有一突波保护器，作为缓冲来自电子安定器的电源突波，然后串接一桥式整流电路，将高频高压的交流电流整理换成低压低电流的直流电以适用于发光二极管，同时将串连于电子安定器的点灯器的讯号传给一单片微机，经由单片微机感应点灯器异常的高压讯号时，及时处理关闭对以MOSFET形成的启动电路的供电，然后仿预热型电子安定器的供电模式输出脉冲宽度调变讯号至启动电路，以产生适用于发光二极管的电压与电流，让以高阻抗模组所形成的发光二极管发光。
日光灯管发光二极管装置

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201711191016.5在审
发明人：林毓超;谢维哲;连浩明;李俊鸿;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一些实施例，提供半导体装置结构的形成方法。上述方法包含在掩模层上图案化多个芯棒。上述方法亦包含在掩模层和芯棒的上表面上形成蚀刻涂布层。上述方法还包含沉积介电层于掩模层和芯棒上，其中介电层的沿着芯棒的侧壁的第一厚度大于介电层的沿着蚀刻涂布层的第二厚度。此外，上述方法包含移除介电层的水平部分。上述方法亦包含利用介电层留下的垂直部分来作为蚀刻掩模，以图案化掩模层。
介电层芯棒掩模层半导体装置结构蚀刻涂布层图案化掩模层沉积介电层蚀刻掩模上表面图案化侧壁移除垂直

[发明专利]用于SRAM写入辅助的负位线升压方案-CN201410020019.2有效
发明人： 谢维哲;林洋绪;陆晓文;郑基廷;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明的器件包括连接在位线电压节点和接地节点之间的晶体管开关，以及连接至晶体管开关的栅极节点的升压信号电路，其中，该升压信号电路提供响应于写入使能信号的升压信号。该器件还包括第一延迟元件和与该第一延迟元件串联的第一电容器。第一电容器具有连接至位线电压节点的第一端和通过第一延迟元件连接至栅极节点的第二端。本发明还包括用于SRAM写入辅助的负位线升压方案。
用于 sram 写入辅助负位线升压方案

[发明专利]SPSRAM封装器-CN201410033720.8有效
发明人： 谢维哲;郑基廷;苏建国;李政宏;张琮永 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：除了其他方面，提供了用于便于对单端口存储器件进行存取操作的一种或多种技术或者系统。在系统时钟的单时钟周期期间对单端口存储器件（诸如SPSRAM的6晶体管位单元阵列）进行多次存取操作。在一个实施例中，封装控制器基于系统时钟的上升沿在系统时钟的第一时钟周期期间启动第一存取操作。响应于在第一时钟操作期间接收操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第二存取操作。采用这种方式，对于比用于改进的存储密度的多端口存储器件占用相对较小面积的单端口存储器件，实现了多端口存取功能，诸如以串行方式减轻操作干扰。本发明还提供了SPSRAM封装器。
spsram 封装

[发明专利]磁力驱动方法、磁力驱动装置及使用该装置的发电机-CN201610196951.X在审
发明人： 谢维哲 -专利权人：达创科技股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H02K53/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁力驱动方法、磁力驱动装置及使用该装置的发电机，磁力驱动装置包括固定单元及转动单元。固定单元包括固定圆盘与多个第一磁铁，其中第一磁铁沿着固定圆盘的中心间隔地设置于固定圆盘上。转动单元包括转轴、转动座与多个第二磁铁，其中转轴固定于转动座的中心，转动座的周围间隔地设有多个鳍片，且鳍片相对于固定圆盘倾斜一特定的角度，而第二磁铁分别设置于鳍片上，其中第一、第二磁铁分别具有彼此相对的第一、第二磁极面，且第一、第二磁极面具有相同的极性，借此，第一、第二磁铁间的排斥力驱使转动座与和转动座连接的转轴转动。一种使用前述磁力驱动装置的发电机及磁力驱动方法亦被提供。
磁力驱动方法装置使用发电机

[发明专利]一种弹幕处理方法及系统-CN201510085019.5在审
发明人： 谢维哲 -专利权人： 谢维哲
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种类日光灯管之发光二极管灯管装置，在不改变原有的日光灯管外部的配电电路下，设置有一以发光二极管串行而成的发光二极管灯管的接电头间设置有一突波保护器，作为缓冲来自电子安定器的电源突波，然后串接一桥式整流电路，将高频高压的交流电流整理换成低压低电流的直流电以适用于发光二极管，同时将串连于电子安定器的点灯器的讯号传给一单片微机，经由单片微机感应点灯器异常的高压讯号时，及时处理关闭对以MOSFET形成的启动电路的供电，然后仿预热型电子安定器的供电模式输出脉冲宽度调变讯号至启动电路，以产生适用于发光二极管的电压与电流，让以高阻抗模组所形成的发光二极管发光。
一种弹幕处理方法系统

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