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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路布局以及具有双重图案的方法-CN202010259126.6有效
发明人：谢铭峰;刘如淦;谢弘璋;高蔡胜;辜耀进 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了用于集成电路(IC)的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。
集成电路布局以及具有双重图案方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710197165.6有效
发明人：罗元彦;王之妤;陈俊华;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括沉积蚀刻停止层于基板上；图案化蚀刻停止层，使图案化的蚀刻停止层覆盖第一区的基板，且图案化的蚀刻停止层的开口露出第二区的基板；沉积第一介电层于第一区中的蚀刻停止层上以及第二区中的基板上；图案化第一介电层，以形成第一沟槽穿过第一区中的第一介电层，且第一沟槽露出蚀刻停止层；形成金属结构于第一沟槽中；沉积第二介电层于第一区中的金属结构上以及第二区中的第一介电层上；以及进行图案化工艺，以形成第二沟槽穿过第一区中的第二介电层，并形成第三沟槽穿过第二区中的第二介电层与第一介电层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体制造装置及其研磨模块-CN201610807369.2有效
发明人：简宏仲;陈淑芳;陈俊华;谢弘璋;林育贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制造装置，用以检测并研磨一晶圆的一背表面，该装置包括一研磨模块以及一检测系统。前述研磨模块用以研磨晶圆的背表面，检测系统用以检测晶圆的背表面。其中，前述检测系统固定于研磨模块上并传递一信号至研磨模块，研磨模块接收前述信号并根据信号研磨背表面。
半导体制造装置及其研磨模块

[发明专利]置入散色条于微影工艺的方法-CN201510859640.2有效
发明人：何育如;洪爱真;谢弘璋;吕奎亮;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散色条的一中央部分。本发明展现了改良聚焦深度、散色条印出窗口以及降低焦点位移。
置入散色条工艺方法

[发明专利]形成源极/漏极接触件的方法-CN201510310465.1有效
发明人：郭明志;林育贤;谢弘璋;陈俊华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。
形成接触方法

[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统-CN201811222288.1在审
发明人：简上杰;陈政宏;吴瑞庆;陈家桢;谢弘璋;吕启纶;余家豪;张世明;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
光刻系统清洗模块曝光模块嵌入式掩模光刻曝光清洗掩模吸附机构掩模台配置

[发明专利]半导体集成电路制造的方法-CN201410373394.5有效
发明人：谢铭峰;曾文弘;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第一导电部件和第二导电部件。在第一导电部件上形成第一硬掩模(HM)。在第一和第二导电部件上方形成图案化的介电层，第一开口暴露第二导电部件。在第一开口中形成第一金属插塞以与第一导电部件接触。在第一金属插塞上形成第二HM，并且在衬底上方形成另一个图案化的介电层，第二开口暴露出第一金属插塞与第一导电部件的子集。在第二开口中形成第二金属插塞。
半导体集成电路制造方法

[发明专利]使用表面修饰层的光刻方法-CN201710542909.3在审
发明人：陈淑芳;简宏仲;许林弘;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：依据本发明某些实施例，提供一种光刻方法。该光刻方法包括于一基板上形成一表面修饰层，该表面修饰层包含一亲水性顶部表面；于该表面修饰层上涂布一光致抗蚀剂层；以及将该光致抗蚀剂层显影，从而形成一图案化光致抗蚀剂层。
使用表面修饰光刻方法

[发明专利]制造鳍式场效应晶体管器件的方法-CN201410010730.X有效
发明人：谢铭峰;曾文弘;林宗桦;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。
制造场效应晶体管器件方法

[发明专利]制造FINFET器件的方法-CN201410048881.4有效
发明人：谢铭峰;谢弘璋;吴汉威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法。在衬底上形成多个芯轴部件。沿着芯轴部件的侧壁形成第一间隔件且沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件。两个相邻的背对背的第二间隔件在衬底的第一区域中以间隙间隔开且在衬底的第二区域中合并在一起。在间隙中形成介电部件且在衬底的第三区域中形成介电台状件。在第一切割过程中去除第一间隔件的第一子集。通过使用第一间隔件和介电部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成鳍和沟槽。
制造 finfet 器件方法

[发明专利]光刻对准标记和用于半导体制造的器件-CN201610858785.5在审
发明人：陈庆煌;林书宏;吕奎亮;张雅惠;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。
光刻对准标记用于半导体制造器件

[发明专利]覆盖预测的方法-CN201310014649.4有效
发明人：陈立锐;梁辅杰;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种方法包括接收衬底，该衬底具有内嵌在衬底中的材料部件，其中，接收衬底包括接收形成材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖衬底上的材料部件的抗蚀图案，其中，使用预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用第一水准数据、第一覆盖数据和第二水准数据计算预测的覆盖校正数据。本发明还提供了覆盖预测的方法。
覆盖预测方法

[发明专利]集成电路布局以及具有双重图案的方法-CN201310601880.3在审
发明人：谢铭峰;刘如淦;谢弘璋;高蔡胜;辜耀进 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了用于集成电路（IC）的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。
集成电路布局以及具有双重图案方法

[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统-CN201410084248.0在审
发明人：简上杰;陈政宏;吴瑞庆;陈家桢;谢弘璋;吕启纶;余家豪;张世明;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
具有嵌入式清洗模块光刻系统

[发明专利]旋涂工艺的增厚阶段-CN201310582709.2有效
发明人：张浚威;林佳洁;王志谦;莫忘本;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。
工艺阶段

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