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[发明专利]一种含V型坑双波长的LED外延结构及其制备方法-CN202211246213.3在审
发明人：袁健;崔晓慧;林继宏;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种含V型坑双波长的LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构包括衬底、N型氮化镓层、低温氮化镓层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一V型坑和第二V型坑；两种不同的V型坑使得有源发光区由传统的平面结构变为立体结构，通过两种不同的V型坑可以注入到不同的多量子阱层，从而可以实现在单芯片上发出两种不同波长的光；另外，第一多量子阱层中的量子垒层可以提供高势垒阻挡载流子在第一多量子阱层中复合发光，第一多量子阱层的量子阱层中In的组分大于第二多量子阱层的量子阱层，不同In组分可以控制载流子在不同深度的V型坑中的输运路径，从而实现在载流子分布的均匀性，解决了混光不均的问题。
一种型坑双波长 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法和LED芯片-CN202111106644.5在审
发明人：崔晓慧;谢祥彬;霍丽艳;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法和LED芯片，通过第一缓冲层释放应力的同时，能够通过相变层减小发光外延生长过程中衬底与第一导电类型半导体层之间界面自由能来促进横向生长；同时还能够通过第二缓冲层的生长来降低缺陷密度，最终提高了LED外延结构的晶体生长质量，进而能够提高LED芯片的内量子效率，改善LED外延结构的漏电情况。
一种 led 外延结构及其制备方法芯片

[实用新型]一种施工使用的头盔遮阳配件-CN202023068763.X有效
发明人：郑正威;叶运涛;郑俊杰;谢祥彬;温锐 -专利权人：清远市方能电力工程安装有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： A42B3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种施工使用的头盔遮阳配件，包括头盔本体和帽檐，所述头盔本体的一侧安装有帽檐，所述头盔本体的内部固定安装有帽箍，所述帽檐的顶部开设有安装槽，所述安装槽的内部固定安装有快速降温的降温机构，所述头盔本体的外圈底端固定安装有底圈，所述底圈的顶部均等距固定安装有限位柱，所述头盔本体的外圈插接有遮阳效果好的遮阳机构，所述限位柱的顶部均固定安装有限位机构，且限位机构与遮阳机构相互配合，此施工使用的头盔遮阳配件的结构简单、操作便捷，可以通过降温机构和遮阳机构的相互配合便于增加使用者的使用便捷性和舒适性，此产品的实用性较高。
一种施工使用头盔遮阳配件

[实用新型]沉积设备-CN202020905482.6有效
发明人：霍丽艳;滕龙;吴洪浩;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种沉积设备，该沉积设备包括：壳体、位于壳体的沉积腔室内加热装置、载盘以及位于壳体外的温度检测装置，其中，加热装置用于给载盘进行加热，以通过载盘给衬底加热，沉积腔室沿预设方向划分成M个嵌套分布的温场，温度检测装置包括多个温度检测元件，温度检测元件与温场一一对应，用于检测其对应温场的温度，从而可以通过获取各个温度检测元件检测到的与其对应温场的温度，控制加热装置，使得各温场的温度相同或者在一定的误差范围内，以提高M个温场的温度均匀性，进而提高LED中外延结构生长过程中的波长的均匀性。
沉积设备

[发明专利]一种低缺陷密度LED外延结构及其制作方法-CN201910515852.7有效
发明人：滕龙;霍丽艳;林加城;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开一种低缺陷密度LED外延结构及其制作方法，通过改变第一型半导体层生长过程中的气氛H2气体流量组分，通过气体流量变化的H2对外延层界面处进行处理，得到表面态较好的外延结构，提高LED的晶体形貌，从而能够减少晶体缺陷，减少载流子的非辐射复合几率，提高发光效率。同时，通过H2气体流量的增加可以减少C杂质的并入，减少载流子的散射机率，提高载流子的迁移率，提高电子空穴的辐射复合机率。
一种缺陷密度 led 外延结构及其制作方法

[发明专利]沉积设备及沉积方法、沉积设备中温度检测点的确定方法-CN202010455965.5在审
发明人：霍丽艳;滕龙;吴洪浩;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种沉积设备及沉积方法、以及沉积设备中温度检测点的确定方法，该沉积设备包括：壳体、位于壳体的沉积腔室内加热装置、载盘以及位于壳体外的温度检测装置，其中，加热装置用于给载盘进行加热，以通过载盘给衬底加热，沉积腔室沿预设方向划分成M个嵌套分布的温场，温度检测装置包括多个温度检测元件，温度检测元件与温场一一对应，用于检测其对应温场的温度，从而可以通过获取各个温度检测元件检测到的与其对应温场的温度，控制加热装置，使得各温场的温度相同或者在一定的误差范围内，以提高M个温场的温度均匀性，进而提高LED中外延结构生长过程中的波长的均匀性。
沉积设备方法温度检测确定

[实用新型]一种带有极高垒层插入层的白光LED结构-CN201920882354.1有效
发明人：霍丽艳;滕龙;刘锐森;崔晓慧;林加城;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提高了一种带有极高垒层插入层的白光LED结构，该带有极高垒层插入层的白光LED结构通过在衬底上生成双波段MQW层，以使所述白光LED结构同时激发蓝光和黄光，蓝光和黄光混合产生白光，并且在蓝光波段MQW层中(阱两侧或一侧)插入极高垒层插入层的结构，可以避免因蓝光发光区能带的问题，导致蓝光光谱不能激发的问题，进而成功生长出发光效率高、稳定性好和色度均匀的白光LED。与现有的白光LED技术相比，本申请不用荧光光粉，这样既可以减少封装的工序，又能减少因荧光粉老化产生的稳定性问题。
一种带有极高插入白光 led 结构

[实用新型]一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构-CN201920904004.0有效
发明人：霍丽艳;滕龙;林加城;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构，所述底层带有凹纳米图形的LED外延结构，包括蓝宝石衬底以及位于所述蓝宝石衬底表面依次设置的缓冲层、凹型纳米图形层、非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；其中，由于凹型纳米图形层的存在，可以释放由于GaN与蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配大产生的应力，减少外延缺陷，从而提高LED的晶格质量，增加LED的内量子效率。另外，凹型纳米图形层部分覆盖缓冲层，凹型纳米图形层制作过程中，采用纳米压印技术形成，压印至裸露局部缓冲层，这样能够改变从多量子阱层发出的光的方向，减少全反射，从而提高LED的外量子效率。
纳米图形凹型蓝宝石缓冲层多量子阱层衬底第二型半导体层第一型半导体层纳米压印技术内量子效率外量子效率衬底表面非掺杂层晶格失配外延缺陷依次设置制作过程全反射热失配晶格压印裸露释放覆盖申请

[实用新型]一种LED的外延结构-CN201920621944.9有效
发明人：霍丽艳;滕龙;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种LED的外延结构，该外延结构包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、超晶格结构、多量子阱层、电流扩展层以及P型掺杂GaN层，其中，所述超晶格结构朝向所述多量子阱层一侧表面具有多个V形坑；所述超晶格结构包括至少两个层叠的超晶格单元，所述超晶格单元包括：浅阱层、位于所述浅阱层朝向所述N型掺杂GaN层一侧的P型掺杂浅垒层、位于所述浅阱层与所述P型掺杂浅垒层之间的未掺杂浅垒层以及位于所述未掺杂浅垒层与所述浅阱层之间的N型掺杂浅垒层。该LED的外延结构，不仅发光效率高，而且抗静电能力强。
垒层外延结构浅阱超晶格结构多量子阱层超晶格未掺杂未掺杂GaN层电流扩展层抗静电能力发光效率缓冲层衬底申请

[发明专利]一种带有极高垒层插入层的白光LED结构-CN201910507115.2在审
发明人：霍丽艳;滕龙;刘锐森;崔晓慧;林加城;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提高了一种带有极高垒层插入层的白光LED结构，该带有极高垒层插入层的白光LED结构通过在衬底上生成双波段MQW层，以使所述白光LED结构同时激发蓝光和黄光，蓝光和黄光混合产生白光，并且在蓝光波段MQW层中(阱两侧或一侧)插入极高垒层插入层的结构，可以避免因蓝光发光区能带的问题，导致蓝光光谱不能激发的问题，进而成功生长出发光效率高、稳定性好和色度均匀的白光LED。与现有的白光LED技术相比，本申请不用荧光光粉，这样既可以减少封装的工序，又能减少因荧光粉老化产生的稳定性问题。
白光LED 插入层垒层蓝光黄光稳定性问题荧光粉老化蓝光波段蓝光光谱发光区光效率荧光光波段激发白光衬底色度封装生长申请成功

[发明专利]一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构及其制作方法-CN201910516550.1在审
发明人：霍丽艳;滕龙;林加城;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构及其制作方法，所述底层带有凹纳米图形的LED外延结构，包括蓝宝石衬底以及位于所述蓝宝石衬底表面依次设置的缓冲层、凹型纳米图形层、非掺杂层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；其中，由于凹型纳米图形层的存在，可以释放由于GaN与蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配大产生的应力，减少外延缺陷，从而提高LED的晶格质量，增加LED的内量子效率。另外，凹型纳米图形层部分覆盖缓冲层，凹型纳米图形层制作过程中，采用纳米压印技术形成，压印至裸露局部缓冲层，这样能够改变从多量子阱层发出的光的方向，减少全反射，从而提高LED的外量子效率。
纳米图形凹型蓝宝石缓冲层多量子阱层衬底第二型半导体层第一型半导体层纳米压印技术内量子效率外量子效率衬底表面非掺杂层晶格失配外延缺陷依次设置制作过程全反射热失配晶格压印制作裸露释放覆盖申请

[发明专利]一种LED的外延结构及其制作方法-CN201910363199.7在审
发明人：霍丽艳;滕龙;周浩;方誉;谢祥彬;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该外延结构包括：衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、超晶格结构、多量子阱层、电流扩展层以及P型掺杂GaN层，其中，所述超晶格结构朝向所述多量子阱层一侧表面具有多个V形坑；所述超晶格结构包括至少两个层叠的超晶格单元，所述超晶格单元包括：浅阱层、位于所述浅阱层朝向所述N型掺杂GaN层一侧的P型掺杂浅垒层、位于所述浅阱层与所述P型掺杂浅垒层之间的未掺杂浅垒层以及位于所述未掺杂浅垒层与所述浅阱层之间的N型掺杂浅垒层。该LED的外延结构，不仅发光效率高，而且抗静电能力强。
垒层外延结构浅阱超晶格结构多量子阱层超晶格未掺杂未掺杂GaN层电流扩展层抗静电能力发光效率缓冲层衬底制作申请

[发明专利]一种氮化物发光二极体结构-CN201510062588.8有效
发明人：蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物发光二极体结构，包括衬底、缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱发光层、P型层，其中，在所述N型层与应力释放层之间插入一生长温度等于或低于量子阱发光层生长温度的电场分散层，所述电场分散层为n型掺杂的多层氮化镓结构；利用不同浓度掺杂的GaN层逐步降低电场聚集，使电流均匀分散，从而提高氮化物半导体组件的静电耐压特性，降低组件在使用过程中的失效率，增加使用的可靠性，延长使用寿命。
一种氮化物发光二极体结构

[发明专利]一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法-CN201610081610.8有效
发明人：徐志军;王亚伟;周宏敏;刘勇;吴洪浩;寻飞林;李政鸿;谢祥彬;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法，属于半导体制造技术领域，本发明通过在承载盘上铰接清理手臂制作清理装置，并通过设定清理手臂与水平面的夹角α、及清理装置的旋转速度n，使清理手臂在最小转速下即可于竖直方向张开，进而对反应腔室内壁清理，减少能耗；同时实现了在不拆开反应腔室的基础上就可以将堆积于腔室内的沉积物清除干净，避免了反应腔室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔室内部的洁净度，提高了在腔室维护过后机器性能的稳定性。
一种 mocvd 反应清理装置方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410107433.7有效
发明人：蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型层、多量子阱有源层和P型层，所述多量子阱有源层由InGaN量子阱与InAlN量子垒结构组成。在本发明中，采用与InGaN量子阱材料晶格匹配的InAlN材料作为量子垒，改善了QCSE(Quantum‑Confined Stark Effect)效应，从而改善器件的Efficiency Droop，改善了器件的发光效率提升LED组件内部量子效率(IQEInternal Quantum Efficiency)。
氮化发光二极管及其制备方法

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